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MOS非理想性對VLSI電路可靠性的影響
在快速 VLSI 電路中，晶體管每秒開關數百萬次。在開關過程中，被稱為“熱載流子”的高能載流子（電子或空穴）很容易注入並捕獲在柵極氧化物中。這種熱載流子注入會導致柵極氧化物中出現雜質，從而改變器件的 I-V 特性。
2023-12-14
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泰克助力汽車測試及質量監控實現效率和創新最大化
對於功率器件工程師而言，最大限度降低開關損耗是一項嚴峻挑戰，尤其對於那些使用碳化矽 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件的工程師更是如此。這種先進材料有望提高效率，但也有其自身的複雜性。測量矽 (Si)、碳化矽 (SiC) 和氮化镓金屬氧化物半導體場效應晶體管 (GaN MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的開關參數，並評估其動態行為的標準方法是雙脈衝測試 (DPT)。
2023-12-05
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麵向汽車應用的智能電子保險絲 提高48 V電氣係統架構安全性
由於在輕型混合動力車輛中集成了48 V電氣係統和48 V標準，因而需要重新評估過流或短路保護，因為在48 V（電源電壓）下，繼電器觸點之間的距離要求大於12 V 電壓下情形，才能熄滅保護繼電器開關時產生的電弧。這會導致延遲關斷和加速觸點磨損。
2023-11-30
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如何優化SiC柵級驅動電路？
對於高壓開關電源應用，碳化矽或 SiC MOSFET 與傳統矽 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控製的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關，同時開關頻率等於或高於低壓矽 MOSFET 的開關頻率。之前的文章中，我們介紹了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天將帶來本係列文章的第二部分SiC柵極驅動電路的關鍵要求和NCP51705 SiC 柵極驅動器的基本功能。
2023-11-29
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消除“間隙”：力敏傳感器如何推動新穎的HMI設計
我們用來與係統或機器交互的控製裝置已經發生了巨大變化；從起初電話機上的旋轉撥號盤、開關，或用於開車門的實體鑰匙，曾經粗陋的設備現已轉變為更為時尚、直觀的用戶界麵，讓我們能夠與機器無縫連接。這篇文章將探討人機界麵（HMI）如何徹底改變我們與技術的交互模式。
2023-11-27
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NPC2三電平拓撲橫管過壓保護開關邏輯
NPC2三電平拓撲因為其效率高，諧波含量低，在光伏逆變器設計中應用非常廣泛。由下圖可以看到，NPC2由四個開關管構成，包含豎管T1/T4，橫管T2/T3。
2023-11-25
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eFuse在汽車域控製器架構中如何提供更智能的保護？
汽(qi)車(che)應(ying)用(yong)的(de)電(dian)氣(qi)化(hua)和(he)自(zi)動(dong)化(hua)趨(qu)勢(shi)推(tui)動(dong)了(le)域(yu)控(kong)製(zhi)器(qi)的(de)興(xing)起(qi)，用(yong)以(yi)減(jian)輕(qing)線(xian)纜(lan)重(zhong)量(liang)並(bing)將(jiang)車(che)輛(liang)架(jia)構(gou)簡(jian)化(hua)為(wei)多(duo)個(ge)局(ju)部(bu)化(hua)的(de)電(dian)源(yuan)中(zhong)心(xin)。設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)可(ke)以(yi)利(li)用(yong)這(zhe)種(zhong)新(xin)興(xing)架(jia)構(gou)，將(jiang)傳(chuan)統(tong)保(bao)險(xian)絲(si)和(he)機(ji)械(xie)繼(ji)電(dian)器(qi)替(ti)換(huan)為(wei)更(geng)緊(jin)湊(cou)的(de)電(dian)子(zi)保(bao)險(xian)絲(si) (eFuse)，以提供更先進的保護功能，包括故障情況下更快速、更準確的響應。eFuse 將保護和開關功能集成到單個小尺寸封裝中。
2023-11-25
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利用IO-Link實現小型高能效工業現場傳感器
wulunguoquhaishixianzai，zaixuduoqingkuangxia，gongyechuanganqidoushishiyongmonixing。qizhongbaohanjianceyuanjian，yijijiangjianceshujuchuanshuzhikongzhiqidemouzhongfangshi。shujucaiyongdanxiangmonifangshijinxingchuanshu。zhihouchuxianleerjinzhichuanganqi，gaichuanganqitigongshuzikai/關信號，包含檢測元件（電感、電容、超聲波、光電等）和半導體開關元件。
2023-11-24
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如何利用電壓輸入到輸出控製自動優化LDO穩壓器的效率
低壓差(LDO)穩壓器是為噪聲敏感設備供電的可靠工具。除了提供直接電源軌外，LDO穩壓器還能對其他電源進行後置調節。來自開關轉換器的噪聲會滲透到許多設計中，通常需要下遊LDO穩壓器來消除噪聲。LDO穩壓器雖然有效，但其功耗可能對係統效率產生負麵影響。專門設計的電壓輸入到輸出控製(VIOC)引腳可通過單一連接降低功耗並提高效率。VIOC引入了對開關轉換器的自動控製，可使係統實現出色效率。本文重點介紹一款超低噪聲LDO穩壓器，其性能優於無VIOC的LDO穩壓器。
2023-11-22
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pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案
假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關頻率下以高增益運行。然而，如果柵極和漏極偏置時序不正確，漏極溝道的高電導率可能會導致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應晶體管(FET)需要負柵極電壓，並且必須小心控製開啟/關斷的時序。文中將介紹並比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。
2023-11-22
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如何賦能新一代寬帶隙半導體？這三類隔離柵極驅動器了解一下~
在電力電子領域，為了最大限度地降低開關損耗，通常希望開關時間短。然而快速開關同時隱藏了高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，必須設計更高性能的開關驅動係統。
2023-11-21
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SiC MOSFET 器件特性知多少？
對於高壓開關電源應用，碳化矽或 SiC MOSFET 與傳統矽 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行並非易事，即使是最好的超結矽 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由於其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用於較低的工作頻率。因此，矽 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控製的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關，同時開關頻率等於或高於低壓矽 MOSFET 的開關頻率。
2023-11-12
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