英飛淩推出最低硬開關通態電阻的CoolMOS C7技術

英飛淩科技股份公司推出采用全新650V超結MOSFET技術的CoolMOSTM C7，為硬開關應用帶來全球最低的通態電阻.C7快速開關性能可使客戶服務器PFC級首次實現100 kHz以上開關頻率，同時達到鈦級能效。這可降低對無源組件空間要求，從而提高功率密度。

2013-05-21

什麼是開關電源？

開關的詞語解釋為開啟和關閉。它還是指一個可以使電路開路、使電流中斷或使其流到其他電路的電子元件。目前，開關電源在當代的應用可謂是越來越廣泛，開關電源是值得我們好好學習的
，現在我們就深入了解開關電源。

2013-05-21

單聯雙控開關

目前，單聯雙控開關在當代的應用可謂是越來越廣泛，單聯雙控開關是值得我們好好學習的。現在我們就深入了解VG 無功補償裝置希望本文能對各位讀者有比較大的參考價值。

2013-05-19

安森美推出降低30%開關損耗的截止型IGBT器件

近日，安森美半導體推出新的第二代場截止型(FSII)IGBT器件，降低開關損耗達30%
，因yin而er提ti供gong更geng高gao能neng效xiao，並bing轉zhuan化hua為wei更geng低di的de外wai殼ke溫wen度du，為wei設she計ji人ren員yuan增zeng強qiang係xi統tong總zong體ti性xing能neng及ji可ke靠kao性xing的de選xuan擇ze。這zhe些xie新xin器qi件jian針zhen對dui目mu標biao應ying用yong進jin行xing了le優you化hua，相xiang比bi現xian有you器qi件jian能neng降jiang低di外wai殼ke溫wen度du達da20%。

2013-05-16

SICK推出電容式接近開關CM12

CM12電容式接近開關針對各種非金屬測量應用進行了優化，其外殼尺寸為直徑12mm，但檢測距離卻能達8mm，節省了安裝空間之餘還拓寬了其應用範圍。

2013-05-16

SICK推出新一代方型電感式接近開關IQ08/10/12

新一代IQ 係列方型電感式接近開關，提供IQ08，IQ10 以及IQ12 三種規格
，在產品性能上繼續延續上一代產品的優點，還引入了多項技術以提高產品穩定性和可靠性應對惡劣環境應用。

2013-05-16

孰優孰劣:氮化镓場效應晶體管VS矽功率器件?

工程師常常認為當應用需要更高電壓時，使用氮化镓場效應晶體管(eGaN FET)在性能方麵才更具優勢。但是，如果隻是考慮開關品質因數，相比先進的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優勢好像減弱了。GaN場效應晶體管與矽功率器件中低壓降壓轉換器應用中的性能到底怎樣？且聽本文細細分解。

2013-05-16

僅有120ns最大傳播延遲的門驅動光電耦合器

近日
，Avago Technologies推出二組新高速門驅動光電耦合器產品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346，這些器件在設計上為用來保護和驅動功率MOSFET或碳化矽MOSFET的1A和2.5A門驅動光電耦合器，適合如變頻器、電機控製和開關電源(SPS)等高頻率應用。相較於Avago前一代產品，ACPL-P/W345和ACPL-P/W346在傳播延遲上減低了一半。

2013-05-15

矽功率MOSFET前景堪憂？

30年前矽功率MOSFET的出現使市場快速接受開關電源
，矽功率MOSFET成為很多應用的必選功率器件。近些年來
，MOSFET不可避免地進入到性能瓶頸期；然而與此同時
，增強型GaN HEMT器件在開關性能和整個器件帶寬有突破性改善，迅速占領市場。矽功率MOSFET在電源轉換領域的發展已經走到盡頭了嗎？

2013-05-15

第三講：基於MOSFET的高能效電源設計

通過結合改進的電源電路拓撲和概念與改進的低損耗功率器件

，開關電源行業在提高功率密度、效率和可靠性方麵
，正在經曆革新性發展。MOSFET是中低電壓電源應用的首選功率器件，可以提高溝槽密度，並無需JFET阻抗元件
，因此能夠使特征導通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量損耗
，極大的提高了電源能效。

2013-05-14

負荷開關的作用

2013-05-13

ST、英飛淩齊推超結MOSFET 皆青睞TO247-4封裝技術

近日，意法半導體（ST）推出首款MDmesh V超結MOSFET晶體管，擴大其高能效功率產品陣容。該產品采用了創新的4針封裝，增加專用控製輸入。新封裝技術可提高白色家電、電視、個人電腦、電信設備和服務器開關電源等設備的功率電路能效。

2013-05-11