【導讀】隨著人工智能算力需求爆發性增長的浪潮下，支撐其運行的底層能源架構正經曆顛覆性升級。羅姆（ROHM） 以其先進的功率半導體技術，成為英偉達（NVIDIA） 全新800V高壓直流（HVDC）數據中心供電架構的核心方案提供者。這一合作聚焦於提升兆瓦級AI工廠的能量轉換效率與功率密度
，為下一代超大規模計算設施奠定高性能電力基礎。

隨著人工智能算力需求爆發性增長的浪潮下，支撐其運行的底層能源架構正經曆顛覆性升級。羅姆（ROHM） 以其先進的功率半導體技術
，成為英偉達（NVIDIA） 全新800V高壓直流（HVDC）數據中心供電架構的核心方案提供者。這一合作聚焦於提升兆瓦級AI工廠的能量轉換效率與功率密度
，為下一代超大規模計算設施奠定高性能電力基礎。

羅姆不僅提供矽（Si）功率元器件，還擁有包括碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）等寬禁帶半導體在內的豐富產品陣容
，可為數據中心的設計提供更優解決方案。

得益於極高的成本效益和可靠性
，Si MOSFET已被廣泛應用於汽車和工業設備市場的電力轉換。Si MOSFET憑借其在價格
、效率和可靠性之間的良好平衡也適用於當前AI基礎設施的升級。

羅姆的Si MOSFET代表產品“RY7P250BM”被全球雲平台企業認證為推薦器件。該產品作為一款為AI服務器必備的熱插拔電路專門設計的48V電源係統用100V功率MOSFET，以8080的小型封裝實現業界超寬的SOA（安全工作區）
，並實現僅1.86mΩ的超低導通電阻。在要求高密度和高可用性的雲平台中，有助於降低電力損耗並提升係統的可靠性。

SiC元器件的優勢在於可降低工業等領域中高電壓
、大電流應用的損耗。英偉達800V HVDC架構旨在為功率超過1MW的服務器機架供電
，這對於推進其大規模部署計劃也起著至關重要的作用。這一新型基礎設施的核心在於可將電網的13.8kV交流電直接轉換為800V的直流電。而傳統的54V機架電源係統除了受物理空間限製（要滿足小型化需求）外
，還存在銅材使用量大、電力轉換損耗高等問題。

羅姆的SiC MOSFET在高電壓、大da功gong率lv環huan境jing下xia可ke發fa揮hui出chu卓zhuo越yue性xing能neng，不bu僅jin能neng通tong過guo降jiang低di開kai關guan損sun耗hao和he導dao通tong損sun耗hao來lai提ti高gao效xiao率lv，還hai以yi超chao小xiao體ti積ji實shi現xian了le滿man足zu高gao密mi度du係xi統tong設she計ji要yao求qiu的de高gao可ke靠kao性xing。這zhe些xie特te性xing恰qia好hao與yu英ying偉wei達da800V HVDC架構所追求“減少銅材使用量”


、“將能量損耗最小化”以及“簡化數據中心整體的電力轉換”等需求相契合。

另外
，作為對SiC產品的補充，羅姆同時還積極推進GaN技術研發，現已推出EcoGaN™係列產品，包括150V和650V耐壓的GaN HEMT
、柵極驅動器以及集成了這些器件的Power Stage IC。SiC在高電壓、大電流應用中表現出色，而GaN則在100V~650V電壓範圍內性能優異，具有出色的介電擊穿強度、低導通電阻以及超高速開關特性。此外，在羅姆自有的Nano Pulse Control™技術的加持下，其開關性能得到進一步提升，脈衝寬度可縮短至最低2ns。這些產品充分滿足AI數據中心追求小型化和高效率電源係統的需求。

除功率器件外，羅姆還推出搭載第4代SiC芯片的頂部散熱型HSDIP20等高輸出功率SiC模塊產品。這些1200V SiC模塊已麵向LLC方式的AC-DC轉換器和一次DC-DC轉換器進行了優化，可實現高效率、高密度的電力轉換。憑借其卓越的散熱性與可擴展性，成為英偉達架構所預想的800V輸配電係統等兆瓦級以上AI工廠的上佳之選。

800V HVDC基礎設施的實現
，需要全行業的協同合作。羅姆作為實現下一代AIgongchangdezhongyaohezuohuoban，bujinyuyingweidadengyejielingdaozhebaochijinmixiezuo，haijiangyushujuzhongxinyunyingshangjidianyuanzhizaoshangkaizhanshenduhezuo。tongguotigongluomuyouweishanchangdeSiC和GaN等寬禁帶半導體的先進技術
，為構建可持續且高能效的數字化社會貢獻力量。

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