過去幾年，使用電池供電的無繩工具和室外電力設備迅猛發展。推動這種趨勢的關鍵因素之一是使用壽命持久的 10 芯 36 V 鋰li離li子zi電dian池chi組zu的de問wen世shi。這zhe些xie電dian池chi具ju有you高gao能neng量liang密mi度du，非fei常chang適shi合he專zhuan業ye工gong具ju，也ye適shi合he傳chuan統tong有you繩sheng設she備bei

，甚shen至zhi是shi發fa動dong機ji驅qu動dong的de室shi外wai電dian力li設she備bei，例li如ru電dian鋸ju和he割ge草cao機ji。但dan是shi，由you於yu能neng量liang密mi度du升sheng高gao
，它ta們men更geng加jia需xu要yao高gao效xiao的de電dian池chi隔ge離li。

 

為了確保任何大量放電都以受控的方式進行
，直至電池安全隔離和係統關閉電源
，我們需要非常穩定的高熱效率 MOSFET。按照標準 MOSFET 電壓額定值
，對於 36 V 電池
，設計人員會使用 60 V MOSFET。但是，對於 36 V 的標稱額定值，使用 50 V 或 55 V 的 MOSFET 比較理想。減小 MOSFET 電壓額定值，可為優化 SOA、ID 額定值和雪崩能力提供機會，從而提高整體安全性和效率。

 

維持安全工作區至關重要

 

出現故障的情況下
，當故障導致深度放電時，由於在高電流下電路電感兩端產生的電壓，電池隔離 MOSFET 通常會進入線性模式。因此，維持穩定的安全工作區至關重要。Nexperia的 MOSFET 技術提供了出色的安全工作區功能，利用 50/55 V ASFET，我們優化了 1 ms 至 10 ms的放電性能。例如，這意味著
，PSMN1R5-50YLH 能夠在 40 V 電壓下處理高達 5 A 的放電
，持續 1 ms。

 

優化雪崩能力

 

電池隔離 MOSFET 通常放置在遠離負載的位置
，可能遭受非鉗位電感尖峰（UIS）。通過優化VDS電壓（50 V）
，使其更接近電池電壓（36 V），可幫助將耗散電能減少至少 20%（與 60 VDS 器件相比），並且可以避免潛在的故障。鑒於典型應用經常在惡劣環境下運行，雪崩事件可能很常見。Nexperia（安世半導體）的 PSMN1R5-50YLH 具有 2000 mJ（在 25 A 電流下）的單相雪崩額定值（EAS），能夠反複耐受此類事件。

 

擴展已經成熟的產品組合

 

隨著這些專用 50/55 V ASFET 的發布
，Nexperia 成為率先專門針對 36 V 電池係統提供 50 V 額定值 MOSFET 的公司之一。該產品在 SOA、ID 額(e)定(ding)值(zhi)和(he)雪(xue)崩(beng)能(neng)力(li)方(fang)麵(mian)進(jin)行(xing)了(le)優(you)化(hua)，同(tong)時(shi)保(bao)持(chi)良(liang)好(hao)的(de)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu)
，為(wei)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)提(ti)供(gong)了(le)非(fei)常(chang)穩(wen)定(ding)的(de)電(dian)池(chi)隔(ge)離(li)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)。它(ta)提(ti)供(gong)業(ye)界(jie)領(ling)先(xian)的(de)性(xing)能(neng)，直(zhi)流(liu)電(dian)池(chi)額(e)定(ding)值(zhi)為(wei) 200 A，計算的矽限製為 312 A
，外形尺寸為 5*6 mm，並基於 Nexperia 的成熟電池隔離 ASFET 產品組合構建。

 

 

 

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