【導讀】功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管
，是一種單極型的電壓控製器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小,開關速度高、無二次擊穿
、安全工作區寬等特點。由於其易於驅動和開關頻率可高達500kHz，特別適於高頻化電力電子裝置
，如應用於DC/DC變換、開關電源
、便攜式電子設備
、航空航天以及汽車等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低
，一般隻適用於小功率電力電子裝置。

功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管
，是一種單極型的電壓控製器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小,開關速度高
、無二次擊穿
、安全工作區寬等特點。由於其易於驅動和開關頻率可高達500kHz

，特別適於高頻化電力電子裝置，如應用於DC/DC變換
、開關電源
、便攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小
，耐壓低
，一般隻適用於小功率電力電子裝置。

電力場效應管的結構和工作原理

電力場效應晶體管種類和結構有許多種
，按導電溝道可分為P溝道和N溝道，同時又有耗盡型和增強型之分。在電力電子裝置中
，主要應用N溝道增強型。

電力場效應晶體管導電機理與小功率絕緣柵MOS管相同，但結構有很大區別。小功率絕緣柵MOS管guan是shi擴kuo散san形xing成cheng的de器qi件jian，導dao電dian溝gou道dao平ping行xing於yu芯xin片pian表biao麵mian
，橫heng向xiang導dao電dian。電dian力li場chang效xiao應ying晶jing體ti管guan大da多duo采cai用yong垂chui直zhi導dao電dian結jie構gou，提ti高gao了le器qi件jian的de耐nai電dian壓ya和he耐nai電dian流liu的de能neng力li。按an垂chui直zhi導dao電dian結jie構gou的de不bu同tong，又you可ke分fen為wei2種：V形槽VVMOSFET和雙擴散VDMOSFET。

電力場效應晶體管采用多單元集成結構
，一個器件由成千上萬個小的MOSFET組成。N溝道增強型雙擴散電力場效應晶體管一個單元的部麵圖，如圖1(a)所示。電氣符號，如圖1(b)所示。

電力場效應晶體管有3個端子：漏極D
、源極S和柵極G。當漏極接電源正

，源極接電源負時
，柵極和源極之間電壓為0，溝道不導電，管子處於截止。如果在柵極和源極之間加一正向電壓UGS，並且使UGS大於或等於管子的開啟電壓UT
，則管子開通，在漏、源極間流過電流ID。UGS超過UT越大
，導電能力越強，漏極電流越大。

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