安森美半導體持續擴充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產品陣容，應用於消費類電器及工業應用的高性能電源轉換(HPPC)。安森美半導體新的第二代場截止型(FSII)IGBT器件改善開關特性，降低損耗達30%，因yin而er提ti供gong更geng高gao能neng效xiao
，並bing轉zhuan化hua為wei更geng低di的de外wai殼ke溫wen度du，為wei設she計ji人ren員yuan增zeng強qiang係xi統tong總zong體ti性xing能neng及ji可ke靠kao性xing的de選xuan擇ze。這zhe些xie新xin器qi件jian針zhen對dui目mu標biao應ying用yong進jin行xing了le優you化hua，相xiang比bi現xian有you器qi件jian能neng降jiang低di外wai殼ke溫wen度du達da20%。


安森美半導體功率分立產品副總裁兼總經理Paul Leonard說：“dianqideshiyongshuliangchixuzengduo
，shibuduanzengchangdegongyejixiaofeishichangdezongnenghaowenbushangsheng。ansenmeibandaotichixukaifabojingyuangongyijizhirujishu，nenggouxianzhutishengIGBT性能，而這對配合更多高能效方案的需求極為重要。”

新型IGBT器件特性：

公司推出的FSII IGBT首組產品是NGTBxxN120IHRWG和NGTBxxN135IHRW；這些器件優化了開關性能並降低了導電損耗，用於采用15千赫茲(kHz)到30kHz的(de)中(zhong)等(deng)頻(pin)率(lv)工(gong)作(zuo)的(de)電(dian)磁(ci)加(jia)熱(re)和(he)軟(ruan)開(kai)關(guan)應(ying)用(yong)。器(qi)件(jian)在(zai)大(da)電(dian)流(liu)時(shi)提(ti)供(gong)極(ji)佳(jia)的(de)強(qiang)固(gu)性(xing)和(he)優(you)異(yi)的(de)導(dao)通(tong)狀(zhuang)態(tai)特(te)性(xing)
，根(gen)據(ju)係(xi)統(tong)要(yao)求(qiu)經(jing)過(guo)優(you)化(hua)

，以(yi)提(ti)供(gong)更(geng)高(gao)能(neng)效(xiao)及(ji)降(jiang)低(di)係(xi)統(tong)損(sun)耗(hao)。這(zhe)些(xie)高(gao)速(su)IGBT提供領先業界的係統級性能，用於電磁加熱產品
，如電火鍋
、電飯煲及微波爐等電器。這係列器件提供1,200伏(V)及1,350V平台版本，額定電流涵蓋20安培(A)
、30A及40A。

增強的熱性能：

安森美半導體的FSII IGBT技術進一步擴充，新產品還包括NGTBxxN120FL2WG和NGTBxxN135FL2WG係列器件，專門設計用於太陽能逆變器、不間斷電源係統(UPS)及變頻焊機應用。這些器件提供增強的熱性能，結點工作溫度範圍達-55到+175°C，並將額定電流能力提升至采用TO-247封裝條件下的100A。

安森美半導體提供高品質及可靠IGBT的實力悠久，其中通過汽車行業AEC-Q認證的IGBT量產已經超過十年。2011年，公司開始開發新的高壓/大電流IGBT
，用於不斷增長、持續需求高能效方案的工業及消費類市場。安森美半導體采用專有溝槽場截止型IGBT技術的首個完整產品係列於2012年發布，媲美互相競爭的技術。此次發布的最新FSII IGBT技術使安森美半導體居市場領先地位。

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