【導讀】氮化镓（GaN）單片雙向開關正重新定義功率器件的電流控製範式。 傳統功率器件（如MOSFET或IGBT）僅(jin)支(zhi)持(chi)單(dan)向(xiang)主(zhu)動(dong)導(dao)通(tong)
，反(fan)向(xiang)電(dian)流(liu)需(xu)依(yi)賴(lai)體(ti)二(er)極(ji)管(guan)或(huo)外(wai)接(jie)抗(kang)並(bing)聯(lian)二(er)極(ji)管(guan)實(shi)現(xian)第(di)三(san)象(xiang)限(xian)傳(chuan)導(dao)。這(zhe)種(zhong)被(bei)動(dong)式(shi)反(fan)向(xiang)導(dao)通(tong)不(bu)僅(jin)缺(que)乏(fa)門(men)極(ji)控(kong)製(zhi)能(neng)力(li)，更(geng)因(yin)二(er)極(ji)管(guan)壓(ya)降(jiang)導(dao)致(zhi)效(xiao)率(lv)損(sun)失(shi)。為(wei)實(shi)現(xian)雙(shuang)向(xiang)可(ke)控(kong)傳(chuan)導(dao)
，工(gong)程(cheng)師(shi)常(chang)采(cai)用(yong)背(bei)對(dui)背(bei)（B2B）拓撲級聯兩個器件，卻因此犧牲了功率密度並增加了係統複雜度。

氮化镓（GaN）單片雙向開關正重新定義功率器件的電流控製範式。 傳統功率器件（如MOSFET或IGBT）僅(jin)支(zhi)持(chi)單(dan)向(xiang)主(zhu)動(dong)導(dao)通(tong)
，反(fan)向(xiang)電(dian)流(liu)需(xu)依(yi)賴(lai)體(ti)二(er)極(ji)管(guan)或(huo)外(wai)接(jie)抗(kang)並(bing)聯(lian)二(er)極(ji)管(guan)實(shi)現(xian)第(di)三(san)象(xiang)限(xian)傳(chuan)導(dao)。這(zhe)種(zhong)被(bei)動(dong)式(shi)反(fan)向(xiang)導(dao)通(tong)不(bu)僅(jin)缺(que)乏(fa)門(men)極(ji)控(kong)製(zhi)能(neng)力(li)，更(geng)因(yin)二(er)極(ji)管(guan)壓(ya)降(jiang)導(dao)致(zhi)效(xiao)率(lv)損(sun)失(shi)。為(wei)實(shi)現(xian)雙(shuang)向(xiang)可(ke)控(kong)傳(chuan)導(dao)，工(gong)程(cheng)師(shi)常(chang)采(cai)用(yong)背(bei)對(dui)背(bei)（B2B）拓撲級聯兩個器件，卻因此犧牲了功率密度並增加了係統複雜度。

由於有效的州電阻（RDSON）加jia倍bei，因yin此ci需xu要yao這zhe些xie設she備bei的de平ping行xing組zu
，以yi使shi返fan回hui到dao使shi用yong單dan向xiang開kai關guan獲huo得de的de值zhi。可ke以yi執zhi行xing此ci類lei四si季ji度du操cao作zuo的de單dan片pian設she備bei可ke以yi通tong過guo用yong單dan個ge設she備bei替ti換huan四si個ge活huo動dong開kai關guan來lai低di係xi統tong大da小xiao和he複fu雜za性xing。 GAN在BDS中的使用可以在某些應用程序中創造進一步的優勢

