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基於MOSFET內部結構設計優化的驅動電路
功率MOSFET具有開關速度快，導通電阻小等優點，因此在開關電(dian)源(yuan)，馬(ma)達(da)控(kong)製(zhi)等(deng)電(dian)子(zi)係(xi)統(tong)中(zhong)的(de)應(ying)用(yong)越(yue)來(lai)越(yue)廣(guang)。通(tong)常(chang)在(zai)實(shi)際(ji)的(de)設(she)計(ji)過(guo)程(cheng)中(zhong)，電(dian)子(zi)工(gong)程(cheng)師(shi)對(dui)其(qi)的(de)驅(qu)動(dong)電(dian)路(lu)以(yi)及(ji)驅(qu)動(dong)電(dian)路(lu)的(de)參(can)數(shu)調(tiao)整(zheng)並(bing)不(bu)是(shi)十(shi)分(fen)關(guan)注(zhu)，尤(you)其(qi)是(shi)從(cong)來(lai)沒(mei)有(you)基(ji)於(yu)MOSFET內部的微觀結構去考慮驅動電路的設計，導致在實際的應用中，MOSFET產生一定的失效率。本文將討論這些細節的問題，從而優化MOSFET的驅動性能，提高整個係統的可靠性。
2009-10-26
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理解功率MOSFET的開關損耗
本文先分別介紹了功率MOSFET的Ciss，Coss，Crss及相對應的Qg，Qds和Qgs在開關過程中對開關損耗的影響。基於在理想狀態下，用工程簡化方式計算出MOSFET在開關過程中不同階段的開關損耗，並分析出Crss及相對應的Qgd對於MOSFET管的開關損耗起主導作用。然後，論述了在實際狀態下，Coss對開通和關斷過程的影響，由此得出：用工程簡化方式計算的開關損耗的值與實際狀態下開關損耗的結果基本是一致的。最後闡述了功率MOSFET管自然零電壓關斷的過程。
2009-10-26
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使用自鉗位MOSFET設計電動工具控製器
本文介紹了電動工具控製器的工作原理，詳細的分析了電動工具中MOSFET的功率損耗以及線路引線電感對MOSFET開關波形的影響，同時，介紹了自鉗位MOSFET的工作特性以及在設計電動工具驅動電路時應注意的問題，並給出了使用自鉗位MOSFET設計的電動工具控製器的工作波形和測試結果。
2009-10-26
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降壓轉換器電流取樣電阻三種位置的選擇
本文介紹了電流模式降壓轉換器的電流取樣電阻放置的三種位置，即輸入端、shuchuduanjixuliuguan，tongshixiangxidishuominglezhesanzhongweizhigezideyoudianjiquedian，haichanshuleyoucierchanshengdefengzhidianliumoshihegudiandianliumoshidegongzuoyuanli，yijitamengezidegongzuotexing。benwenyegeichuleshiyonggaoduanzhu開關管導通電阻、低端同步開關管導通電阻，以及電感DCR作為電流取樣電阻時，設計應該注意的問題。
2009-10-26
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磁珠及其在開關電源中的應用
近(jin)年(nian)來(lai)，由(you)於(yu)電(dian)磁(ci)兼(jian)容(rong)的(de)迫(po)切(qie)要(yao)求(qiu)，鐵(tie)氧(yang)體(ti)磁(ci)珠(zhu)得(de)到(dao)了(le)廣(guang)泛(fan)的(de)應(ying)用(yong)，尤(you)其(qi)是(shi)片(pian)式(shi)鐵(tie)氧(yang)體(ti)磁(ci)珠(zhu)。在(zai)各(ge)種(zhong)現(xian)代(dai)電(dian)子(zi)產(chan)品(pin)中(zhong)，為(wei)了(le)達(da)到(dao)電(dian)磁(ci)兼(jian)容(rong)的(de)要(yao)求(qiu)，幾(ji)乎(hu)都(dou)采(cai)用(yong)了(le)這(zhe)類(lei)元(yuan)件(jian)。但(dan)值(zhi)得(de)注(zhu)意(yi)的(de)是(shi)，這(zhe)類(lei)元(yuan)件(jian)品(pin)種(zhong)繁(fan)多(duo)，性(xing)能(neng)各(ge)異(yi)，不(bu)像(xiang)阻(zu)容(rong)元(yuan)件(jian)那(na)樣(yang)的(de)係(xi)列(lie)化(hua)、標準化，本文全麵的須介紹各種鐵氧體磁珠的特性以及應用
2009-10-26
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基於漏極導通區特性理解MOSFET開關過程
本文先介紹了基於功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程；然後介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法：基於功率MOSFET的導通區特性的開關過程，並詳細闡述了其開關過程。開關過程中，功率MOSFET動態的經過是關斷區、恒流區和可變電阻區的過程。在跨越恒流區時，功率MOSFET漏極的電流和柵極電壓以跨導為正比例係列，線性增加。米勒平台區對應著最大的負載電流。可變電阻區功率MOSFET漏極減小到額定的值。
2009-10-26
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DC-DC電源驅動PA提高WCDMA手機發送效率
MAX1820開關模式電源經過優化，能夠提高W-CDMA手機的發送效率。通過極大地降低功率放大器(PA)的VCC，大大減小了最大發送功率以下各個功率對應的電池電流。針對該應用，對MAX1820的設計進行了單獨的優化。
2009-10-22
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STGW30N120KD/STGW40N120KD：低開關損耗1200V IGBT係列產品
日前，意法半導體（ST）推出新係列功率晶體管，可最大限度降低電機控製電路的兩大能耗源，降低家電、供暖通風空調（HVAC）係統、工業機床等日用設備對環境的影響。STGW30N120KD和STGW40N120KD是兩款導通損耗很低的絕緣柵雙極晶體管（IGBT），可降低開關損耗。
2009-10-21
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未來的汽車電子發展趨勢解析
汽車電子正朝著網絡化和智能化的方向發展，電子控製裝置將通過CAN總線提供穩定、可靠的低成本網絡連接；電機、開關、傳感器和車燈等則通過本地互連網絡（LIN）進行網絡連接。
2009-10-20
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磁性元件在機頂盒電源中的應用
頂盒中開關電源變壓器被視做機頂盒電源的心髒，主要功能是功率傳送、電壓變換和絕緣隔離。本文主要介紹機頂盒電源中的電磁幹擾和防護
2009-10-13
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FDFME3N311ZT：飛兆半導體實現高效率的升壓開關
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開關產品FDFME3N311ZT，有助提高手機、醫療、便攜和消費應用設計的升壓轉換電路效率。該器件結合了30V集成式N溝道PowerTrench® MOSFET和肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC)，以提升DC-DC升壓設計的效率。
2009-10-12
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FSSD06 /FSSD07 :飛兆半導體推出通信功能的存儲器開關
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)為手機、數碼相機和便攜應用設計人員提供兩款存儲器開關產品 FSSD06 和 FSSD07 ，擴展了普通處理器至安全數字(SD)、安全數字I/O (SDIO) 和多媒體卡 (MMC)等外設的通信功能。
2009-10-12
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行！氮矽科技發布集成驅動GaN芯片，助力電源能效再攀新高
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