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能實現更高的電流密度和係統可靠性的IGBT模塊

隨著全球對可再生能源的日益關注以及對效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產業不斷前行的關鍵。Nexperia（安世半導體）的 IGBT 產品係列優化了開關損耗和導通損耗, 兼顧馬達驅動需求的高溫短路耐受能力，實現更高的電流密度和係統可靠性。

2023-11-12
通過碳化矽(SiC)增強電池儲能係統

電(dian)池(chi)可(ke)以(yi)用(yong)來(lai)儲(chu)存(cun)太(tai)陽(yang)能(neng)和(he)風(feng)能(neng)等(deng)可(ke)再(zai)生(sheng)能(neng)源(yuan)在(zai)高(gao)峰(feng)時(shi)段(duan)產(chan)生(sheng)的(de)能(neng)量(liang)，這(zhe)樣(yang)當(dang)環(huan)境(jing)條(tiao)件(jian)不(bu)太(tai)有(you)利(li)於(yu)發(fa)電(dian)時(shi)，就(jiu)可(ke)以(yi)利(li)用(yong)這(zhe)些(xie)儲(chu)存(cun)的(de)能(neng)量(liang)。本(ben)文(wen)回(hui)顧(gu)了(le)住(zhu)宅(zhai)和(he)商(shang)用(yong)電(dian)池(chi)儲(chu)能(neng)係(xi)統(tong) (BESS) 的拓撲結構，然後介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為矽MOSFET 或IGBT開關的替代方案，改善 BESS 的性能。

2023-11-10
用於離線電源的開關 IC

本應用筆記適用於使用 LinkSwitch-II 係列器件設計隔離式 AC-DC fanjishidianyuandegongchengshi。tatigonglezhidaoyuanze，shigongchengshinenggoukuaisuxuanzeguanjianzujianbingwanchengheshidebianyaqisheji。weilejianhuarenwu，benyingyongbijizhijieyinyongle PIXls 設計電子表格，它是 PI Expert? 設計軟件套件的一部分。

2023-11-04
PI技術經理Jason Yan：1250V氮化镓開關IC是一個重要的裏程碑

Power Integrations推出具有裏程碑意義的1250V氮化镓開關IC前不久，集邦谘詢發布2022年氮化镓（GaN）主要廠商出貨量排名，數據顯示Power Integrations（PI）以20%的市占率在2022年全球GaN功率半導體市場排名第一。這與PI的GaN發展策略和產品布局不無關係。

2023-11-04
具備高功率因數性能的單級 AC-DC 拓撲結構

在AC-DC SMPSyingyongzhong，tongchanghuizaishurujishiyonggonglvqiaoshizhengliuqi，jiangjiaoliudianyazhuanhuanweidanxiangdezhiliudianya。zaizhezhongtuopujiegouzhong，haihuishiyongdarongliangdianrongqizuoweiwenbolvboqi，laiwendingzongxiandianya，zhehuidaozhigonglvyinshuxingnengjiaocha，bingjiangxiebowuranfankuidaodianwang。weilegaishangonglvyinshuhexiebodianliu，tongchangxuyaoshiyongPFC電路。但額外增加一個功率級意味著會降低係統效率和可靠性。在本文中，我們提出了一種基於單電感結構的單級AC-DC拓撲結構，具備PFC和LLC功能。該拓撲結構保留了傳統LLC諧振轉換器的零電壓開關（ZVS）優勢，同時實現了高功率因數性能。

2023-10-27
電壓模式R－2R DAC的工作原理和特性

首先，我們將簡要回顧一下開爾文分壓器DAC。這種結構很簡單，但它們需要大量的電阻和開關來實現高分辨率DAC。這個問題的一個解決方案是稱為R-2R DAC的DAC結構。這些結構巧妙地利用梯形網絡來實現電阻較少的DAC。

2023-10-25
IGBT／MOSFET 的基本柵極驅動光耦合器設計

本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用於驅動、開啟和關閉功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路中消耗或損失的功率、發送至功率半導體開關(IGBT/MOSFET)的功率以及驅動器IC和功率半導體開關之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅動器）的 IGBT 柵極驅動器設計。

