【導讀】與係統模擬輸入和輸出節點交互作用的外置高壓瞬變可能破壞係統中未采用充分保護措施的集成電路(IC)。現代IC的模擬輸入和輸出引腳通常采用了高壓靜電放電(ESD)瞬變保護措施。人體模型(HBM)、機器模型(MM)和充電器件模型(CDM)是用來測量器件承受ESD事件的能力的器件級標準。這些測試旨在確保器件能承受器件製造和PCB裝配流程中的靜電壓力
，通常在受控環境中實施。

與係統模擬輸入和輸出節點交互作用的外置高壓瞬變可能破壞係統中未采用充分保護措施的集成電路(IC)。現代IC的模擬輸入和輸出引腳通常采用了高壓靜電放電(ESD)瞬變保護措施。人體模型(HBM)
、機器模型(MM)和充電器件模型(CDM)是用來測量器件承受ESD事件的能力的器件級標準。這些測試旨在確保器件能承受器件製造和PCB裝配流程中的靜電壓力，通常在受控環境中實施。

工作於惡劣電磁環境中的係統在輸入或輸出節點上需要承受高壓瞬變——並且在從器件級標準轉向係統級標準以實現高壓瞬變魯棒性時
，傳輸到IC引腳的能量水平存在顯著差異。因此，直接與這些係統輸入/輸出節點連接的IC也必須采用充分的保護措施
，以承受係統級高壓瞬變。如果在係統設計中未能及早考慮這種保護機製，結果可能導致係統保護不足、產品發布推遲、係統性能下降等問題。本文旨在描述如何保護敏感的模擬輸入和輸出節點，使其免受這些IEC標準瞬變的影響。

IEC 61000

IEC 61000是有關EMC魯棒性的係統級標準。該標準中涉及高壓瞬變的三個部分為IEC 61000-4-2
、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5。這些是針對靜電放電(ESD)、電快速瞬變(EFT)和浪湧的係統級標準。這些標準定義了在施加這些瞬變影響的情況下用於評估電子電氣設備抗擾度的波形
、測試方法和測試級別。

IEC 61000-4-2測試的主要目的是確定係統在運行過程中對係統外部的ESD事件的免疫能力——例如，如果係統輸入/輸出接觸到帶電人體、電纜
、工具時。IEC 61000-4-2規定要使用兩種耦合方法測試：接觸放電和氣隙放電。

IEC 61000-4-4 EFT測ce試shi涉she及ji將jiang快kuai速su的de瞬shun變bian脈mai衝chong群qun耦ou合he到dao信xin號hao線xian上shang
，以yi表biao征zheng與yu外wai部bu開kai關guan電dian路lu關guan聯lian的de瞬shun變bian幹gan擾rao，這zhe類lei電dian路lu能neng夠gou以yi容rong性xing方fang式shi耦ou合he至zhi信xin號hao線xian。這zhe種zhong測ce試shi反fan映ying了le開kai關guan觸chu點dian抖dou動dong，或huo者zhe因yin為wei感gan性xing或huo容rong性xing負fu載zai切qie換huan而er產chan生sheng的de瞬shun變bian，而er所suo有you這zhe些xie在zai工gong業ye環huan境jing中zhong都dou很hen常chang見jian。

浪湧瞬變通常由開關操作造成的過壓情況或雷擊造成。開關瞬變的起因可能是電力係統切換、配電係統中的負載變化或各種係統故障（例如安裝時與接地係統形成短路和電弧故障）。雷電瞬變的原因可以是附近的雷擊將高電流和電壓注入電路中。

