石墨烯FET的新聞事件：

• 三星與IBM發布截止頻率突破200GHz的石墨烯FET

石墨烯FET的事件影響：

• 應用於高頻RF元件
• 與矽元件相同的基板上一同集成石墨烯FET和自旋電子學元件
• 克服一些問題
  ，截止頻率可提高至300G～400GHz

在“IEDM 2010”開幕當天舉行的研討會上，韓國三星尖端技術研究所（SAIT）與美國IBM相繼發布了截止頻率突破200GHz的石墨烯FET。兩公司均計劃將其應用於高頻RF元件。

SAIT總裁Kinam Kim上午發表了主題演講，介紹了該研究所的石墨烯FET最新開發成果。Kim表示，該研究所使用直徑150mm的矽基板製作了柵長180nm的石墨烯 FET，並驗證能以202GHz的截止頻率工作。石墨烯的成膜采用了半導體製造技術
，以及親和性較高的電漿輔助方式低溫CVD法
，成膜溫度為650℃。 Kim稱
，已經確立了采用該方法使單層石墨烯均勻成膜的技術。載流子遷移率達到了1萬3000cm2/Vs。

關於石墨烯FET
，Kim在演講中表示
，“作為高速高頻信號處理元件，配備了較高的電位，還可與 Si-CMOS電路融合。今後估計還可能在與矽元件相同的基板上一同集成石墨烯FET以及自旋電子學元件等”。另外，SAIT將在此次的IEDM上發布 Kim介紹的成果詳情。

IBM發布了與美國麻省理工學院（MIT）的共同研究成果。二者共同研究出了在SiC基板上形成的柵長240nm石墨烯FET，並驗證其截止頻率為230GHz。石墨烯通過熱處理SiC基板而成膜。研究小組還製作出了柵長100nm以下的石墨烯 FET，柵長90nm的元件截止頻率為170GHz。據IBM介紹
，截止頻率比柵長240nm的de元yuan件jian低di是shi因yin為wei
，目mu前qian仍reng無wu法fa確que立li尺chi寸cun較jiao短duan的de柵zha極ji電dian極ji的de自zi調tiao整zheng形xing成cheng工gong藝yi，以yi及ji無wu法fa利li用yong柵zha極ji電dian極ji控kong製zhi的de電dian場chang通tong道dao占zhan到dao了le柵zha長chang的de一yi半ban。如ru果guo能neng夠gou克ke服fu這zhe些xie問wen題ti，柵zha長chang90nm的元件“截止頻率可提高至300G～400GHz” （IBM的發布人Y.Q.Wu）。