中心議題

• 市場每年對太陽能逆變器的需求大約增長30%
• IGBT幫助設計師應對設計具有更高電路效率和性能的產品的挑戰
• 多款IGBT產品介紹

解決方案

• 安森美、英飛淩、STMicroelectronics、Microsemi可提供不同特性的IGBT
• 飛兆截止溝道式IGBT能夠幫助設計師減少傳導損耗和開關損耗，實現極高的效率
• 截止溝道式IGBT適用於不間斷電源
  、太陽能逆變器以及微波爐和感應加熱類的應用

隨sui著zhe國guo際ji汽qi油you價jia格ge的de不bu斷duan攀pan升sheng，運yun輸shu成cheng本ben和he所suo有you其qi他ta能neng源yuan生sheng產chan成cheng本ben也ye隨sui著zhe石shi油you價jia格ge的de上shang漲zhang而er不bu斷duan增zeng大da。同tong時shi，人ren們men對dui電dian力li的de需xu求qiu也ye達da到dao了le一yi個ge前qian所suo未wei有you的de高gao度du。同tong樣yang糟zao糕gao的de是shi
，石shi化hua產chan品pin的de價jia格ge也ye不bu可ke避bi免mian地di提ti高gao了le，導dao致zhi廣guang大da電dian子zi產chan品pin廠chang商shang使shi用yong元yuan件jian成cheng本ben提ti高gao。麵mian對dui這zhe些xie高gao成cheng本ben問wen題ti和he日ri益yi嚴yan格ge的de規gui定ding

，廣guang大da工gong程cheng技ji術shu人ren員yuan在zai努nu力li增zeng強qiang產chan品pin性xing能neng、提高電路效率、縮小產品尺寸、改(gai)進(jin)製(zhi)造(zao)工(gong)藝(yi)效(xiao)率(lv)等(deng)方(fang)麵(mian)承(cheng)受(shou)著(zhe)前(qian)所(suo)未(wei)有(you)的(de)壓(ya)力(li)。此(ci)外(wai)，管(guan)理(li)機(ji)構(gou)正(zheng)逐(zhu)漸(jian)提(ti)高(gao)對(dui)電(dian)子(zi)產(chan)品(pin)最(zui)低(di)能(neng)效(xiao)的(de)要(yao)求(qiu)
，他(ta)們(men)正(zheng)對(dui)廠(chang)商(shang)施(shi)加(jia)越(yue)來(lai)越(yue)大(da)的(de)壓(ya)力(li)，迫(po)使(shi)他(ta)們(men)減(jian)少(shao)溫(wen)室(shi)氣(qi)體(ti)、youdugutiheyetifeiwudepaifang。tongshi，yuelaiyueduoyishidaochengbenhehuanjingwentidexiaofeizheyezhujianyaoqiushiyongbaohangengshaoyouhaicailiaodedinenghaoshebei。raner，zaiyouxiediqumibuzhejingjishuaituiwuyundexingshixiarengrancunzaizheyixianshuguang：廣大電子設計者仍有很多機會設計出新的產品，滿足人們對“綠色”產品和基於太陽能和其他替代能源的產品需求。專家估計

，市場每年對太陽能逆變器的需求大約增長30%；消費者需要更便宜的電子設備，降低產品成本的一個重要途徑就是提高太陽能逆變器的效率。絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）能夠幫助產品設計者應對他們所麵臨的設計具有更高電路效率和性能的產品的挑戰。這類器件也稱為電導調製場效應晶體管（CMFET）
，是MOSFET的近親

，主要在各種應用中用作電源開關。這些電壓控製的器件在市場上隨處可見，在高級開關電源設備中采用合適的IGBT代替類似的MOSFET器件能夠提高能效
，降低產品成本。