瞬變電壓抑製器

TVS的基本參數：

瞬變電壓抑製器(TVS)可以用於抑製電壓浪湧。用於箝位高壓瞬 變，使大電流繞過敏感電路。TVS的基本參數為：

模擬輸入保護電路

為了全麵保護係統輸入/輸出節點，必須對係統進行直流過壓和高壓瞬變保護。在係統輸入節點用一個魯棒的精密型過壓保護(OVP)開關

，加上TVS，可以保護靈敏的下遊電路（例如
，模數轉換器或放大器輸入/輸出），因為這樣可以阻斷過壓、抑製未被TVS分流到地的剩餘電流。

圖2顯示了一個典型過壓保護開關的功能框圖；注意，該開關的ESD保護二極管未以其輸入節點上的電源電壓為基準。相反，它有一個ESD保(bao)護(hu)單(dan)元(yuan)，在(zai)超(chao)過(guo)器(qi)件(jian)最(zui)大(da)承(cheng)受(shou)電(dian)壓(ya)時(shi)激(ji)活(huo)，使(shi)器(qi)件(jian)能(neng)承(cheng)受(shou)並(bing)阻(zu)斷(duan)超(chao)過(guo)其(qi)電(dian)源(yuan)電(dian)壓(ya)的(de)電(dian)壓(ya)。由(you)於(yu)模(mo)擬(ni)係(xi)統(tong)通(tong)常(chang)隻(zhi)要(yao)求(qiu)開(kai)關(guan)的(de)外(wai)向(xiang)引(yin)腳(jiao)采(cai)用(yong)IEC保護，所以，ESD保護二極管依然保留在內向引腳上（標誌為開關輸出端或漏極端）。這些二極管能帶來額外的好處，因為它們起到輔助保護器件的作用。在持續時間較短
、上升時間快的高壓瞬變（如ESD或EFT）過程中
，由於瞬變電壓會被箝位，所以電壓不會到達下遊電路。在持續時間較長、上升時間慢的高壓瞬變（如浪湧）過程中，在開關過壓保護功能被激活
、開關斷開、使故障完全與下遊電路分離之前，內部保護二極管會箝位開關的輸出電壓。

圖3顯示了一個與外部接口的係統輸入端的工作區域。最左邊的區域（綠色）表示正常工作區間，輸入電壓位於電源電壓範圍以內。左起第二個區域（藍色）表示輸入端可能存在持續直流或長時間交流過壓的範圍，原因是斷電、接線錯誤或短路。另外
，圖中最右側（紫色）是過壓開關內部ESD保護二極管的觸發電壓。選擇的TVS擊穿電壓（橙色）必須小於過壓保護開關的最大承受電壓並且大於任何已知的可能持續直流或長時間交流過壓，以免無意中觸發TVS。

圖4中的保護電路可以承受最高8 kV IEC ESD（接觸放電）、16 kV IEC ESD（空氣放電）、4 kV EFT和4 kV浪湧。ADG5412F（來自ADI公司的±55 V過壓保護和檢測、四通道單刀雙擲開關）可以承受ESD、EFT和浪湧瞬變導致的過壓，過壓保護電路與漏極上的保護二極管共同保護和隔離下遊電路。表1展示的是ADG5412F在TVS擊穿電壓與電阻的各種組合下可以承受的高壓瞬變電平。

圖4也展示了高壓瞬變事件過程中的各種電流路徑。大部分電流通過TVS器件分流到地（路徑I1）。路徑I2展示的是通過ADG5412F輸出節點上的內部ESD消耗的電流，同時，輸出電壓被箝位於比電源電壓高0.7 V的水平。最後，路徑I3中的電流是下遊器件必須承受的剩餘電流水平。有關該保護電路的更多詳情，請參閱ADI公司應用筆記AN-1436。

圖6和圖7所示為在8 kV接觸放電和16 kV空氣放電IEC ESD事件在圖5所示測試電路上的測試結果。如前所述，在TVS器件將電壓箝位至54 V左右之前，源引腳上有一個初始過壓。在此過壓過程中
，開關漏極上的電壓被箝位於比電源電壓高0.7 V的水平。漏極電流測量結果展示的是流入下遊器件二極管中的電流。脈衝峰值電流約為680 mA，電流持續時間約為60 ns。相比之下，1 kV HBM ESD電擊的峰值電流為660 mA，持續時間為500 ns。我們因此可以得出結論認為，在采用這種保護電路的條件下
，HBM ESD額定值為1 kV的下遊器件應該能承受8 kV接觸放電和16 kV空氣放電IEC ESD事件。

EFT 保護

圖8是在4 kV EFT事件的一個脈衝的測量結果。與ESD瞬變過程中發生的情況類似，在TVS器件將電壓箝位至54 V左右之前，源引腳上有一個初始過壓。在此過壓過程中，開關漏極上的電壓再次被箝位於比電源電壓高0.7 V的水平。在這種情況下
，流入下遊器件中的脈衝峰值電流僅為420 mA
，電流持續時間僅約為90 ns。同樣與HBM ESD事件相比，750 kV HBM ESD的電壓的峰值電流為500 mA
，持續時間為500 ns。因此，在4 kV EFT事件期間
，能量被傳輸至下遊器件的引腳上
，該能量少於750 kV HBM ESD事件下的能量。

圖9中是將4 kV浪湧瞬變施加到保護電路輸入節點上時的測量結果。如前所述
，源電壓可能增大並超過TVS擊穿電壓

，一直達到最大箝位電壓。該電路中的過壓保護開關的反應時間約為500 ns，並且在這前500 ns的時間內，器件漏極上的電壓被箝位於比電源電壓高0.7 V的水平。在此期間以及約500 ns後，流至下遊器件的峰值電流僅為608 mA，開關關閉並使下遊電路與故障隔離。同樣
，這裏的能量少於1 kV HBM ESD事件期間傳輸的能量。

本文描述了如何依據IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5標準的規定，對集成電路模擬輸入和輸出進行高壓瞬變保護。

本文說明了如何設計係統輸入輸出保護電路
，同時為用戶帶來如下好處：

文章來源：亞德諾半導體

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