【導讀】monikaiguantongchangyongyuyinpinxitongzhong
，yiqiehuandidianpingshuruhuotiaozhengyinpinlvboqitexing。xuanzeheshidemonikaiguanyouzhuyuzaishejirenyuandechengbenyusuanfanweineiyouhuaxitongdezongxieboshizhen（THD）。

monikaiguantongchangyongyuyinpinxitongzhong
，yiqiehuandidianpingshuruhuotiaozhengyinpinlvboqitexing。xuanzeheshidemonikaiguanyouzhuyuzaishejirenyuandechengbenyusuanfanweineiyouhuaxitongdezongxieboshizhen（THD）。

THDguigezaiquedingtongguoyinpinxitonghuoyouyinpinxitongshengchengdeyinpinxinhaodezhilianghuobaozhendufangmianqizhezhiguanzhongyaodezuoyong。yinci
，zaishejiyinpinxitongshi，bixuzhongshixuanzeheshideyuanjianhedianlubanbuju
，yizuidaxiandudijiangdiTHD。

當dang信xin號hao通tong過guo開kai關guan時shi
，開kai關guan不bu得de降jiang低di信xin號hao完wan整zheng性xing或huo在zai所suo需xu的de輸shu出chu信xin號hao上shang引yin入ru任ren何he新xin信xin息xi。波bo形xing的de任ren何he變bian化hua都dou被bei認ren為wei是shi失shi真zhen，顯xian然ran是shi不bu希xi望wang的de

，也ye是shi無wu法fa避bi免mian的de，因yin此ci必bi須xu最zui小xiao化hua。

THD 定義為所有次次、三次和更高諧波的平方和與基波諧波幅度之比的平方根。

選擇具有最小THD的模擬開關需要具有低導通電阻（RON），因此導通電阻平坦度低（RFLAT(ON)).一些模擬開關數據手冊忽略了平坦度的規定
，但可以假設它大約是導通電阻的10%。平坦度定義為在指定模擬信號範圍內測量的導通電阻最大值和最小值之間的差值。

圖2.R平坦（開）.

導通電阻曲線由長度L、寬度W
、電子和空穴遷移率（μn和μp），氧化物電容C牛、閾值電壓 VT和信號電壓 V一般事務人員（五在）的兩個MOSFET。

如上圖所示，PMOS和NMOS的導通電阻是平行的
，導致電阻R，這是一個非線性函數。失真源來自並聯PMOS和NMOS與恒定負載串聯，導致通過開關的信號非線性衰減。使用多個開關時，THD 將相加。以下原理圖顯示了開關和負載的電阻分壓器關係。

圖3.

實際上，最大THD由以下公式確定：

如圖2所示，並行R上，因此RFLAT(ON)，可能因模擬輸入信號而異，最大THD將出現在並聯R的最大值和最小值之間的最大差值處上.因此，工作在低於最大值的點左右的模擬輸入信號將經曆較低的THD。

下麵顯示了三種不同的開關及其導通電阻和相應的測量THD。使用10 kohms的標準測試載荷來獲得該地塊。

圖4.THD 與頻率的關係。

在音頻係統中，會遇到 1200
、600、36、32、16
、8
、4 和 3 kohm 的阻抗負載，尤其是在阻抗非常低的情況下，導通電阻平坦度（RFLAT(ON)），以盡量減少 THD。如果THD是最高優先級
，則公式4將為選擇模擬開關提供一個起點。

免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在於傳遞更多信息
，版權歸原作者所有。本文所用視頻
、圖片、文字如涉及作品版權問題，請聯係小編進行處理。

推薦閱讀：

使用RX單片機實現數字電源控製的示例

無線通信中如何排查電磁波幹擾？

雙電源開關工作原理

如何提高混合集成電路的電磁兼容性

基於驅動大功率LED的EMI降低方法