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高壓軟起動中的晶閘管如何選型？
隨著電力電子技術的飛速發展，晶閘管軟起動裝置應運而生。三相異步電動機的起停技術發生了劃時代的變化。晶閘管軟起動產品問世不過30年左右的時間，而其主要性能卻大大優於磁控軟起動、液(ye)阻(zu)軟(ruan)起(qi)動(dong)等(deng)傳(chuan)統(tong)軟(ruan)起(qi)動(dong)方(fang)式(shi)。它(ta)的(de)體(ti)積(ji)小(xiao)，結(jie)構(gou)緊(jin)湊(cou)，幾(ji)乎(hu)免(mian)維(wei)護(hu)，功(gong)能(neng)齊(qi)全(quan)，起(qi)動(dong)重(zhong)複(fu)性(xing)好(hao)，保(bao)護(hu)周(zhou)全(quan)，目(mu)前(qian)已(yi)成(cheng)為(wei)軟(ruan)起(qi)動(dong)領(ling)域(yu)中(zhong)的(de)佼(jiao)佼(jiao)者(zhe)。
2012-10-25
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簡單實現晶閘管直流穩壓器的過流保護
盡管功率場效應VDMOS 和絕緣柵雙極型晶體管IGBT等電力半導體元器件層出不窮，且在電力電子技術領域占據重要位置，晶閘管（可控矽） 卻因耐高壓耐大電流衝擊的特性，仍有著穩固的陣地，受到用戶的青睞。在擯棄電流采樣、放大和執行等多個環節的情況下，將單結晶體管移相觸發器中的晶體管誤差放大器改為集成運算放大器，就可實現晶閘管直流穩壓器的過流及短路保護，簡化了電路結構，並提高了整機的穩定可靠性能和AC - DC變換效率。
2012-08-29
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HOMSEMI MOSFET基於100KHz逆變焊機的應用評測
早期的逆變焊機中功率開關器件采用晶閘管，逆變頻率為2--3KHz，變壓器鐵心采用矽鋼片，重量較大。本逆變焊機采用成啟半導體大功率MOSFET HS20N50，逆變頻率在100KHz以上，可以對熔滴過渡實現精細控製。
2012-05-23
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采用APFC和PWM技術的高功率因數開關電源的設計比較
針對傳統開關電源因輸入電路采用不可控二極管或相控晶閘管整流而存在輸入電流諧波含量大、功率因數低的問題，提出了兩種高功率因數開關電源的設計方案，分析了采用APFC技術和PWM 整流技術來提高開關電源功率因數的原理，並進行了仿真。
2012-04-23
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LCP12 IC：意法半導體引領市場率先推出先進電信保護芯片
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）在(zai)移(yi)動(dong)寬(kuan)帶(dai)通(tong)信(xin)設(she)備(bei)保(bao)護(hu)技(ji)術(shu)領(ling)域(yu)取(qu)得(de)重(zhong)大(da)進(jin)展(zhan)，推(tui)出(chu)業(ye)界(jie)首(shou)款(kuan)符(fu)合(he)未(wei)來(lai)產(chan)業(ye)標(biao)準(zhun)的(de)保(bao)護(hu)芯(xin)片(pian)，在(zai)電(dian)信(xin)市(shi)場(chang)上(shang)樹(shu)立(li)了(le)更(geng)加(jia)嚴(yan)格(ge)的(de)電(dian)湧(yong)防(fang)護(hu)標(biao)準(zhun)。全(quan)新(xin)晶閘管陣列率先符合中國未來的用戶線路接口卡尖塞和鈴流端口保護標準。
2012-04-05
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晶閘管整流器全關斷檢測電路的設計
本文提出並介紹了歐姆邏輯無環流檢測的一種方案——晶閘管整流器全關斷檢測,並與軟件檢測和電流互感器檢測進行比較分析,最終得出晶閘管全關斷檢測方案準確可行的結論。全關斷的輸出信號與上述兩種信號進行綜合利用,從而準確可靠地實現了歐姆的邏輯無環流控製。
2012-03-29
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晶閘管在電力穩壓器中的應用
目前流行的電力穩壓器大多采用伺服電機帶動炭刷移動調整電壓。它具有整機效率高、輸出波形好、電路簡單等優點，但由於有炭刷和機械傳動造成其工作壽命短、響應速度慢待等問題。用“無觸點”取代“炭刷”是目前大功率電力穩壓器的發展方向。所說的“無觸點”是指主電路中的交流開關采用如晶閘管之類的器件，利用微電腦邏輯控製進行調壓。用無觸點控製取代伺服電機及炭刷進行調壓，從而延長使用壽命、加快響應速度、提高可靠性。
