圖1 IC直接驅動MOS柵極使用這種方法，我們應該注意幾個參數及其影響。首先查看電源IC手冊，了解最大峰值驅動電流
，因為不同的IC芯片具有不同的驅動能力。其次，檢查MOSFET的寄生電容，如圖中的C1、C2和C3
，如果容值較大，導通MOS管所需的能量也比較大。如果電源IC沒有足夠的峰值驅動電流，晶體管將以較慢的速度開啟。如果驅動能力不足，上升沿可能會出現高頻振蕩，即使減小圖1中的Rg也無法解決問題！而IC驅動能力、MOSFET寄生電容、MOSFET開關速度等因素


，也會影響驅動電阻的選擇，所以Rg不能無限減小。

 

2
、圖騰柱電路增強驅動

 

該(gai)驅(qu)動(dong)電(dian)路(lu)的(de)作(zuo)用(yong)是(shi)增(zeng)加(jia)電(dian)流(liu)供(gong)應(ying)能(neng)力(li)，快(kuai)速(su)完(wan)成(cheng)柵(zha)極(ji)電(dian)容(rong)輸(shu)入(ru)的(de)充(chong)電(dian)過(guo)程(cheng)。這(zhe)種(zhong)拓(tuo)撲(pu)增(zeng)加(jia)了(le)開(kai)通(tong)所(suo)需(xu)的(de)時(shi)間(jian)，但(dan)減(jian)少(shao)了(le)關(guan)斷(duan)時(shi)間(jian)，開(kai)關(guan)管(guan)能(neng)夠(gou)快(kuai)速(su)開(kai)通(tong)，避(bi)免(mian)上(shang)升(sheng)沿(yan)的(de)高(gao)頻(pin)振(zhen)蕩(dang)。

 

圖2 圖騰柱電路增強驅動

 

3
、驅動電路加速MOS管的關斷

 

在關斷的瞬間，驅動電路可以提供盡可能低阻抗的通路，使MOSFET的柵極和源極之間的電容快速放電，保證開關管可以快速關斷。為了保證柵源極間電容C2的快速放電，在Rg1上並聯了一個Rg2和一個二極管D1。其中D1通常采用快恢複二極管
，縮短了關斷時間並降低了關斷損耗；Rg2的作用是防止電源IC在關斷時因電流過大而燒壞。

 

 

圖3 加速MOS管關斷電路圖騰柱電路也可以加速關斷
，當電源IC的驅動能力足夠時
，圖2中的電路可以改進為下圖這種形式。

 

 

圖4 改善型加速MOS管關斷電路用三極管釋放GS電容的電是很常見的，如果Q1的發射極沒有電阻，PNP晶體管導通時柵極與源極之間的電容會短路，可以在最短的時間內實現放電
，最大限度地減小關斷時的交叉損耗。圖4，因為三極管的存在
，柵極和源極之間電容電流不會直接通過電源IC放電，提高了電路可靠性。

 

4、變壓器驅動電路加速MOS管的關斷

 

為了滿足驅動高邊MOS管的要求
，如圖5所示，通常使用變壓器驅動器，有時也用於安全隔離。使用R1的目的是抑製PCB板上的寄生電感與C1形成LC振蕩
，其設計目的是隔離直流，通過交流

，同時防止磁芯飽和。

 

圖5 高邊MOSFET驅動電路

 

（來源：星球號，作者：liuxiaofei126 ）