過去幾年，使用電池供電的無繩工具和室外電力設備迅猛發展。推動這種趨勢的關鍵因素之一是使用壽命持久的 10 芯 36 V 鋰(li)離(li)子(zi)電(dian)池(chi)組(zu)的(de)問(wen)世(shi)。這(zhe)些(xie)電(dian)池(chi)具(ju)有(you)高(gao)能(neng)量(liang)密(mi)度(du)，非(fei)常(chang)適(shi)合(he)專(zhuan)業(ye)工(gong)具(ju)，也(ye)適(shi)合(he)傳(chuan)統(tong)有(you)繩(sheng)設(she)備(bei)，甚(shen)至(zhi)是(shi)發(fa)動(dong)機(ji)驅(qu)動(dong)的(de)室(shi)外(wai)電(dian)力(li)設(she)備(bei)，例(li)如(ru)電(dian)鋸(ju)和(he)割(ge)草(cao)機(ji)。但(dan)是(shi)
，由(you)於(yu)能(neng)量(liang)密(mi)度(du)升(sheng)高(gao)，它(ta)們(men)更(geng)加(jia)需(xu)要(yao)高(gao)效(xiao)的(de)電(dian)池(chi)隔(ge)離(li)。

 

為了確保任何大量放電都以受控的方式進行，直至電池安全隔離和係統關閉電源，我們需要非常穩定的高熱效率 MOSFET。按照標準 MOSFET 電壓額定值
，對於 36 V 電池，設計人員會使用 60 V MOSFET。但是，對於 36 V 的標稱額定值，使用 50 V 或 55 V 的 MOSFET 比較理想。減小 MOSFET 電壓額定值

，可為優化 SOA

、ID 額定值和雪崩能力提供機會
，從而提高整體安全性和效率。

 

維持安全工作區至關重要

 

出現故障的情況下，當故障導致深度放電時，由於在高電流下電路電感兩端產生的電壓，電池隔離 MOSFET 通常會進入線性模式。因此，維持穩定的安全工作區至關重要。Nexperia的 MOSFET 技術提供了出色的安全工作區功能，利用 50/55 V ASFET，我們優化了 1 ms 至 10 ms的放電性能。例如
，這意味著，PSMN1R5-50YLH 能夠在 40 V 電壓下處理高達 5 A 的放電，持續 1 ms。

 

優化雪崩能力

 

電池隔離 MOSFET 通常放置在遠離負載的位置
，可能遭受非鉗位電感尖峰（UIS）。通過優化VDS電壓（50 V）
，使其更接近電池電壓（36 V）
，可幫助將耗散電能減少至少 20%（與 60 VDS 器件相比）
，並且可以避免潛在的故障。鑒於典型應用經常在惡劣環境下運行，雪崩事件可能很常見。Nexperia（安世半導體）的 PSMN1R5-50YLH 具有 2000 mJ（在 25 A 電流下）的單相雪崩額定值（EAS），能夠反複耐受此類事件。

 

擴展已經成熟的產品組合

 

隨著這些專用 50/55 V ASFET 的發布，Nexperia 成為率先專門針對 36 V 電池係統提供 50 V 額定值 MOSFET 的公司之一。該產品在 SOA、ID 額(e)定(ding)值(zhi)和(he)雪(xue)崩(beng)能(neng)力(li)方(fang)麵(mian)進(jin)行(xing)了(le)優(you)化(hua)
，同(tong)時(shi)保(bao)持(chi)良(liang)好(hao)的(de)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu)
，為(wei)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)提(ti)供(gong)了(le)非(fei)常(chang)穩(wen)定(ding)的(de)電(dian)池(chi)隔(ge)離(li)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)。它(ta)提(ti)供(gong)業(ye)界(jie)領(ling)先(xian)的(de)性(xing)能(neng)，直(zhi)流(liu)電(dian)池(chi)額(e)定(ding)值(zhi)為(wei) 200 A
，計算的矽限製為 312 A，外形尺寸為 5*6 mm，並基於 Nexperia 的成熟電池隔離 ASFET 產品組合構建。

 

 

 

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