【導讀】為應對人工智能算力爆發式增長所帶來的嚴峻能耗與散熱挑戰，全球知名半導體製造商ROHM（羅姆）今日正式發布了一份重磅技術白皮書。該文件聚焦於下一代800V直流配電架構
，為AI數據中心的電源設計提供了前瞻性的解決方案與發展藍圖。

2025年10月28日——為應對人工智能算力爆發式增長所帶來的嚴峻能耗與散熱挑戰，全球知名半導體製造商ROHM（羅姆）今日正式發布了一份重磅技術白皮書。該文件聚焦於下一代800V直流配電架構，為AI數據中心的電源設計提供了前瞻性的解決方案與發展藍圖。

本白皮書作為2025年6月發布的“羅姆為英偉達800V HVDC架構提供高性能電源解決方案”合作新聞中的組成部分
，詳細闡述了羅姆為AI基礎設施中的800 VDC供電係統提供強力支持的理想電源解決方案。

800 VDC架構是高效且可擴展性強的供電係統，因其可助力實現千兆瓦級AI工廠而有望為未來數據中心設計帶來革命性轉變。

羅姆不僅提供矽（Si）功率元器件
，還提供包括碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）等在內的豐富的功率元器件產品群，而且是世界上少數擁有模擬IC（控製IC和電源IC，可以更大程度地激發出這些功率元器件的性能）技術開發能力的企業之一。

本白皮書不僅介紹了羅姆引以為傲的豐富的功率元器件和模擬IC技術，還介紹了熱設計等各種仿真、電路板設計以及實際應用案例等綜合電源解決方案。

＜白皮書點擊這裏＞

＜本白皮書的要點＞

・ 在AI數據中心，每個機架的功耗激增，導致以往48V/12V的直流供電方式已接近極限。

・ 向800 VDC架構轉型，將會顯著提升數據中心的效率、功率密度及可持續發展能力。

・ 在800 VDC架構下
，以往在服務器機架內進行的從交流電向直流電的轉換（PSU）
，將改為在獨立的電源機架內進行。

・ 對於800 VDC架構而言，SiC和GaN器件不可或缺。電源機架部分的AC/DC轉換單元因移至IT機架外部，使得可實現更高效率的拓撲變得尤為重要。另一方麵，IT機架部分的DC/DC轉換單元

，為提高其GPU集成度而采用可實現高功率密度的結構也非常重要。

・ 在各轉換單元（如從交流電向800V直流電的轉換
，或IT機架部分從800V直流電的降壓）中，可支持800 VDC架構的拓撲通過采用羅姆推薦的SiC和GaN器件，可實現更高效率、更低噪聲及外圍元器件小型化，進而使功率密度得以大幅提升。

・ 羅姆的EcoSiC™係列產品以業界超低導通電阻著稱，其產品陣容中包括適用於AI服務器的頂部散熱型模塊等產品，非常有助於提升功率密度。另外，羅姆的EcoGaN™係列通過融合超高速脈衝控製技術"Nano Pulse Control™"、以及可更大程度地激發GaN性能的模擬IC技術，實現了穩定的高頻控製和柵極驅動，並已在市場上獲得高度好評。

向800V VDC架構的轉型意義重大，需要全行業的協同合作。羅姆作為實現下一代AI工廠的重要合作夥伴
，不僅持續與NVIDIA等業界領導者保持緊密協作，還將與數據中心運營商及電源製造商開展深度合作。例如，羅姆於2022年就已經與台達電子達成“電源係統用功率元器件戰略合作夥伴關係”。羅姆將通過提供自身擅長的SiC和GaN等寬禁帶半導體的先進技術，為構建可持續且高能效的數字化社會貢獻力量。

關於EcoSiC™

EcoSiC™是采用了因性能優於矽（Si）而在功率元器件領域備受關注的碳化矽（SiC）的元器件品牌。從晶圓生產到製造工藝
、封裝和品質管理方法，ROHM一直在自主開發SiC產品升級所必需的技術。另外，ROHM在製造過程中采用的是一貫製生產體係，已經確立了SiC領域先進企業的地位。

・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

關於EcoGaN™

EcoGaN™是通過更大程度地發揮GaN的性能，助力應用產品進一步節能和小型化的ROHM GaN器件，該係列產品有助於應用產品進一步降低功耗、實現外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數量等。

・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

關於EcoMOS™

EcoMOS™是ROHM開發的Si功率MOSFET品牌
，非常適用於功率元器件領域對節能要求高的應用。EcoMOS™產品陣容豐富
，已被廣泛用於家用電器

、工業設備和車載等領域。客戶可根據應用需求，通過噪聲性能和開關性能等各種參數從產品陣容中選擇產品。

・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

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