功率 MOSFET 的產品特性：

• 具有非常出色的功率密度
• 雙麵冷卻功能
• 最小寄生電感和電阻

功率 MOSFET 的應用範圍：

• 適用於重負載應用

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET係列。該係列具有非常出色的功率密度、雙麵冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用於重負載應用，包括電動助力轉向係統
、電源
、混合動力汽車的電池開關、微型混合動力汽車的集成起動發電機係統等。

與傳統的標準塑料封裝器件相比，IR 的車用 DirectFET®2 器件可以實現整個係統級尺寸和更低的成本

，以及超高的性能和效率。AUIRF7738L2 和 AUIRF7737L2 DirectFET®2 器件的電路板尺寸比 D2Pak 封裝小 60%，具有非常低的導通電阻(RDS(on))
，而AUIRF7736M2 的電路板尺寸與 5x6 mm PQFN 封裝或者具有2.5mΩ 低導通電阻的 SO-8 封裝相同，因而適用於需要更低成本和功率的應用。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“拓展後的 DirectFET®2 係列采用了 IR 先進的溝道矽工藝，以及堅固可靠的可擴展功率封裝，為汽車係統設計師提供了經過驗證的卓越功率密度
、雙麵冷卻和低寄生封裝電感和電阻優勢。”

AUIRF7737L2 和 AUIRF7738L2 與 IR 之前推出的 AUIRF7739L2 共用一個大罐電路板，使這些器件成為可擴展係統設計的理想元件。AUIRF7737L2 和 AUIRF7738L2 的封裝電流額定值為 315A，所以 DirectFET® 封裝沒有限製矽電流能力。而且，這兩種器件的最大封裝電流額定值遠遠超過了傳統的 DPak 和 D2Pak 封裝。

新器件符合 AEC-Q101 標準，是在IR要求零缺陷的汽車質量理念下研製而成的，所采用的環保材料既不含鉛
，也符合電子產品有害物質管製規定 (RoHS) 。