低(di)頻(pin)電(dian)子(zi)學(xue)中(zhong)最(zui)普(pu)通(tong)的(de)電(dian)路(lu)元(yuan)件(jian)就(jiu)是(shi)電(dian)阻(zu)
，它(ta)的(de)作(zuo)用(yong)是(shi)通(tong)過(guo)將(jiang)一(yi)些(xie)電(dian)能(neng)裝(zhuang)化(hua)成(cheng)熱(re)能(neng)來(lai)達(da)到(dao)電(dian)壓(ya)降(jiang)低(di)的(de)目(mu)的(de)。電(dian)阻(zu)的(de)高(gao)頻(pin)等(deng)效(xiao)電(dian)路(lu)如(ru)圖(tu)所(suo)示(shi)，其(qi)中(zhong)兩(liang)個(ge)電(dian)感(gan)L模擬電阻兩端的引線的寄生電感，同時還必須根據實際引線的結構考慮電容效應；用電容C模擬電荷分離效應。

 

 

 

根據電阻的等效電路圖，可以方便的計算出整個電阻的阻抗：

 

 

下圖描繪了電阻的阻抗絕對值與頻率的關係，正像看到的那樣
，低頻時電阻的阻抗是R
，然而當頻率升高並超過一定值 時(shi)，寄(ji)生(sheng)電(dian)容(rong)的(de)影(ying)響(xiang)成(cheng)為(wei)主(zhu)要(yao)的(de)，它(ta)引(yin)起(qi)電(dian)阻(zu)阻(zu)抗(kang)的(de)下(xia)降(jiang)。當(dang)頻(pin)率(lv)繼(ji)續(xu)升(sheng)高(gao)時(shi)，由(you)於(yu)引(yin)線(xian)電(dian)感(gan)的(de)影(ying)響(xiang)
，總(zong)的(de)阻(zu)抗(kang)上(shang)升(sheng)
，引(yin)線(xian)電(dian)感(gan)在(zai)很(hen)高(gao)的(de)頻(pin)率(lv)下(xia)代(dai)表(biao)一(yi)個(ge)開(kai)路(lu)線(xian)或(huo)無(wu) 限大阻抗。

 

 

一個典型的1KΩ電阻阻抗絕對值與頻率的關係

 

 

片狀電容在射頻電路中的應用十分廣泛，它可以用於濾波器調頻、匹配網絡、晶體管的偏置等很多電路中，因此很有必要了解它們的高頻特性。電容的高頻等效電路如圖所示，其中L為引線的寄生電感；描述引線導體損耗用一個串聯的等效電阻R1
；描述介質損耗用一個並聯的電阻R2。

 

 

 

同(tong)樣(yang)可(ke)以(yi)得(de)到(dao)一(yi)個(ge)典(dian)型(xing)的(de)電(dian)容(rong)器(qi)的(de)阻(zu)抗(kang)絕(jue)對(dui)值(zhi)與(yu)頻(pin)率(lv)的(de)關(guan)係(xi)。如(ru)下(xia)圖(tu)所(suo)示(shi)，由(you)於(yu)存(cun)在(zai)介(jie)質(zhi)損(sun)耗(hao)和(he)有(you)限(xian)長(chang)的(de)引(yin)線(xian)
，電(dian)容(rong)顯(xian)示(shi)出(chu)與(yu)電(dian)阻(zu)同(tong)樣(yang)的(de)諧(xie)振(zhen)特(te)性(xing)。

 

 

一個典型的1pF電容阻抗絕對值與頻率的關係

 

 

電感的應用相對於電阻和電容來說較少，它主要用於晶體管的偏置網絡或濾波器中。電感通常由導線zaiyuandaotizhushangraozhiercheng，yincidianganchulekaolvbenshendeganxingtezheng
，haixuyaokaolvdaoxiandedianzuyijixianglinxianquanzhijiandefenbudianrong。diangandedengxiaodianlumoxingruxiatusuoshi，jishengpangludianrongC和串聯電阻R分別由分布電容和電阻帶來的綜合效應。

 

 

 

與電阻和電容相同
，電感的高頻特性同樣與理想電感的預期特性不同，如下圖所示：首先
，當頻率接近諧振點時，高頻電感的阻抗迅速提高；第二，當頻率繼續提高時
，寄生電容C的影響成為主要的，線圈阻抗逐漸降低。

 

 

 

總之，在高頻電路中
，導線連同基本的電阻、電容和電感這些基本的無源器件的性能明顯與理想元件特征不同。讀者可以發現低頻時恒定的電阻值，到高頻時顯示出具 有諧振點的二階係統相應
；在高頻時，電容中的電介質產生了損耗
，造成電容起呈現的阻抗特征隻有低頻時才與頻率成反比；在低頻時電感的阻抗響應隨頻率的增加 而(er)線(xian)形(xing)增(zeng)加(jia)，達(da)到(dao)諧(xie)振(zhen)點(dian)前(qian)開(kai)始(shi)偏(pian)離(li)理(li)想(xiang)特(te)征(zheng)，最(zui)終(zhong)變(bian)為(wei)電(dian)容(rong)性(xing)。這(zhe)些(xie)無(wu)源(yuan)元(yuan)件(jian)在(zai)高(gao)頻(pin)的(de)特(te)性(xing)都(dou)可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)前(qian)麵(mian)提(ti)到(dao)的(de)品(pin)質(zhi)因(yin)數(shu)描(miao)述(shu)

，對(dui)於(yu)電(dian)容(rong)和(he)電(dian)感(gan)來(lai)說(shuo)
，為(wei)了(le)調(tiao)諧(xie) 的目的，通常希望的到盡可能高的品質因數。

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