產品特性：

• 極低的通態電阻：在10V Vgs時典型為0.5mΩ
• 比D2PAK的占位麵積縮小60%，高度縮小85%
• 實現了改善的安全工作區（SOA）能力

應用範圍：

• 電子保險絲及熱插拔應用
• 高密度DC-DC應用

國際整流器公司 (International Rectifier
，簡稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業界最低的通態電阻 (RDS(on))
，並且使動態ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關應用達到最佳效果。

IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代矽技術，提供極低的通態電阻（在10V Vgs時典型為0.5mΩ），同時比D2PAK的占位麵積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關旁路元件的傳導損耗
，從而大大提高整體係統的效率。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“IRF6718是IR第一款采用大罐式DirectFET封裝的器件
，與同類器件相比擁有更低的通態電阻

，可實現卓越的效率及熱性能
，適合於高密度DC-DC應用
，如比D2PAKchicungengxiaodefuwuqi。lingwai
，gaiqijianhaiyouzhuyujieshengdianlubankongjianjizhengtixitongdechengben，yinweizaitedinggonglvsunhaoxia，tabixianyoujiejuefanganshiyonggengshaodeqijian。”

此外，IRF6718為電子保險絲及熱插拔電路實現了改善的安全工作區（SOA）能力。該器件采用無鉛設計

，並符合RoHS標準。

IRF6718是IR針對DC開關應用的25V DirectFET係列的衍生產品。IRF6717中罐式和IRF6713小罐式DirecFET也適合DC開關應用，並且在各自的PCB尺寸內提供業界最佳的通態電阻。

器件編號	典型RDS(on) @10V (mΩs)	典型RDS(on) @4.5V (mΩs)	VGS (V)	ID @ TA=25ºC (A)	封裝麵積    (mm x mm)	典型RDS(on) @10V x 麵積 (mΩ x mm2)
IRF6718	0.5	1.0	+/-20	61	7 x 9.1	31.9
IRF6717	0.95	1.6	+/-20	38	4.9 x 6.3	29.3
IRF6713	2.2	3.5	+/-20	22	3.8 x 4.8	40.1

上述器件的數據及應用說明已在IR的網站www.irf.com提供。IR已開始接受量產訂單。