法則之一：用N溝道or P溝道

選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中
，當一個MOS管接地，而負載連接到幹線電壓上時，該MOS管就構 成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOS管，這是出於對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOS管連接到總線及負載接地時，就要用高壓側開 關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOS管，這也是出於對電壓驅動的考慮。

確定所需的額定電壓，或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大，器件 的成本就越高。根據實踐經驗
，額定電壓應當大於幹線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護
，使MOS管不會失效。就選擇MOS管而言，必須確定漏極至源 極間可能承受的最大電壓
，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。我們須在整個工作溫度範圍內測試電壓的變化範圍。額定 電壓必須有足夠的餘量覆蓋這個變化範圍

，確保電路不會失效。需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備（如電機或變壓器）誘發的電壓瞬變。不同應用的額定 電壓也有所不同
；通常，便攜式設備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應用為450～600V。

法則之二：確定MOS管的額定電流

該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，確保所選的MOS管能承受這個額定電流
，即使在係統產生 尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈衝尖峰。在連續導通模式下，MOS管處於穩態，此時電流連續通過器件。脈衝尖峰是指有大量電湧（或尖峰電 流）流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，隻需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。

選好額定電流後，還必須計算導通損耗。在實際情況下，MOS管並不是理想的器件
，因為在導電過程中會有電能損耗，這稱之為導通損耗。MOS管在“導通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS（ON）所確 定，並隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算，由於導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOS管施 加的電壓VGS越高
，RDS（ON）就會越小
；反之RDS（ON）就會越高。注意RDS（ON）電阻會隨著電流輕微上升。關於RDS（ON）電阻的各種電 氣參數變化可在製造商提供的技術資料表中查到。

法則之三：選擇MOS管的下一步是係統的散熱要求

xukaolvliangzhongbutongdeqingkuang，jizuihuaiqingkuanghezhenshiqingkuang。jianyicaiyongzhenduizuihuaiqingkuangdejisuanjieguo，yinweizhegejieguotigonggengdadeanquanyuliang
，nengquebaoxitongbuhuishixiao。zaiMOS管的資料表上還有一些需要注意的測量數據

；器件的結溫等於最大環境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積（結溫=最大環境溫度+［熱阻×功率耗散］）。根據這個式子可解出係統的最大功率耗散
，即按定義相等於I2×RDS（ON）。我們已將要通過器件的最大電流，可以計算出不同溫度下的RDS（ON）。另外，還要做好電路板 及其MOS管的散熱。

雪xue崩beng擊ji穿chuan是shi指zhi半ban導dao體ti器qi件jian上shang的de反fan向xiang電dian壓ya超chao過guo最zui大da值zhi
，並bing形xing成cheng強qiang電dian場chang使shi器qi件jian內nei電dian流liu增zeng加jia。晶jing片pian尺chi寸cun的de增zeng加jia會hui提ti高gao抗kang雪xue崩beng能neng力li，最zui終zhong提ti高gao器qi件jian的de穩wen健jian性xing。因yin此ci選xuan擇ze更geng大da的de封feng裝zhuang件jian可ke以yi有you效xiao防fang止zhi雪xue崩beng。

法則之四：選擇MOS管的最後一步是決定MOS管的開關性能

影響開關性能的參數有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗，因為在每次開關時都要對它們充電。MOS管的開關速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開關過 程中器件的總損耗
，要計算開通過程中的損耗（Eon）和關閉過程中的損耗（Eoff）。MOSFET開關的總功率可用如下方程表達：Psw= （Eon+Eoff）×開關頻率。而柵極電荷（Qgd）對開關性能的影響最大。

【相關閱讀】

開關電源上MOS管的選擇方法
如何解決MOS管發熱問題
淺析MOS管擊穿的原因及解決方案