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IC S-5711A係列：日本精工最新磁性開關
日本精工電子有限公司(SII)日前推出磁性開關ICS-5711A係列。S-5711A係列是彩用CMOS技術開發的高靈敏度、低消耗電流的霍爾IC(磁性開關IC)。可檢測出磁束密度的強度，使輸出電壓發生變化。通過與磁石的組合，可進行各種設備的開/關檢測。
2008-11-25
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DS4560：Maxim具有自我保護及重啟功能的熱插拔開關
Maxim推出具有自我保護及重啟功能的完全集成熱插拔開關DS4560。器件極大地減少了12V供電背板係統中保證安全插入和拔出操作所需的元件數量。為減小方案尺寸、簡化設計，DS4560集成了25mΩ n溝道功率MOSFET，從而省去了外部MOSFET。DS4560專為12V係統而設計，是企業級硬盤驅動器、服務器/路由器、PCI Express (PCIe)和InfiniBand以及基站等熱插拔應用的理想選擇。
2008-11-25
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高性能IGBT提高太陽能逆變器效率
飛兆半導體的截止溝道式IGBT適用於不間斷電源、太陽能逆變器以及微波爐和感應加熱類的應用，可以幫助設計師減少傳導損耗和開關損耗，實現極高的效率。
2008-11-25
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NTB54XXN/ntp54XXN：安森美中等電壓功率MOSFET係列
安森美半導體推出8款新的MOSFET器件，專門為中等電壓開關應用而設計。這些MOSFET非常適用於直流馬達驅動、LED驅動器、電源、轉換器、脈寬調製(PWM)控製和橋電路中，這些應用講究二極管速度和換向安全工作區域(SOA)，安森美半導體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量，免應用受未預料的電壓瞬態影響。
2008-11-14
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PA-Cap聚合物片式疊層鋁電解電容器在模擬CPU電源的應用實驗
在計算機CPUdedianyuanxianluzhong，dangfuzaigaosubianhuashihuichanshengdadedianyabodong，quoudianrongqizuoweihuanchongqinengtigongyigeshunshidianliuyiwendingdianya。benwentongguoshiyanyanzhenglezaimoniCPU電源中PA-Cap電容器的優越性，同時證明了PA-Cap電容器用在開關電源和數字電路中是最好的選擇。
2008-11-05
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用RC低通濾波器防止振蕩
本文分析了微型開關的振蕩，提出了RC濾波器構成的振蕩防止電路。
2008-11-03
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如何應對多頻手機中的天線問題？
本文主要針對多頻手機中的天線設計問題討論手機天線開關，分析了多頻手機對開關性能和技術的需要，闡明射頻開關必須能夠切換最多9條大功率射頻信號通道，並且要具有低插損、高隔離和線性度。
2008-11-02
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IGBT驅動與保護技術在直流調速係統中的應用
本文將大功率開關器件IGBT應用在功率變換電路及直流調速係統中。闡述了IGBT 驅動器的基本要求，同時介紹了EXB841 芯片內部結構，並分析了係統的工作原理。
2008-11-02
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IPM驅動和保護電路的研究
智能功率模塊(IPM)是集GTR及MOSFET兩者優點於一身的功率開關器件，，內置的驅動和保護電路縮短了係統開發時間，也提高了故障下的自保護能力。本文簡單介紹了IPM的基本工作特性和常用IPM驅動和保護電路的設計方法，並給出了設計實例。
2008-11-02
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MOSFET及MOSFET驅動電路總結
常用MOSFET管主要有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，兩者在導通的時候都會有導通損耗和開關損失出現，要想辦法降低這兩種損失。在MOS管的驅動問題方麵，除了要考慮導通電壓的問題，速度也是一個考察的方麵。
2008-11-02
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步進電機H橋驅動電路設計
本文設計的步進電機H橋驅動電路，使加到電機繞組上的電流信號前後沿較陡，降低了開關損耗，改善了電機的高頻特性，同時具有多種保護功能．實驗證明，該驅動電路簡單、可靠並具有優良的驅動性能。
2008-11-02
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使用柵極電阻控製IGBT的開關
柵極電阻會影響IGBT的開關時間、開關損耗及各種其他參數，必須根據具體應用的參數非常仔細地選擇和優化。一般情況下，減小柵極電阻阻值可降低IGBT的開關損耗，但同時也必須注意快速的導通關斷所帶來的電壓尖峰和電磁幹擾。
2008-11-02
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
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