一些供應商的產品及其廣泛應用
例如
，安森美半導體公司提供了將近20種不同型號的IGBT，用於電子汽車點火、燃料加注係統和其他一些需要控製高電流和高電壓開關的應用。該公司的產品特點是廣泛采用集成ESD和過電壓保護的單片集成電路。英飛淩公司針對高頻電源開關應用提供了幾款高速IGBT產品。該公司的TrenchStop IGBT 具有較低的飽和電壓、jiaogaodewenduwendingxinghehendidechuandaosunhao，shiyongyudianjiqudongyingyong。zheleijingtiguandedongtaikaiguantexingjiangdileguanduanguochengdenengliangsunhao，jianshaoledianciganrao。STMicroelectronics公司製造的條狀PowerMESH IGBT 適用於電機驅動
、電子汽車點火、遮光器、高頻電子鎮流器、焊接設備
、不間斷電源和家用電器等領域。這些300～1200V的晶體管具有很低的壓降，適用於更高效的產品設計。該公司的V係列IGBT瞄準的是快速、高頻的應用，提供了附帶和不帶續流二極管兩種配置。

Microsemi公司推出了十幾款支持600V和1200V電壓的專用IGBT。該公司的IGBT 產品支持硬開關和軟開關。這些IGBT主要瞄準的是焊接設備、電感加熱器以及電信和醫療電子等應用。Microsemi 公司的DL 係列提供了超軟的恢複二極管，能夠減少電磁幹擾，減少傳導功率損耗
，減少或取消原來需要使用的緩衝器。Microsemi 的Power MOS8 IGBT支持600V和900V的電壓
，針對工業設備、電池充電器和太陽能逆變器等應用提供了穿通技術。

最新的場截止溝道技術
飛兆半導體公司研究了各種適用於不同應用的IGBT技術。例如，他們推出的場截止溝道式（F i e l d S t o pTrench）IGBT采用了最新的場截止結構和溝道柵單元設計
，具有高速開關和低飽和電壓的特點。支持600V和1200V電壓的這類晶體管適用於不間斷電源、taiyangnengnibianqiyijiweiboluheganyingjiareleideyingyong。tamennenggoubangzhudianzishejirenyuanjianshaochuandaosunhaohekaiguansunhao，shixianjigaodexiaolv。feizhaobandaotigongsisuoyoudutedeIGBT技術都經過了專門的優化，能夠減少漂移電阻，溝道柵結構消除了器件中MOSFET 部分的寄生JFET電阻。與傳統的NPT 溝道IGBT 器件相比
，飛兆半導體的FGA20N120FTD可減小25%的傳導損耗、8%的開關損耗。

它們不僅提高了設備的能效，而且大大降低了係統的工作溫度。因此
，使用這類IGBT的應用對冷卻的要求較低，從而進一步減少了功耗，提高了效率和可靠性。這些晶體管還采用了零電壓開關(ZVS)技術，內置了快速恢複二極管(FRD)，這zhe也ye有you利li於yu提ti高gao產chan品pin的de可ke靠kao性xing。飛fei兆zhao憑ping借jie其qi先xian進jin的de場chang截jie止zhi技ji術shu，提ti供gong了le緊jin密mi的de參can數shu分fen布bu，增zeng強qiang了le抗kang雪xue崩beng擊ji穿chuan的de能neng力li
，能neng夠gou在zai雪xue崩beng工gong作zuo模mo式shi下xia保bao持chi一yi致zhi的de性xing能neng
，減jian少shao器qi件jian失shi效xiao。這zhe些xie器qi件jian都dou采cai用yong了le長chang壽shou命ming設she計ji

，是shi高gao性xing能neng
、dikaiguansunhaohechuandaosunhaoyingyongdelixiangxuanze。zaidangqianpubianhuhuanjienengdeshichangshang，dianzishejizhebixuguanzhugaonengxiaoqijian，guanjianshiyaozhenduibutongdeyingyongxuanzeheshideIGBT。無論你的產品需求如何，市場上總有一款晶體管能夠滿足要求。