【導讀】充電電流表明電流通過一個理想的電容器。與充電電流相比，吸收電流有一個延遲過程，並且在低頻範圍內伴隨有介電損耗、造成高介電常數電容器（鐵電性電容器）極性相反並在陶瓷與金屬電極界麵上發生肖特基障壘。

因為電容器的電極之間是絕緣的，所以理論上電阻值是無窮大的。

然而，實際的電容器存在有限的電阻值
，因為在絕緣電極之間有少量電流流動。

該電阻值稱為“絕緣電阻”
，單位用電阻［MΩ］或CR積［Ω･F］

、［MΩ･μF］表示。

絕緣電阻行為

當直流電壓直接施加在電容器後，突入電流（也稱充電電流）的流量如下圖1所示。隨著電容器逐漸被充電，電流呈指數降低。

電流I(t)隨時間的增加而分為三類（如方程（1）所示）
，即充電電流Ic(t)、吸收電流Ia(t)和漏電電流Ir。

I(t) = Ic(t) + Ia(t) + Ir　……方程（1）

充電電流表明電流通過一個理想的電容器。與充電電流相比
，吸收電流有一個延遲過程，並且在低頻範圍內伴隨有介電損耗、造成高介電常數電容器（鐵電性電容器）極性相反並在陶瓷與金屬電極界麵上發生肖特基障壘。

漏電電流是在吸收電流的影響降低後，在一定階段出現的常數電流。

yinci，xiashudianliuzhisuishijiazaidianrongqishangdeshijiandianyaliangerbianhua。zheyiweizhe，zhiyouzaizhidingdianyayongtuxiadedingshiceliangcainengquedingdianrongqidejueyuandianzuzhi。

獨石陶瓷電容器的絕緣電阻表示當在電容器端子之間施加直流電壓（無紋波）時，在設定時間（比如60秒）之後施加電壓和漏電流之間的比率。

此外，充電電流、吸收電流
、漏電電流無法明確區分。

絕緣電阻值的規定及單位

如上所述，絕緣電阻的單位表示為電阻［MΩ］或CR乘積［MΩ･F］。

CR乘積［MΩ･F］是標稱電容和絕緣電阻的乘積。

根據產品編號，單位不同，請在各產品編號的詳細規格表上確認。

CR產品絕緣電阻［MΩ］的計算方法［MΩ･F］

例如：CR產品為500Ω･F或更高，電容為1μF時

-> 500ΩF/1μF＝500MΩ以上

電容值越高
，其絕緣電阻值越低。

其原因解釋如下：考慮到獨石陶瓷電容器可以看作是一個導體
，根據施加在其上的電壓和電流
，利用歐姆定律可以計算出絕緣電阻。

絕緣電阻值R可以用方程（2）表示
，導體的長度為L
，導體的橫截麵麵積為S
，電阻率為ρ。

R = ρ･L/S　……方程（2）

同樣，電容量C可以用方程（3）表示，獨石陶瓷電容器兩個電極之間的距離（電介質厚度）用L表示，內部電極的麵積用S表示，介電常數為ε。

C ∝ ε･S/L　……方程（3）

方程（4）由方程（2）和方程（3）得出，由方程（4）可知R與C成反比。

R ∝ ρ･ε/C　……方程（4）

絕緣電阻越大表明直流電壓下的漏電電流越小。一般情況下，絕緣電阻值越大
，電路的準確性越高。

本文轉載自：村田中國

免責聲明：本文為轉載文章
，轉載此文目的在於傳遞更多信息，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片
、文字如涉及作品版權問題
，請聯係小編進行處理。

推薦閱讀：

失配損耗對級聯放大器增益的影響

英特爾基辛格：摩爾定律放緩至三年一個周期 但尚未消亡

ADC噪聲：時鍾輸入如何提供

用於電動汽車充電器應用 PFC 的 SiC 器件

了解 RF 噪聲係數規範