破局電動車續航!羅姆第4代SiC MOSFET驅動助力豐田bZ5性能躍遷
發布時間:2025-06-24 責任編輯:lina
【導讀】全球知名半導體製造商羅姆(總部位於日本京都市)今日宣布,搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊,已應用於豐田汽車公司(TOYOTA MOTOR CORPORATION.,以下簡稱“豐田”)麵向中國市場的全新跨界純電動汽車(BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。
全球知名半導體製造商羅姆(總部位於日本京都市)今日宣布,搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊,已應用於豐田汽車公司(TOYOTA MOTOR CORPORATION.,以下簡稱“豐田”)麵向中國市場的全新跨界純電動汽車(BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。
“bZ5”作為豐田與比亞迪豐田電動車科技有限公司(以下簡稱“BTET”)、一汽豐田汽車有限公司(以下簡稱“一汽豐田”)聯合開發的跨界純電動汽車,由一汽豐田於2025年6月正式發售。
此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團的合資企業——上海海姆希科半導體有限公司(HAIMOSIC (SHANGHAI) Co., Ltd.)進行量產供貨,其中以SiC MOSFET為核心的羅姆功率解決方案,為這款新型純電動汽車的續航裏程和性能提供了重要保障。
羅姆目前正加速推進SiC功率元器件的研發進程,計劃於今年完成下一代(即第5代)SiC MOSFET的生產線建設,並提前布局第6代和第7代產品的市場投放規劃。
未來,羅姆將繼續致力於元器件性能和生產效率的提升,通過強化裸芯片、分立器件、功率模塊等各種形態的全方位SiC供應體係,進一步推動SiC技術的普及,為實現可持續交通貢獻力量。
關於“bZ5”
豐田與BTET、一汽豐田等企業聯合開發的跨界純電動汽車,以“Reboot”為開發理念,采用動感且具標誌性的造型設計。針對Z世代年輕用戶需求,著力打造兼具個性化與舒適性的駕乘空間。續航能力方麵,低配版本可達550公裏,高配版本則實現了630公裏(CLTC標準)的續航表現。
該車已於2025年4月22日(第二十一屆上海國際汽車工業展覽會開幕前日)開啟預訂,引發廣泛關注。
關於上海海姆希科半導體有限公司(HAIMOSIC (SHANGHAI) Co., Ltd.)
上海海姆希科半導體有限公司是由正海集團有限公司(中方)與羅姆株式會社(日方)共同成立的中日合資企業。HAIMOSIC(海姆希科)主要從事碳化矽半導體功率模塊的研發、設計、製造及銷售,預期產能36萬個/年。項目總投資額為4.5億元人民幣,注冊資金2.5億元人民幣。
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