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DC/DC拓撲的分類和選擇標準
為了提高電力電子產品設計者選擇DC/DC拓撲的準確性和快速性，分析了現有市場上主流的通信、電腦用電源中DC/DC的應用特點，從電氣規格出發提出了電力電子產品設計中DC/DC變換器的電路拓撲選擇的四大標準。 輸入電壓高低決定是否采用軟開關；輸出電壓高低決定是否采用同步整流；輸入輸出電壓變換範圍寬窄決定是否采用寬範圍拓撲；功率大小決定候選拓撲的開關數量。 通過一個關於通信電源中DC/DC 拓撲初選的例子說明了所提四大標準的用法，並證實了四大標準的實用性和有效性。 針對一些經典的DC/DC 拓撲和最新的DC/DC 拓撲與這四大標準的關係進行了評價，得出了電氣規格和拓撲之間的直接對應關係的表格，便於電力電子產品設計者參考。
2008-10-11
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IGBT驅動電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀末出現的一種複合全控型電壓驅動式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優點集於一身：輸入阻抗高，開關頻率高，工作電流大等，在變頻器、開關電源，弧焊電源等領域得到廣泛地應用。M57962L采用+15V、- 10V雙電源供電，由於采用- 10V關斷電壓，能更可靠關斷，同時具有封閉性軟關斷功能，從而使IGBT更加安全的工作。
2008-10-11
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淺談照明級白光LED的驅動與應用
本文主要講了照明級白光LED的驅動與應用，分別講了線性驅動應用、開關型驅動應用和調光應用方式。
2008-10-11
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MOSFET的開關速度將決定未來POL電源的性能
一個采用DirectFET MOSFET並基於四相同步整流器的VRM能夠於高達2MHz/相位下工作，並提供120A電流，且滿足負載點電源的瞬態響應要求。
2008-10-09
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電源對移動電話開關頻譜的影響
隨(sui)著(zhe)移(yi)動(dong)電(dian)話(hua)市(shi)場(chang)的(de)發(fa)展(zhan)，移(yi)動(dong)電(dian)話(hua)已(yi)經(jing)成(cheng)為(wei)目(mu)前(qian)國(guo)內(nei)電(dian)子(zi)製(zhi)造(zao)業(ye)最(zui)大(da)的(de)熱(re)點(dian)。移(yi)動(dong)電(dian)話(hua)是(shi)一(yi)個(ge)包(bao)含(han)數(shu)字(zi)信(xin)號(hao)和(he)模(mo)擬(ni)信(xin)號(hao)的(de)複(fu)雜(za)係(xi)統(tong)，在(zai)移(yi)動(dong)電(dian)話(hua)的(de)設(she)計(ji)調(tiao)試(shi)和(he)批(pi)量(liang)生(sheng)產(chan)中(zhong)，會(hui)碰(peng)到(dao)各(ge)種(zhong)各(ge)樣(yang)技(ji)術(shu)問(wen)題(ti)。其(qi)中(zhong)常(chang)見(jian)的(de)問(wen)題(ti)之(zhi)一(yi)是(shi)移(yi)動(dong)電(dian)話(hua)的(de)開關頻譜不能滿足ETSI標準的要求。在實際工作中，發現移動電話使用的電源直接影響開關頻譜的好壞。本文將簡要介紹一下移動電話電源對開關頻譜的影響並給出具體的解決辦法。
2008-10-09
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估算電感在開關電源中的功耗
開關電源的功耗是多方麵的，包括功率MOSFET損耗、輸入/輸出電容損耗、控製器靜態功耗以及電感損耗。本文主要討論電感損耗。眾所周知，電感損耗包括兩方麵：其一是與磁芯相關的損耗，即傳統的鐵損；其二是與電感繞組相關的損耗，即通常所謂的銅損。本文介紹用估算的方法計算電感在開關電源中的功耗。
2008-10-09
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提高DC/DC轉換器EMC性能的新策略