，因為它的損失較低和比傳統基於SI的設備更快地切換的能力。

讓我們看一下BDS設備可以發揮關鍵作用的一些關鍵應用程序：

交流開關：在許多應用中，雙向AC-AC功率流的概念非常吸引人。考慮一個太陽微型逆變器。標準方法是創建中間DC鏈路電壓，然後將其轉換為AC電壓，該電壓可以饋送到網格或用於消費者使用。直流鏈接電容器可能很大
，增加了尺寸和成本。 AC-DC-AC過程涉及通過每個功率轉換階段的效率降低。另一個示例是板載充電器（OBC），其中使用AC開關可以單級隔離電源轉換。大約在45年前，首次提出了一個矩陣開關。可以在交叉點的9個BDS設備連接兩個三相端口，並轉換電壓
，頻率和功率因數。傳統的可變頻率驅動器（VFD）通常采用包括AC-DC和DC鏈接在內的兩個階段轉換，然後是DC-ACnibianqi。dangshiyongerjiguanzhengliuqishihuichanshengxiebo
，bingqiezaizhidongdiandongjizhidongshi，wufazaishenggongyinghuidianyuan。zhiliulianludianrongqishidianxingdeguzhangdian
，kenengshibenzhongde。juguji
，VFD在工業應用中消耗了超過60％的電能。因此
，使這些驅動器更加可靠，健壯和有效，同時提高功率密度可以產生重大的積極影響，而BDS為實現這一目標提供了途徑。較小的驅動器可能會與電動機集成在一起，從而在減少電纜和寄生蟲方麵取得了進一步的優勢。

在常規AC-DC轉換器中替換B2B開關：讓我們考慮一下維也納整流器的示例。這是一個簡單的集成增壓二極管橋
，並帶有添加的BTB設備，將生成的直流的中點連接回交流側。這些BTB開關可將電流饋入輸入電感器，並補償3 rd諧波失真，從而控製輸入電流形狀。這種流行的整流器已用於電信電源，快速的離線電動電動汽車充電等。從本質上講，T型轉換器是維也納新娘中的二極管替換為MOSFET等主動開關的二極管。這些三級逆變器允許雙向功率流，可用於許多固態變壓器（SST）應用。邪惡的逆變器在光伏（PV）應用中發現了許多用途。在這裏，BDS在AC電源上創建旁路，以網格頻率切換並允許反應電流流動。在這些流行的轉換器設計中
，用整體式gan bds替換當前的多顧問BD會產生較低設備計數的好處，而使用GAN更快的切換可以降低被動組件大小。這些三層拓撲中使用的BDS設備隻需維持總直流電壓的一半即可。

電流源逆變器（CSI）：帶定子電流的CSI飼料感應電動機。正弦電流進入電動機可顯著提高電機設計和可靠性。 CSIS中使用的大型電感器可提供固有的過載和短路保護。 CSI的需要開關可以在兩個方向上阻塞電壓，因此MOSFET或IGBT需要串聯二極管。當使用WBG設備時，電壓源逆變器（VSI）不太寬容地使用快速開關，因為開關波形中的瞬時過電壓增加了EMI風險。這會強調電動機繞組和軸承。盡管CSI逆變器麵臨著獨特的挑戰，例如由於控製複雜性的增加而導致的成本更高，但它們對於高功率電動機驅動器，電飛機和HVDC傳輸的狀態可能是的。 CSI驅動器中使用的WBG設備可以以高頻切換，從而可以減小電感器尺寸。隨著輸出電容器形成低通濾波器
，EMI風險降低。 CSI設計中已證明了GAN BDS設備2。雖然需要雙向電壓阻塞，但單向電流流量滿足要求，因此有可能簡化所需的門控。這將在下麵進一步討論。

AC固態斷路器（SCCB）和電池斷開：AC SCCB需要雙向，可靠的過電壓特性
，較低的狀態電阻，快速響應時間
，低熱電阻包裝以及高電流故障清除到?S範圍內。在此應用程序中
，該設備通常在靜態條件下運行。用單個GAN BDS的MOSFET或IGBT的機械斷路器或抗係列組合替換在較低的模具和更有效的設備中具有優勢。在使用甘恩（Gan Hemt）方麵的一個顯著好處也是沒有重要的Spirito效應
，在某些條件下，可以降低基於SI的設備的安全操作區域（SOA）。電池斷開開關，例如在手機和筆記本電腦充電電路中。它們在過電壓條件下提供斷開連接，從而提供重要的保護功能。這些應用中的BDS針對非常低的州電阻（<10MΩ），通常使用合並的源

