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日本和泉上市強製導向繼電器“RF1V”和插座“SF1V”

日本和泉（IDEC）2009年8月7日上市了強製導向繼電器“RF1V”和插座“SF1V”。強製導向繼電器是一種用於檢測觸點熔敷及破損等所致故障的安全設備。與安全開關、安全保護光幕及緊急停止開關等組合使用，可構成控製輸入觸點等的功率的安全電路。

2009-08-18
新電荷泵方式實現低功耗手機LCD背光驅動方案

LCD背光驅動方案有直接連接電池、電荷泵驅動器電路和DC/DC升壓開關調節器三種，然而三種方案在效率、成本、PCB占位麵積等方麵各自存在不同的缺點。本文介紹的可變模式分數電荷泵結合了這些方案的優點，使用開關調節器的電流匹配概念，具有最小器件數量和低噪聲性能以及高效率，在鋰電池壽命周期中的平均效率達到86%。

2009-08-18
飛兆半導體推出 IntelliMAX設計工具

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為便攜應用設計人員提供一款基於網絡的仿真工具，能夠快速準確地評測先進負載開關在實際應用電路中的性能。

2009-08-14
Diodes 推出適合LCD背光應用的新型MOSFET 器件

Diodes 公司進一步擴展其多元化的MOSFET 產品係列，推出15款針對 LCD 電視和顯示器背光應用的新型器件。新器件采用業界標準的TO252和SO8 封裝，具有高功率處理和快速開關功能，可滿足高效CCFL驅動器架構的要求。

2009-08-13
開關變壓器第十六講內部等效電路分析（2）

開關變壓器的等效電路與一般變壓器的等效電路，雖然看起來基本沒有區別，但開關變壓器的等效電路一般是不能用穩態電路進行分析的；等效負載電阻不是一個固定參數，它會隨著開關電源的工作狀態不斷改變，分布電感與分布電容對正激式開關電源和反激式開關電源工作的影響也不一樣

2009-08-13
IRF6718：IR新款動態ORing和熱插拔應用大罐式DirectFET封裝 25V MOSFET

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業界最低的通態電阻 (RDS(on))，並且使動態ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關應用達到最佳效果。

2009-08-12
開關變壓器第十五講內部等效電路分析（1）

開關變壓器的等效電路與一般變壓器的等效電路，雖然看起來基本沒有區別，但開關變壓器的等效電路一般是不能用穩態電路進行分析的；等效負載電阻不是一個固定參數，它會隨著開關電源的工作狀態不斷改變，分布電感與分布電容對正激式開關電源和反激式開關電源工作的影響也不一樣

2009-08-12
我國高壓開關設備市場現狀及技術發展趨勢分析

受市場需求拉動，許多開關設備製造商紛紛瞄準126千伏及以上開關設備市場。據統計，目前能夠生產該電壓等級以上產品的企業已經有50多家。與此同時，外資、合資企業的加盟，使國內高壓開關市場出現群雄爭霸的局麵。認識高壓開關設備市場的現狀及技術發展趨勢，審慎地研發與投資，是業界麵臨的重大課題

2009-08-12
MCM功率電源模塊EMC技術研究

對MCM功率電源而言，由於其工作在幾百kHz的高頻開關狀態，故易成為幹擾源。從國外同類公司的報告及實際措施來看，解決DC/DC變換器電磁幹擾主要就是滿足10kHz～10MHz電源線傳導發射（即國軍標GJB151A-97中CE102）的要求。

2009-08-10
第三講利用降壓結構實現LED驅動

基於降壓的結構可以與很多環路控製結構很好的匹配，而且不用考慮穩定性的限製，滯回控製適合在開關頻率變化比較快和輸入範圍比較小的情況下應用。這種特性剛好滿足LED對電源的要求。

2009-08-10
開關變壓器第十四講分布電容分析

當輸入脈衝電壓的上升或下降率大於振蕩波形的上升或下降率的時候，振蕩回路就吸收能量，使輸入脈衝波形的前、後沿都變差；而(er)當(dang)輸(shu)入(ru)脈(mai)衝(chong)電(dian)壓(ya)的(de)上(shang)升(sheng)或(huo)下(xia)降(jiang)率(lv)小(xiao)於(yu)振(zhen)蕩(dang)波(bo)形(xing)的(de)上(shang)升(sheng)或(huo)下(xia)降(jiang)率(lv)的(de)時(shi)候(hou)，振(zhen)蕩(dang)回(hui)路(lu)就(jiu)會(hui)釋(shi)放(fang)能(neng)量(liang)，使(shi)電(dian)路(lu)產(chan)生(sheng)振(zhen)蕩(dang)。如(ru)果(guo)振(zhen)蕩(dang)回(hui)路(lu)的(de)品(pin)質(zhi)因(yin)數(shu)比(bi)較(jiao)高(gao)，電(dian)路(lu)就(jiu)會(hui)產(chan)生(sheng)寄(ji)生(sheng)振(zhen)蕩(dang)，並(bing)產(chan)生(sheng)EMI幹擾。

2009-08-07
鉭電容器的陽極選擇

開關式電源，微處理器和數字電路應用的一個共同趨勢是降低高頻工作時的噪聲。為了做到這一點，元器件必須具備低ESR（電阻率）、高電容和高可靠性。鉭電容器陽極的總體表麵積，特別是其表麵積與體積比，是確定其ESR值的關鍵參數之一，總表麵積越大，ESR值越大。使用多陽極是大幅降低鉭電容器ESR值的其中一種方法.

2009-08-07

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