【導讀】安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用於需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關係統。得益於碳化矽（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能
，非常適合需要多個器件並聯以高效管理大電流負載的應用場景。

安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用於需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關係統。得益於碳化矽（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件並聯以高效管理大電流負載的應用場景。

SiC Combo JFET 技術概覽

對於需要常關器件的應用
，可以將低壓矽（Si） MOSFET與常開碳化矽（SiC） JFET串聯使用，以創建共源共柵（cascode）結構。在這種設置中


，SiC JFET負責處理高電壓，而Si MOSFET提供常關功能。這種組合充分利用了SiC JFET的高性能以及Si MOSFET易於控製的優點。

安森美 Combo JFET 將一個 SiC JFET 和一個低壓Si MOSFET 集成到一個封裝中，在滿足小尺寸需求的同時，還具有高性能的常關特性。 此外，通過各種柵極驅動配置，該 Combo JFET 還提供了諸如與具有 5V 閾值的矽器件的柵極驅動兼容性、更高可靠性和簡化速度控製等優勢。

產品介紹

Combo JFET 將一個 SiC JFET 和一個低壓Si MOSFET 集成到一個封裝中，SiC JFET 和低壓 MOSFET 的柵極均可使用。

圖 1 Combo JFET 結構

由於 JFET 和低壓 MOSFET 柵極均可使用，Combo JFET 具有多種優勢。 這些優勢包括過驅動（overdrive）時 RDS（on）降低
，通過外部cascode 簡化柵極驅動電路，通過 JFET 柵極電阻調節開關速度，以及通過測量柵極-源極壓降來監測 JFET 結溫。

安森美 SiC Combo JFET 產品係列

表 1 和圖 2 顯示了 Combo JFET產品和可用封裝。

表 1 Combo JFET產品清單

圖 2 Combo JFET封裝和原理圖

安森美 SiC Combo JFET器件的特性和優勢

表 2 總結了 安森美 SiC Combo JFET器件的特性和優勢

表 2 安森美 SiC Combo JFET的特性和優勢

本節評估的靜態特性包括 RDS（on）、峰值電流 (IDM)、RθJC（從結點到外殼的熱阻）。 對於電路保護和多路並聯應用，dv/dt 可控性至關重要。 以 750V 5mOhm TOLL 封裝 (UG4SC075005L8S) 器件為例，評估其靜態特性和動態特性。

靜態特性

如表 3 所示，安森美先進的 SiC JFET 技術在市場上實現了卓越的電氣性能和熱性能。

表3 安森美 Combo JFET主要參數

安森美 Combo JFET具有低RDS(on)、高 IDM和低熱阻特性。

低 RDS(on)：安森美 Combo JFET器件采用 SiC JFET 技術，單位麵積 RDS(on)顯著降低（Rds∙A）。 該器件采用靈活
、可從外部配置的cascode結構（SiC Combo-FET）來實現常關操作。在 安森美 SiC Combo JFET結構中，低電壓 Si MOSFET 對總 RDS(on)的貢獻不到 10%。圖 1 顯示了 TOLL 封裝中 RDS(on)的對比。

圖3 TOLL封裝的RDS(on) 的對比

更高的 IDM：峰值電流對於電路保護應用至關重要，而高 IDMSiC Combo JFET正是實現這一目的的理想選擇。電路保護應用因其特定的工作條件而要求穩健性和大電流穿越能力。

圖4 采用 Combo JFET封裝的 JFET 的 IDM

低RθJC：安森美的SiC Combo JFETcaiyongyinshaojieluopiantiezhuangjishu，yudaduoshuhanjiecailiaoxiangbi，jiemiandaorexingnengtigaoleliubei，congerzaigengxiaodeluopianchicunxiashixianxiangtongshenzhigengdidejiezhiwaikerezu（RθJC）。低RθJC有助於保持較低的結溫
，並確保更高的可靠性。

動態特性

通過調整 Combo JFET配置中的 JFET 柵極電阻，可實現出色的速度可控性，從而帶來以下優勢：

通過降低關斷速度來減少電壓過衝
，可加強電路保護
，尤其是短路保護。

易於並聯，在開關損耗和動態電流平衡之間實現了出色的權衡。

功率循環

功率器件的可靠性及壽命評估對於提高係統可靠性和延長使用壽命至關重要
，尤其是對於新興的寬禁帶（WBG）半導體（如SiC
、GaN等）而言。功率器件的主要失效模式與熱機械疲勞（TMF）有關。功率熱循環測試是一種加速測試方法，被測器件（DUT）頻繁地開關，使其結溫以一種受控的方式循環變化。這種方法通過施加熱機械應力來評估封裝（接線、裸片貼裝等）的可靠性。同時

，它也對半導體裸片和封裝元器件（接線

、引線等）施加電應力，相比被動溫度循環測試，能更準確地模擬實際應用中遇到的溫度梯度變化。

在堆疊結構中，Si MOSFET位於SiC JFET之上，電源線連接到Si MOSFET的源極金屬化層。由於矽的硬度低於碳化矽
，在功率循環過程中產生的熱機械應力顯著減少，從而使功率循環壽命延長至原來的2倍。此外

，無論是從Si MOSFET到SiC JFET，還是從SiC JFET到散熱焊盤
，都采用了銀燒結裸片貼裝（silver sinter die-attach）技術，相比現今廣泛使用的焊接裸片貼裝（solder die-attach
，常見於SiC分立器件），進一步增強了可靠性。

柵極控製方法

用於固態斷路器的 Combo JFET有兩種主要控製方法：準cascode驅動模式和直接驅動模式。

圖5 Combo JFET驅動模式：準cascode驅動模式（左）和直接驅動模式（右）

對於大功率開關模式應用，除了圖 3 所示的上述兩種控製方法外
，我們還開發並推薦使用 ClampDRIVE。 或者采用最簡單的柵極控製方法，用單個 JFET 柵極電阻來調整其開關速度，詳見圖 4。

圖6 開關模式應用中 Combo JFET的控製方法（左：恒定 JFET 柵極電阻，右：ClampDRIVE）

結語

安森美SiC Combo JFET具有極低 RDS(on)和可控開關速度，可為斷路器和大功率低開關速度應用實現卓越的效率和功率密度。它還具有與矽器件相當的功率循環性能（可靠性和使用壽命），比 SiC MOSFET 高出 2 倍以上。

（作者：安森美）

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