由於獲得了在 25°C時典型飽和壓降 (VCE(sat)) 為1.05 V的傲人成績，此類新型 IGBT成功地將效率水平提升到一個新的高度 —— 用 L5 係列代替它的前輩 TRENCHSTOP IGBT

，使效率在NPC1拓撲中提升高達 0.1％，在 NPC 2 拓撲中提升 0.3％。再加上VCE(sat)的溫度係數為正，保持高效率的同時還能直接並聯——樹立了20kHz 以下頻率的IGBT的行業標杆。鑄造新 L5係列靈魂的 TRENCHSTOP5技術
，不但能提供無與倫比的低傳導損耗
，還能將25℃時的總開關損耗降至1.6 mJ。新 L5 係列基於 TRENCHSTOP™5 薄晶片技術，使本來就很低的導通損耗因為載流子結構的優化得到了進一步降低。

 

綜上所述，在低開關頻率應用場合使用英飛淩新推出的低飽和壓降 IGBT 能提升效率，增加可靠性並且縮小係統的尺寸。

 

第一波麵世的新L5 IGBT係列采用業界標準的TO-2473針封裝技術。此外，為了滿足需要進一步增強效率的應用場合，英飛淩還提供 TO-247 4針開爾文-發射極封裝版（Kelvin-Emitter package）的 L5 IGBT。與標準的 TO-247 3針封裝版相比，TO-247 4針封裝版的開關損耗減少了 20％。因此，L5與TO-247 4zhenfengzhuangdejiehe，budanchuangzaolezhongjibandichuandaonenghaohedikaiguansunhaochengji，haibangzhuyingfeilinggonggulezaiweigaogonglvshichangtigonggaoduchuangxinbingqieyuzhongbutongdechanpinfangmiandelingxiandiwei。

 

新型低飽和壓降L5係列有30A和75A兩種規格，一種是單IGBT形式，另一種則合裝有英飛淩的超快Rapid 1和Rapid 2矽二極管。TO-247 4針開爾文-發射極封裝版有75A規格。