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二次整流電路設計難點解析
在電源工程師歡呼有源鉗位正激轉換器(ACFC)突破50%占空比限製之際，一個被長期忽視的設計陷阱正在浮現——最小占空比(Dmin)的精細控製已成為決定係統可靠性的生死線。實測數據顯示，當Dmin低於15%時，ACFC的開關損耗會陡增300%，電磁幹擾(EMI)惡化達18dBμV。
2025-04-08
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深度剖析柵極驅動器IC在半橋拓撲電源轉換中的選型指南與隔離設計
半橋拓撲結構廣泛用於各種商業和工業應用的電源轉換器件中。這種開關模式配置的核心是柵極驅動器IC，其主要功能是使用脈寬調製信號向高端和低端MOSFET功率開關提供幹淨的電平轉換信號。
2025-03-19
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電子保險絲選型要點全解析
jinguanbianhuahenda，danbaoxiansidejibengongnengshizhongruyi。baoxiansishizhongdoushibaohudianlumianshouguodianliuyingxiangdebaohuqijian，wulunguodianliushishubaianpei，haishijinjinjihaoan。tongchangqingkuangxia，caiqudebaohucuoshishijiangdianluyudianyuanduankai。duiyuchuantongbaoxiansilaishuo，zheyiweizhebaoxiansihuirongduan，xuyaoshijigenghuanbaoxiansi。erdianzibaoxiansizeshitongguobandaoti開關來斷開連接，因而可以進行複位，而且通常能夠自動複位。
2025-03-19
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LDO穩壓器核心知識點全解析：掌握這些，你就是專家！
現代電子設備正變得越來越小，越來越便攜。智能手表、健身追蹤器、安防係統和物聯網 (IoT) 設(she)備(bei)越(yue)來(lai)越(yue)多(duo)地(di)采(cai)用(yong)電(dian)池(chi)供(gong)電(dian)。因(yin)此(ci)，這(zhe)些(xie)設(she)備(bei)需(xu)要(yao)高(gao)效(xiao)率(lv)電(dian)源(yuan)穩(wen)壓(ya)器(qi)，能(neng)夠(gou)從(cong)每(mei)次(ci)充(chong)電(dian)中(zhong)炸(zha)盡(jin)每(mei)一(yi)毫(hao)瓦(wa)的(de)功(gong)率(lv)，以(yi)確(que)保(bao)設(she)備(bei)工(gong)作(zuo)更(geng)長(chang)的(de)時(shi)間(jian)。此(ci)外(wai)，這(zhe)些(xie)設(she)備(bei)的(de)總(zong)過(guo)溫(wen)升(sheng)必(bi)須(xu)極(ji)小(xiao)。傳(chuan)統(tong)的(de)線(xian)性(xing)穩(wen)壓(ya)器(qi)和(he)開關模式電源穩壓器無法輕易地滿足這些便攜式設備的效率要求。此外，開關模式電源穩壓器也會受到噪聲和瞬態電壓的影響。
2025-03-18
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三種常見人體感應傳感器的區別與實戰方案
人體感應傳感器能檢測人體和物體接近，並給出變化的電平信號，實現開關和喚醒的功能，實現人體存在、微動、近距喚醒等多種低功耗雷達傳感器的場景應用。在設備智能化，低碳節能和改善用戶體驗方麵，移動感應器市場需求顯著增加。
2025-03-18
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ST 新款微型單片降壓轉換器，用於智能電表、家電和工業電源轉換器提供低電壓電源
意法半導體新款微型單片降壓轉換器DCP3601集成大量的功能，具有更高的設計靈活性，可以簡化應用設計，降低物料清單成本。這款芯片內置功率開關與補償電路，構建完整的輸出電壓設置電路，僅需電感器、自舉電容、濾波電容、反饋電阻等6個外部元件。
2025-03-05
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基於 MHz 開關頻率的器件助力實現 DC-DC 轉換器和 EMI 濾波器的小型化
對於 DC-DC 電源轉換器而言，使係統小型化並提高整體功率密度的一種顯著方法是通過更高頻率的開關。然而，盡管開關頻率超過 1.3 MHz 的係統具有潛在優勢，但迫於技術挑戰，許多設計人員直到現在仍在使用較低的頻率，例如 100 kHz 或更低……。閱讀本文了解使用高密度電源模塊進行設計如何改變這一現狀。
2025-03-04
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STSPIN32G0上新兩款低壓產品，design win見證卓越
意法半導體 (ST) 的STSPIN32係列產品集成了MCU與功率開關管柵極驅動器，不僅節省了成本，還簡化了設計流程，整個係統的體積最多可縮小65%，這些特性讓它在市場上脫穎而出備受青睞。
2025-02-27
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矽基功率開關已經轉向GaN開關了嗎？
在開關模式電源中使用GaN開關是一種相對較新的技術。這種技術有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術的準備情況，提到了所麵臨的挑戰，並展望了GaN作為矽的替代方案在開關模式電源中的未來前景。如今，電源管理設計工程師常常會問道：現在應該從矽基功率開關轉向GaN開關了嗎？
2025-02-26
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自動測試設備應用中PhotoMOS開關的替代方案
人工智能(AI)應用對高性能內存，尤其是高帶寬內存(HBM)的需求不斷增長，芯片設計因此變得更加複雜。自動測試設備(ATE)changshangshiyanzhengzhexiexinpiandeguanjianyihuan，muqianzhengmianlinzheyuelaiyuedadeyali，xuyaobuduantishengzishennengliyimanzuzheyixuqiu。chuantongshang，zaicunchuqijingyuantanzhendianyuanyingyongzhong，PhotoMOS開關因其良好的低電容乘電阻(CxR)特性而得到采用。低CxR有助於減少信號失真，改善開關關斷隔離度，同時實現更快的開關速度和更低的插入損耗。
2025-02-23
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第 4 代碳化矽技術：重新定義高功率應用的性能和耐久性
本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化矽 (SiC) MOSFET 技術。基於在碳化矽創新領域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案，重新定義行業基準。在第 4 代發布之前，第 3 代碳化矽 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關應用的全麵性能設定了基準。
2025-02-20
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設計高壓SIC的電池斷開開關
DC總線電壓為400 V或更大的電氣係統，由單相或三相電網功率或儲能係統（ESS）提供動力，可以通過固態電路保護提高其可靠性和彈性。在設計高壓固態電池斷開連接開關時(shi)，需(xu)要(yao)考(kao)慮(lv)一(yi)些(xie)基(ji)本(ben)的(de)設(she)計(ji)決(jue)策(ce)。關(guan)鍵(jian)因(yin)素(su)包(bao)括(kuo)半(ban)導(dao)體(ti)技(ji)術(shu)，設(she)備(bei)類(lei)型(xing)，熱(re)包(bao)裝(zhuang)，設(she)備(bei)堅(jian)固(gu)性(xing)以(yi)及(ji)在(zai)電(dian)路(lu)中(zhong)斷(duan)期(qi)間(jian)管(guan)理(li)電(dian)感(gan)能(neng)量(liang)。本(ben)文(wen)討(tao)論(lun)了(le)選(xuan)擇(ze)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)技(ji)術(shu)的(de)設(she)計(ji)注(zhu)意(yi)事(shi)項(xiang)，並(bing)為(wei)高(gao)壓(ya)，高(gao)電(dian)流(liu)電(dian)池(chi)斷(duan)開(kai)開關定義了半導體包裝，以及表征係統寄生電感和過度流動保護限製的重要性。
2025-02-16
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行！氮矽科技發布集成驅動GaN芯片，助力電源能效再攀新高
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