2023-10-25
功率逆變器應用采用寬帶隙半導體器件時，柵極電阻選型注意事項

本文為大家介紹氮化镓 (GaN) 和碳化矽 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢，以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗，開關損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放(fang)大(da)，造(zao)成(cheng)電(dian)路(lu)噪(zao)聲(sheng)。為(wei)了(le)減(jian)少(shao)電(dian)路(lu)噪(zao)聲(sheng)，需(xu)要(yao)認(ren)真(zhen)考(kao)慮(lv)柵(zha)極(ji)電(dian)阻(zu)的(de)選(xuan)擇(ze)，從(cong)而(er)不(bu)必(bi)延(yan)長(chang)死(si)區(qu)時(shi)間(jian)而(er)造(zao)成(cheng)功(gong)率(lv)損(sun)耗(hao)。本(ben)文(wen)介(jie)紹(shao)選(xuan)擇(ze)柵(zha)極(ji)電(dian)阻(zu)時(shi)的(de)考(kao)慮(lv)因(yin)素(su)，如(ru)脈(mai)衝(chong)功(gong)率(lv)、脈衝時間和溫度、穩定性、寄生電感等。同時，將和大家探討不同類型的柵極電阻及其在該應用中的優缺點。

2023-10-22
貿澤聯手Vishay推出全新電子書，探討支持新一代工業4.0的技術和元件

Vishayhemaozeshenrutantaoleweiquanqiugongchangdailaibiangedezidonghualangchao，yijizhezhonglangchaobeihouqidaozhichizuoyongdeguanjianjiejuefangan。bendianzishushoululesipianxiangxidezhuantiwenzhang，jieshaolezhichixinyidaigongyeyingyongdeshuziyuanjian，ciwaihaibaohanyizhangzhanwangweilaigongye5.0的實用信息圖。書中文章的主題包括物聯網 (IoT) 傳感器、電子開關、光學控製麵板和GaN DC-DC轉換器中的電流檢測解決方案。

2023-10-22
給SiC FET設計PCB有哪些注意事項？

SiC FET（即SiC JFET和矽MOSFET的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導體開關推出後，功率轉換產品無疑受益匪淺。此類器件具有超快的開關suduhejiaodidechuandaosunhao，nenggouzaigeleiyingyongzhongtigaoxiaolvhegonglvmidu。raner，yuhuanmandejiujishuxiangbi，gaodianyahedianliubianyuansulvyubanjishengdianronghediangandexianghuzuoyonggengda，kenengchanshengbubiyaodeganyingdianliuhedianya，daozhixiaolvjiangdi，zujianshoudaoyingli，yingxiangkekaoxing。ciwai，youyuxianzaiSiC FET導通電阻通常以毫歐為單位進行測量，因此，PCB跡線電阻可能相當大，須謹慎降低以保持低係統傳導損耗。

2023-10-21
使用單輸出柵極驅動器實現高側或低側驅動

在許多隔離式電源應用中，功率 MOSFET 通常采用某種形式的橋配置，用於優化電源開關和電源變壓器，從而提高效率。這些橋配置創建了高側 (HS) 和低側 (LS) 兩種開關類型。UCC277xx、UCC272xx 和 LM510x 係列等專用 HS 和 LS 柵極驅動器 IC 可在單個 IC 中為 HS 開關管以及 LS 開關管提供輸出。

2023-10-20
碳化矽將推動車載充電技術隨電壓等級的提高而發展

雖然“續航焦慮”一直存在，但混合動力、純電動等各種形式的電動汽車 (EV) 正(zheng)被(bei)越(yue)來(lai)越(yue)多(duo)的(de)人(ren)所(suo)接(jie)受(shou)。汽(qi)車(che)製(zhi)造(zao)商(shang)繼(ji)續(xu)努(nu)力(li)提(ti)高(gao)電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)的(de)行(xing)駛(shi)裏(li)程(cheng)並(bing)縮(suo)短(duan)充(chong)電(dian)時(shi)間(jian)，以(yi)克(ke)服(fu)這(zhe)個(ge)影(ying)響(xiang)采(cai)用(yong)率(lv)的(de)重(zhong)要(yao)障(zhang)礙(ai)。電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)的(de)易(yi)用(yong)性(xing)和(he)便(bian)利(li)性(xing)受(shou)到(dao)充(chong)電(dian)方(fang)式(shi)的(de)顯(xian)著(zhu)影(ying)響(xiang)。由(you)於(yu)高(gao)功(gong)率(lv)充(chong)電(dian)站(zhan)數(shu)量(liang)有(you)限(xian)，相(xiang)當(dang)一(yi)部(bu)分(fen)車(che)主(zhu)仍(reng)然(ran)需(xu)要(yao)依(yi)賴(lai)車(che)載(zai)充(chong)電(dian)器(qi) (OBC) 來為電動汽車充電。為了提高車載充電器的性能，汽車製造商正在探索采用碳化矽 (SiC) 等新技術。這篇技術文章將探討車載充電器的重要性，以及半導體開關技術進步如何推動車載充電器的性能提升到全新水平。

2023-10-18

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