驅動控製電路拓撲
   
圖1中
，V8為振蕩電路產生的振蕩脈衝，其占空比為50％，由該脈衝決定開關器件的工作頻率。V1為原邊電流采樣電阻上的壓降，V2為輸出電壓的反饋值，V3是用於驅動開關管的信號。V2經過PI調節器進行誤差放大後輸入到比較器的反向端，與輸入到比較器同向端的經過誤差放大後的V1值進行比較，從而決定V3的脈寬大小。邏輯電路產生的信號經過輸出級後用來驅動MOSFET的開通和關斷
，該信號（V3）的占空比與輸出電壓的反饋值V2成反比

，實現電壓反饋式的控製環
，同時，該信號的占空比還與輸入的直流電壓值成反比
，以實現電路的前饋控製。V3信號由經過放大後的原邊電流的采樣電阻上的電壓值和經過PI調節器的輸出電壓的反饋值共同來控製。圖2為各個反饋信號的誤差放大值、振蕩脈衝V8以及MOSFET的驅動信號V3波形。圖2中1）為振蕩脈衝V8的波形，2）為驅動信號V3的波形，3）、4）為電壓反饋和電流反饋值經過誤差放大後的波形（V2和V1的波形）。

圖1：PWM邏輯電路及輸出電路   

由圖2可知

，當反饋電流的誤差放大值V1大於反饋電壓的誤差值V2時，比較器就輸出高電平，驅動信號變成低電平
，使MOSFET管關斷，直到下一個振蕩脈衝到來

，MOSFET管才開通，因而可以看出
，該電路采用的是電流的峰值控製。

圖2 ：PWM波形圖  

圖3為啟動電路圖。

圖3 ：啟動電路圖

該啟動電路由雙極性晶體管Q1，穩壓二極管D1,D3和二極管D2以及電容C1構成。在電路啟動的初期
，輸入的直流電源通過雙極性晶體管Q1給電容C1充電，使電路開始工作。等到反饋的電壓值Feedback比電路中的穩壓二極管D1的穩壓值大時，雙極性晶體管Q1被關斷
，該電路停止工作。PWM比較器的工作電壓由Feedback信xin號hao提ti供gong。這zhe種zhong電dian路lu的de優you點dian是shi可ke以yi有you效xiao地di減jian小xiao損sun耗hao

，而er很hen多duo國guo外wai產chan品pin的de啟qi動dong電dian路lu是shi由you大da電dian阻zu和he電dian容rong構gou成cheng
，因yin而er在zai電dian阻zu上shang將jiang會hui有you一yi定ding的de損sun耗hao。
   
在圖1的(de)驅(qu)動(dong)控(kong)製(zhi)電(dian)路(lu)中(zhong)，我(wo)們(men)還(hai)可(ke)以(yi)看(kan)到(dao)
，該(gai)電(dian)路(lu)有(you)逐(zhu)周(zhou)電(dian)流(liu)檢(jian)測(ce)功(gong)能(neng)。逐(zhu)周(zhou)的(de)峰(feng)值(zhi)漏(lou)極(ji)電(dian)流(liu)限(xian)製(zhi)電(dian)路(lu)以(yi)原(yuan)邊(bian)電(dian)流(liu)的(de)采(cai)樣(yang)電(dian)阻(zu)作(zuo)為(wei)檢(jian)測(ce)電(dian)阻(zu)。器(qi)件(jian)內(nei)部(bu)的(de)PI調節器的輸出值設有＋5V的電壓限製，而采樣電阻上的電壓值放大5倍後與PI調節器的輸出值進行比較，故設計電路時就可以精確地計算出電流峰值，通過選定采樣電阻值和原副邊的匝數比來進行電流限製。當MOSFET的漏極電流太大使采樣電阻上的壓降放大後超過＋5V的閾值時
，MOSFET就會被關斷，直到下一個時鍾周期開始。

動態性能試驗
   
1）負載變化時輸出電壓的動態特性
   
當負載變化時，輸出電壓也在瞬間變化
，然後反饋到控製引腳，器件內部的控製電路就會做出相應的調整
，改變MOSFET器件開關的占空比，以實現輸出電壓穩定的目的。
   
圖4（a）是(shi)負(fu)載(zai)變(bian)小(xiao)時(shi)輸(shu)出(chu)電(dian)壓(ya)波(bo)形(xing)的(de)變(bian)化(hua)情(qing)況(kuang)。負(fu)載(zai)變(bian)小(xiao)，輸(shu)出(chu)電(dian)壓(ya)變(bian)大(da)，導(dao)致(zhi)電(dian)壓(ya)反(fan)饋(kui)的(de)誤(wu)差(cha)放(fang)大(da)值(zhi)變(bian)小(xiao)

，脈(mai)寬(kuan)調(tiao)製(zhi)器(qi)的(de)輸(shu)出(chu)波(bo)形(xing)的(de)占(zhan)空(kong)比(bi)變(bian)小(xiao)，使(shi)輸(shu)出(chu)電(dian)壓(ya)變(bian)小(xiao)，最(zui)終(zhong)使(shi)輸(shu)出(chu)電(dian)壓(ya)趨(qu)向(xiang)於(yu)穩(wen)定(ding)值(zhi)。此(ci)時(shi)，輸(shu)出(chu)電(dian)壓(ya)的(de)反(fan)饋(kui)值(zhi)為(wei)＋5V。
   
圖4（b）是負載變大時的輸出電壓波形。同理，可以分析出輸出電壓的變化過程。

圖4：負載變化時輸出電壓的動態特性圖 

在同一個輸入電壓不同負載情況下MOSFET器件的uDS的波形如圖5所示。

圖5：負載變化時開關管的uds波形

圖5上半部分是負載為40Ω時的波形
，圖5下半部分是負載為30Ω時的波形。由圖5可知，在不同負載下，MOSFET器件開關的占空比是不相同的，負載大則MOSFET器件的導通時間長。
   
2）輸入電壓變化時輸出電壓的動態特性
   
dangshurudianyafashengbianhuashi，shuchudianyayehuizaishunjiansuizhefashengbianhua，youyushurudianyadebianhuazhijiedaozhishurudianliudebianhua，zaidianliucaiyangdianzushangdeyajiangdeshangshengxielvsuizhebianhua，keyizhijiedaozhishuchuzhankongbidegaibian

，tongshi，shuchudianyadefankuihuanjietongyangqizhetiaojiezuoyong。tu6為輸入電壓變化時輸出電壓的變化情況。
   
圖6（a）為輸入電壓由200V減小到150V時的輸出電壓的波形。從圖中可以看出，經過短暫的時間調整後，輸出電壓重新趨向於穩定值，並且輸出電壓的變化非常小。
   
圖6（b）為輸入電壓由150V變到200V時的輸出電壓波形。

圖6 ：輸入電壓變化時輸出電壓的動態特性

benwenzaigeichufanjidianlutuopudejichushang，tongguoshijidefenliyuanqijiandagoushixiangaituopu。geichuduozushiyanboxing，yicifenxilequdongkongzhidianludetedianyijigongzuoxingneng。shiyanzhengming，zhezhongdianlukongzhifangfajianjie
，xingnengyouliang。gaidianlubujinkeyiyingyongyufanjishidianlu，yekeyiyingyongyuzhengjishiheqitaDC/DC電路中。由於所有元器件由分立元器件搭構
，這就為將來的集成化
，以至最終研製芯片提供了基礎，驗證了可行性。