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GSM/DCS雙頻段RF射頻前端設計
本文提出一種新穎的射頻功率放大器電路結構，使用一個射頻功率放大器實現GSM/DCS雙頻段功率放大功能，銳迪科的RDA6218就是采用這種結構。射頻功率放大器管芯由原來的兩個減少為一個，同時此結構射頻功率放大器及輸出匹配網絡與CMOS控製器、射頻開關集成至一個芯片模塊，組成 GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊。
2011-10-05
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“element14專題”帶來創新係列機電產品
首個融合電子商務與在線社區的電子元件分銷商e絡盟母公司element14近日宣布最新版本的element14專題（element14 Features）將重點關注三大類機電產品，包括開關、繼電器與保險絲，連接器、電纜與電纜附件，以及風扇與外殼。設計工程師和維修維護專業人士可以通過element14獲得與這三大類產品相關的14,000餘種產品及相關資源。
2011-10-04
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正確選擇MOSFET四大要素
作為電氣係統中的基本部件，MOSFET需要工程師深入了解其關鍵特性及指標，以做出正確選型。本文講述正確選擇MOSFET的方法，包括確定N/P溝道、確定額定電流、確定熱要求、決定開關性能四大步驟，根據RDS（ON）、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關性能指標來選擇正確的MOSFET。
2011-10-04
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開關電源設計詳解【圖】
開關電源某些參數做得不好會造成EMC難過關、待機功耗大、效率不高。如何減小開關電源的待機功耗、提高開關電源的效率是全球電源行業共同關注的問題。本文配圖講述綠色開關電源設計要點。
2011-10-04
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耦合電感 SEPIC 轉換器的優勢
單端初級電感轉換器 (SEPIC) 能夠通過一個大於或者小於調節輸出電壓的輸入電壓工作。除能夠起到一個降壓及升壓轉換器的作用以外，SEPIC 還具有最少的有源組件、一個簡易控製器和鉗位開關波形，從而提供低噪聲運行。看是否使用兩個磁繞組，是我們識別 SEPIC 的一般方法。
2011-09-30
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交叉級聯正激式同步整流拓樸的實現
利用現代電力電子技術，控製功率變換裝置中功率開關晶體管導通和關斷的時間比率，實現輸入和輸出形態轉變的電路模式都稱為開關型變換器電路。
2011-09-30
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開關電源變壓器屏蔽層抑製共模EMI
本文以反激式開關電源為例，在分析其高頻變壓器形成共模傳導EMI 機理的基礎上，探討了在變壓器設計中設置屏蔽層以抑製共模傳導EMI 的原理。給出了具體的設計方法，並應用於具體產品的設計中。測試表明，屏蔽層的設置可有效抑製高頻開關電源的共模傳導EMI。
2011-09-30
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第五講：應用於汽車照明的LED驅動器方案
隨著LED性能不斷提升及成本不斷下降，在汽車內部及外部照明中的應用領域越來越寬。不同應用對LED電流的要求又各不相同，故需要結合具體應用要求，選擇適合的LED驅動器方案，如線性恒流穩流器、線性穩壓器或開關穩壓器等。本文介紹幾種應用比較廣泛的LED驅動器及具體方案，供設計人員在進行汽車照明設計時參考。
2011-09-30
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D類MOSFT在發射機射頻功放中的應用
利用MOS管的開關特性，可使整個射頻功率放大器工作在開關狀態，從而提高整機效率，改善技術性能，同時使發射機的射頻功率放大器處於低電壓範圍，有利於設備的穩定運行。本文對D類MOS管在廣播發射機射頻功放電路中的應用進行了探討。
2011-09-28
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高頻開關變換器中EMI產生的機理及其抑製方法
開關電源具有體積小、重量輕、效率高等特點，廣泛用於通信、自動控製、家用電器、計算機等電子設備中。但是，其缺點是開關電源在高頻條件下工作，產生非常強的電磁幹擾（Electromagnetic Interference,EMI），經傳導和輻射會汙染周圍電磁環境，對電子設備造成影響。本文從開關電源的電路結構、器件進行分析，探討了電磁幹擾產生的機理及其抑製方法。
2011-09-27
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基於IGBT的固態脈衝調製器設計
隨著電力電子技術的快速發展，新型功率開關器件IGBT(絕緣柵雙極晶體管)迅速占領了市場，滿足了人們把大功率、超高頻率開關元件實現固態化的期望，有著完全取代電真空管的趨勢。這也為在雷達發射機脈衝調製器中采用IGBT作為開關管以替代電真空管奠定了理論和實踐基礎。
2011-09-26
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大屏幕彩電開關電源的高頻有源功率因數校正
本文討論功率因數問題及其校正的基本原理，分析大屏幕彩電開關電源的功率因數，並給出校正電路的設計方案及試驗結果。為了提高大屏幕彩電的節電性能， 在設計中我們采用了高頻有源PFC 技術， 提高了PF 特性。
2011-09-23
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