，單對接方法，而不是上述其他應用中合並的排水，兩柵方法。現在將更詳細地描述這種合並的排水BDS設備。

gan hv-bds

在近的Infineon 2025 Wide-Bandgap開發人員論壇上，Coolgan HV BDS的校長，產品定義和概念工程師Kennith Leong博士詳細描述了Infineon的GAN BDS Switch。 HV BDS開關的額定值為650 V和850 V，並基於Infineon的柵極注入晶體管（GIT）GAN技術。合並後的中央排水區連接了這些HV BDS設備中的兩個大門和來源。 Infineon還計劃釋放MV BDS開關，該開關的額定功能為40 V - 120 V
，用於靜態電池斷開連接的應用，這些應用程序采用了Schottky Gate Gan Hemt Technology，以兩條插入，單門和常見的源設計。

圖1顯示了HV BDS設備的四種操作模式。當兩個門都打開時
，設備通過VDS-IDS參數空間的起源表現出雙向傳導。當隻有一個門打開時，就會展示設備的二極管模式
，以便偏離門設備在其源供水電勢（VSD）何時超過HEMT的有效閾值電壓（VTH - VGS）時有效地控製轉機。在GIT設備中
，這發生在<2V。當兩個門都關閉時，該設備在電壓下的阻塞明顯大於額定設備的電壓。

圖1：描繪HV Coolgan BDS設備的四種操作模式（來源：Infineon Technologies）

雙(shuang)向(xiang)設(she)備(bei)中(zhong)的(de)重(zhong)要(yao)設(she)計(ji)考(kao)慮(lv)因(yin)素(su)是(shi)控(kong)製(zhi)底(di)物(wu)電(dian)位(wei)。理(li)想(xiang)情(qing)況(kuang)下(xia)應(ying)以(yi)電(dian)位(wei)保(bao)持(chi)，通(tong)常(chang)是(shi)設(she)備(bei)源(yuan)電(dian)壓(ya)。由(you)於(yu)這(zhe)兩(liang)個(ge)來(lai)源(yuan)在(zai)此(ci)應(ying)用(yong)程(cheng)序(xu)中(zhong)可(ke)能(neng)具(ju)有(you)不(bu)同(tong)的(de)潛(qian)力(li)，因(yin)此(ci)將(jiang)底(di)物(wu)與(yu)其(qi)中(zhong)一(yi)個(ge)綁(bang)定(ding)到(dao)一(yi)個(ge)不(bu)對(dui)稱(cheng)的(de)狀(zhuang)態(tai)行(xing)為(wei)
，同(tong)時(shi)浮(fu)動(dong)
，這(zhe)可(ke)能(neng)會(hui)導(dao)致(zhi)反(fan)向(xiang)偏(pian)置(zhi)顯(xian)著(zhe)增(zeng)加(jia)RDSON。 Infineon通過使用單片智能技術來將基板動態連接到潛力的源來解決此問題。這樣可以確保近乎理想的軟開關行為。

硬化和軟開關下的功率損耗的比較如圖2所示。此處的B2B SI和SIC MOSFET與GAN BDS進行了比較，因此淨R DSON是相同的。如所見，在100 kHz開關頻率下
，BDS可以看到損失的顯著改善。共享排水口可顯著改善特定的R DSON，從而允許較低的淨模層區域，從而降低開關和動態傳導損失。在這些BDS設備中看到的一個重要的改進是自限製的短路行為，該設備能夠通過重複的10-100?s測試，對此特征的單向gan hemts的顯著改善。

　圖2：與SI和SIC MOSFET背對背配置的HV Coolgan BDS設備的損耗比較（來源：Infineon Technologies）

計劃在Q2 2025以25MΩ和TOLT和DSO TSC軟件包中的110MΩ等級發射650 V HV BDS。計劃在未來的路線圖中計劃進行850個V設備。 Infineon證明的一個概念可以簡化上述CSI應用程序中這些設備的使用是一種混合BDS設備。在這裏
，（d-Mode）Hemt上通常將標準電子模式設備作為BDS結合使用。該D模式設備的柵極源路徑中的cascoded LV Schottky二極管控製其行為外部，因此消除了控製此門的要求。

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