【導讀】在電源工程師歡呼有源鉗位正激轉換器(ACFC)突破50%占空比限製之際
，一個被長期忽視的設計陷阱正在浮現——最小占空比(Dmin)的精細控製已成為決定係統可靠性的生死線。實測數據顯示，當Dmin低於15%時，ACFC的開關損耗會陡增300%，電磁幹擾(EMI)惡化達18dBμV。

在電源工程師歡呼有源鉗位正激轉換器(ACFC)突破50%占空比限製之際，一個被長期忽視的設計陷阱正在浮現——最小占空比(Dmin)的精細控製已成為決定係統可靠性的生死線。實測數據顯示，當Dmin低於15%時，ACFC的開關損耗會陡增300%
，電磁幹擾(EMI)惡化達18dBμV。

本文以隔離式ACFC電源為例，闡述最小占空比對設計的影響。該轉換器用於將輸入24 VAC或48 ~ 60 VDC
，轉化為15VDC，1.5 A輸出。其隔離特性使其適合為現場工業應用供電。ACFC拓撲幫助實現了高達91%的峰值效率。設計要求如表1所示。

表1. 設計要求

ADI公司的 MAX17598是有源鉗位電流模式PWM控製器，其中包含隔離正激轉換器電源設計所需的所有控製電路。本文深入探討了二次自整流電路設計的考慮因素和評估結果。

二次自整流電路的設計考慮

ACFC通過使用自整流電路，實現了更高的效率。圖1為基於MOSFET的典型自整流電路原理圖。與傳統的二極管整流電路相比，MOSFET的導通電阻更低，所以其電路效率更高，尤其是在低電壓、大電流輸出的情況下。

圖1. 通用輸出自整流電路

然而，當輸出電壓接近或超過 MOSFET柵極電壓工作範圍時，這個設計就不合適了。我們可以通過附加電路來產生這些MOSFET的柵極驅動電壓。圖2為該電路的細節信息。G1和G2連接到變壓器的輔助繞組。

圖2. 輔助繞組變壓器中的柵極驅動電路

柵極1連接到N2的柵極（如圖1所示）
，柵極2連接到N1的柵極。柵極1和柵極2與開關周期同步。當柵極1輸出高電平時

，柵極2輸出低電平，反之亦然。完整電路如圖3所示。

圖3. 性能測試使用的示例電路

該環路必須確保輸出處於MOSFET VGS的工作範圍內。公式1反映了柵極驅動電壓與匝數比之間的關係。


KGATE為變壓器比率。NG為變壓器繞組的匝數。NP為變壓器初級繞組的匝數。VGATE_MAX為MOSFET柵極驅動電壓的最大電壓。VDC_MAX 為直流輸入電壓的最大電壓。

當初級環路的主開關閉合時
，施加於變壓器的電壓為正，即 VDC。因此，柵極1的輸出為高電平，柵極2的輸出為GND。它與匝 數比和直流輸入電壓有關。


當主MOSFET關斷時
，鉗位電路將漏極電壓限製為VCLAMP。VCLAMP高於VDC，因此柵極1的輸出為GND，而柵極2的輸出為高電平。

鉗位電壓可通過下式計算：


柵極2的電壓與匝數比以及VCLAMP和 VDCINPUT之間的差距有關。


占空比會隨輸入電壓而變化，因此必須確保柵極的驅動電壓能 夠以完整的 VIN範圍驅動MOSFET。應用最大直流輸入和最小導通率 時，柵極驅動電壓將達到最小值。

p>在設計示例中
，柵極2最低電壓可依照式5進行計算。當輸入直流電壓達到最大值時，柵極2上的電壓隻有4.23 V。


如果該電壓低於VGS導通閾值，則二次整流電路的MOSFET將無法準確工作。這可能導致當輸入電壓接近最大值時，電源在沒有任何負載的情況下無法啟動。在示例電路中
，VGS閾值電壓為3 V

， 小於計算出的最小VGATE2 。

圖4為示例電路的測量結果。CH1為柵極1的電壓。CH2為柵極2的電壓。CH4為主麵N-MOS的源漏電壓。

圖4. 柵極1和柵極2電壓以及MOSFET漏極電壓(VIN = 60 V) 。

示例電路的性能

為了驗證柵極驅動電路計算的準確性
，我們對示例電路進行了性能測試。圖5為不同負載電流（0A、0.5A、1A、1.5A）下的輸入和輸出電壓。

圖5. 不同負載下的輸入和輸出電壓

圖6顯示了輸出電壓水平如何隨輸出電流不同而變化。不同的線表示不同的輸入電壓。

圖6. 輸出電流和輸出電壓

圖7為不同輸入電壓和負載下的峰值效率。當輸入為36 V、輸出為1.5 A時，峰值效率達到91%。

圖7. 峰值效率

波特圖顯示了峰值效率工作條件下的環路穩定性
，即 VDCINPUT = 36 V
、 IOUTPUT = 1.5 A。

圖8顯示了環路響應。

圖8. 波特圖

圖9和圖10顯示了輸出峰峰值電壓。圖9是無負載電流的情況，圖10是滿負載的情況。

圖9. 空載時輸出峰峰值電壓

圖10. 滿負載1.5 A時輸出峰峰值電壓

圖11和12顯示了負載瞬態響應。圖11為負載從零變為滿負載。圖12為負載從滿負載變為零。CH1測量的是輸出電壓（交流耦合）。CH2測量的是輸出負載電流。

圖11. 瞬態響應（0 A至1.5 A）

圖12. 瞬態響應（1.5 A至0 A）

結論

綜上所述
，對ACFCdeyanjiurangwomenduiqixingnenghexiaolvyoulezhongyaorenshi。tongguofenxiercizhengliudianludeshejiyijizhankongbideyingxiang，womenfaxian，dangxuyaoewaidefuzhuzhajiqudongdianlushi，zuixiaozhankongbihuishoudaoxianzhi。

此外
，ACFCpingjieqichusedenenglianghuishoutexing，chengweileyouqianjingdegaoxiaodianyuanxitongjiejuefangan。tongguobenwenkezhi，zhankongbicunzaiyigezuijiafanwei。yejiushishuo，zuidazhankongbihezuixiaozhankongbiduiyujiyuMOSFET的整流電路都很重要。

將本研究的成果應用於設計和實施ACFC
，有助於避免設計階段出現問題。

免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在於傳遞更多信息，版權歸原作者所有。本文所用視頻

、圖片、文字如涉及作品版權問題，請聯係小編進行處理。

推薦閱讀：

碳化矽能效革命核心突破點：共源共柵（cascode）結構詳解

賦能AI與能源及數字化轉型，TDK解決方案亮相慕尼黑上海電子展

光與波的博弈：紅外vs雷達人體感應器技術原理與場景適配方案全解析

第18講：SiC MOSFET的動態特性

相位魔法解碼：真時延技術如何實現毫米級指向精度