基於最近的趨勢，提高效率成為關鍵目標，為了獲得更好的EMI而采用慢開關器件的權衡並不值得。超級結可在平麵MOSFET難以勝任的應用中提高效率。與傳統平麵MOSFET技術相比，超級結MOSFET可顯著降低導通電阻和寄生電容。 導通電阻的顯著降低和寄生電容的降低雖然有助於提高效率，但也產生電壓(dv/dt)和電流(di/dt)的快速開關轉換，形成高頻噪聲和輻射EMI。
 

 

為驅動快速開關超級結MOSFET，必須了解封裝和PCB布局寄生效應對開關性能的影響，以及為使用超級結所做的PCB布局調整。主要使用擊穿電壓為500-600V的超級結MOSFET。在這些電壓額定值中，工業標準TO-220、TO-247
、TO-3P和TO-263shiyingyongzuiguangfandefengzhuang。fengzhuangduixingnengdeyingxiangyouxian，zheshiyinweineibuzhajiheyuanjibangdingxianchangdushigudingde。zhiyouyinjiaodechangdukeyigaibian
，yijianshaofengzhuangdeyuanjidiangan。rutu1(a)所示，10 nH的典型引線電感看起來不大，但這些MOSFET的di/dt可輕鬆達到500 A/μs！ 假定di/dt為500A/μs，10nH引線電感上的電壓為VIND = 5 V；而10nH引線電感的關斷di/dt為1,000 A / μs，可產生VIND = 10 V的de電dian壓ya。大da多duo數shu應ying用yong和he設she計ji都dou未wei考kao慮lv到dao此ci附fu加jia電dian感gan也ye會hui產chan生sheng電dian壓ya
，但dan這zhe一yi點dian不bu可ke忽hu視shi。以yi上shang簡jian單dan計ji算suan顯xian示shi，封feng裝zhuang的de總zong源yuan極ji電dian感gan
，即ji綁bang定ding線xian和he引yin腳jiao電dian感gan必bi須xu降jiang低di至zhi可ke接jie受shou的de數shu值zhi。噪zao聲sheng的de另ling一yi個ge來lai源yuan是shi布bu局ju寄ji生sheng效xiao應ying。有you兩liang種zhong可ke見jian的de布bu局ju寄ji生sheng效xiao應ying： 寄生電感和寄生電容。1 cm走線的電感為6-10 nH，通過在PCB頂部添加一層並在PCB底部添加GND層，可降低此電感值。另一類型是寄生電容。圖1(b)顯xian示shi了le布bu局ju中zhong容rong性xing寄ji生sheng效xiao應ying的de原yuan理li。寄ji生sheng電dian容rong由you兩liang條tiao相xiang近jin走zou線xian之zhi間jian或huo走zou線xian與yu另ling外wai一yi側ce的de地di平ping麵mian之zhi間jian引yin起qi。另ling一yi種zhong電dian容rong為wei器qi件jian和he地di平ping麵mian間jian的de電dian容rong。PCB 板兩麵上的兩個並行走線能夠增加電容，同時還能減少回路電感，從而減少電磁噪聲輻射。下次設計需要超級結MOSFET時，請考慮這些布局提示。