圖題：40V N溝道TrenchFET功率MOSFET

通過高密度TrenchFET技術
，器件在10V和4.5V下實現了1.1mΩ和1.3mΩ的超低最大導通電阻，將傳導損耗最小化，並能在更低的溫度下工作。此外，器件的連續漏極電流達200A，幫助工程師設計出更具魯棒性的產品，為關鍵的安全應用提供額外的安全餘量。

今天發布的SQM200N04-1m1L適用於電動轉向助力等高功率車用電機驅動應用。器件采用了專門設計，在生產過程中進行了100%的測試
，可承受100A和500mJ的單個雪崩脈衝。器件具有0.4˚C /W的低熱阻(結至外殼)，工作溫度範圍-55˚C～+175˚C。

SQM200N04-1m1L符合RoHS
，通過100%的Rg和UIS測試。器件豐富和擴展了通過AEC-Q101認證的Vishay TrenchFET功率MOSFET係列。

新款車用功率MOSFET現可提供樣品
，並已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。