為了提高DC/DC轉換器的電磁兼容性，基於混沌現象的寬頻譜特性提出了一種新的DC/DC轉換器控製策略。首先推導了能夠產生可控幅度混沌序列的Logistic映射形式，然後利用混沌序列對電流滯環控製策略的電流參考值進行擾動。從而擴展了電感電流的功率譜，降低了在開關頻率及其諧波頻率上發射的電磁幹擾。仿真研究證明，該控製策略可以改善的DC/DC轉換器電磁兼容性能。
2008-10-09
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開關電源差模電流輻射幹擾的模擬與分析
本文主要探討開關電(dian)源(yuan)的(de)電(dian)磁(ci)幹(gan)擾(rao)問(wen)題(ti)，首(shou)先(xian)建(jian)立(li)差(cha)模(mo)電(dian)流(liu)的(de)輻(fu)射(she)模(mo)型(xing)，接(jie)著(zhe)通(tong)過(guo)電(dian)磁(ci)場(chang)的(de)數(shu)值(zhi)模(mo)擬(ni)軟(ruan)件(jian)對(dui)其(qi)輻(fu)射(she)特(te)性(xing)進(jin)行(xing)分(fen)析(xi)，然(ran)後(hou)對(dui)結(jie)果(guo)分(fen)析(xi)得(de)出(chu)在(zai)進(jin)行(xing)印(yin)製(zhi)線(xian)路(lu)板(ban)和(he)機(ji)箱(xiang)內(nei)部(bu)結(jie)構(gou)的(de)電(dian)磁(ci)兼(jian)容(rong)設(she)計(ji)時(shi)應(ying)該(gai)考(kao)慮(lv)的(de)因(yin)素(su)。
2008-10-08
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SPWM全橋逆變器輸出變壓器直流偏磁的抑製
分析了SPWM開關型(xing)變(bian)換(huan)器(qi)中(zhong)輸(shu)出(chu)變(bian)壓(ya)器(qi)產(chan)生(sheng)直(zhi)流(liu)偏(pian)磁(ci)的(de)機(ji)理(li)。提(ti)出(chu)了(le)一(yi)種(zhong)基(ji)於(yu)電(dian)壓(ya)電(dian)流(liu)反(fan)饋(kui)控(kong)製(zhi)技(ji)術(shu)抑(yi)製(zhi)正(zheng)弦(xian)波(bo)逆(ni)變(bian)器(qi)偏(pian)磁(ci)的(de)方(fang)法(fa)，並(bing)提(ti)供(gong)了(le)較(jiao)為(wei)實(shi)用(yong)的(de)拓(tuo)撲(pu)電(dian)路(lu)，同(tong)時(shi)分(fen)析(xi)了(le)它(ta)的(de)工(gong)作(zuo)機(ji)理(li)。該(gai)電(dian)路(lu)的(de)有(you)效(xiao)性(xing)在(zai)介(jie)質(zhi)阻(zu)擋(dang)強(qiang)電(dian)離(li)放(fang)電(dian)用(yong)IGBT全橋逆變電源中得到了驗證。
2008-10-07
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電磁兼容技術綜述及開關電源中的EMC技術應用
本文著重研究了電磁兼容技術，分析了電磁幹擾的產生機理與傳輸，提出了電磁幹擾的控製技術，並將這一技術應用到開關電源上，實現了開關電源的電磁兼容設計。
2008-10-07
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基於恒流驅動模式的寬電壓輸入串聯型開關電源
提出了一種基於恒流驅動模式的能在10V～100V寬電壓範圍內工作的串聯型開關穩壓電源，這種開關電源采用MOSFET和特殊的恒流開關驅動方式，使開關管在寬電壓範圍內始終得到理想的驅動電壓，因此效率高、工作穩定、成本低。
2008-10-07
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開關電源技術發展的十個關注點
本文描述了開關電源技術發展和變化的三個階段以及其發展的關於功率半導體器件性能、開關電源功率密度、高頻磁與同步整流技術等十個關注點。
2008-10-06
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行！氮矽科技發布集成驅動GaN芯片，助力電源能效再攀新高
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