2012-02-20
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晶閘管在高壓軟起動中的選型及應用
隨著電力電子技術的飛速發展，晶閘管軟起動裝置應運而生。三相異步電動機的起停技術發生了劃時代的變化。晶閘管軟起動產品問世不過30年左右的時間，而其主要性能卻大大優於磁控軟起動、液(ye)阻(zu)軟(ruan)起(qi)動(dong)等(deng)傳(chuan)統(tong)軟(ruan)起(qi)動(dong)方(fang)式(shi)。它(ta)的(de)體(ti)積(ji)小(xiao)，結(jie)構(gou)緊(jin)湊(cou)，幾(ji)乎(hu)免(mian)維(wei)護(hu)，功(gong)能(neng)齊(qi)全(quan)，起(qi)動(dong)重(zhong)複(fu)性(xing)好(hao)，保(bao)護(hu)周(zhou)全(quan)，目(mu)前(qian)已(yi)成(cheng)為(wei)軟(ruan)起(qi)動(dong)領(ling)域(yu)中(zhong)的(de)佼(jiao)佼(jiao)者(zhe)。
2012-02-16
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晶閘管在高壓軟起動中的選型及應用
晶閘管電(dian)機(ji)軟(ruan)起(qi)動(dong)器(qi)的(de)出(chu)現(xian)，彌(mi)補(bu)了(le)傳(chuan)統(tong)軟(ruan)起(qi)動(dong)器(qi)的(de)各(ge)種(zhong)不(bu)足(zu)，很(hen)好(hao)地(di)降(jiang)低(di)了(le)電(dian)機(ji)的(de)起(qi)動(dong)電(dian)流(liu)，降(jiang)低(di)了(le)配(pei)電(dian)容(rong)量(liang)，延(yan)長(chang)了(le)電(dian)機(ji)及(ji)相(xiang)關(guan)設(she)備(bei)的(de)使(shi)用(yong)壽(shou)命(ming)。起(qi)動(dong)參(can)數(shu)可(ke)視(shi)負(fu)載(zai)調(tiao)整(zheng)，易(yi)於(yu)維(wei)護(hu)。本(ben)文(wen)介(jie)紹(shao)晶閘管電機軟起動器工作原理，晶閘管的選型及晶閘管的保護設計。
2012-02-13
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電源技術的創新在哪裏
1947年底晶體管問世，隨後不到十年，可控矽整流器（SCR，現稱晶閘管）在晶體管漸趨成熟的基礎上問世，從而揭開了電源技術長足發展的序幕。半個世紀以來，電源技術的發展不斷創新。
2012-02-09
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可控矽(晶閘管)的檢測方法
可控矽（SCR）國際通用名稱為Thyyistoy，中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有 耐壓高、容量大、體積小等優點，它是大功率開關型半導體器件，廣泛應用在電力、電子線路中。
2011-09-08
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高能效功率電子技術領域的新進展
從1957年第一隻晶閘管的de誕dan生sheng開kai始shi，功gong率lv電dian子zi技ji術shu以yi相xiang當dang迅xun猛meng的de速su度du發fa展zhan。近jin年nian來lai又you取qu得de了le長chang足zu的de進jin展zhan，產chan生sheng極ji佳jia的de經jing濟ji及ji社she會hui效xiao益yi。從cong美mei國guo高gao能neng效xiao經jing濟ji委wei員yuan會hui(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益於采用半導體技術而獲得的更高能效，可以使美國的經濟規模擴大70%以上，與此同時，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術領域的領先廠商，安森美半導體一直專注於超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方麵的研發和創新，而且取得了長足的進展。
2011-07-27
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