【本資料來自第八屆新型節能設計技術研討會】
演講嘉賓：羅姆新材料元件研發中心經理 中村孝
內容介紹：SiC功率器件作為次世代節能型功率器件非常令人期待。羅姆在已經實現SBD、DMOS實際應用的同時，也正在推進新一代Trench MOS的開發。而且，成功地進行了高速、高溫工作的SiC功率模塊的試製。同時，羅姆計劃將在世界範圍內率先推出采用了SiC-MOSFET和SiC二極管的FULL SiC POWER MODULE（全SiC功率模塊）產品。羅姆將挑戰SiC功率器件市場的變革。我們源源不斷穩定地向市場提供大量高品質且高性能的SiC元件，積極致力於打造高能效社會。