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低壓電源MOSFET設計
低抗性（RDS（ON））以減少傳導過程中的功率損失，從而提高能源效率。當設備打開時，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對於效率至關重要，因為低RD（ON）意味著在傳導過程中降低電阻損失高開關速度，用於快速切換操作；在DC-DC轉換器和高頻切換電路等應用中至關重要。
2025-02-14
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迎刃而解——華大九天Polas利器應對功率設計挑戰
電源管理集成電路（PMIC）設計涉及電源轉換、電壓調節、電流管理等核心領域。隨著技術節點的演進，功率器件麵臨著更大的電壓差、更高的電流密度以及更為嚴苛的功率/熱耗散要求；金屬互聯層的電阻在整體導通電阻中的占比越來越大；異形大金屬圖層以及功率器件拆分方式對參數提取的準確性造成了影響；封裝對芯片內電氣特性的影響亦愈發顯著。這些因素共同對功率設計在電遷移（EM）、熱性能（Thermal）和導通電阻（RDSon）等可靠性方麵帶來了新的挑戰。此外，如何高效地驅動具有較大有效柵極寬度的PowerMOS，以及如何防止上下管開關切換過程中的穿通漏電現象，也成為功率設計領域的核心難題。
2025-02-13
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無需專用隔離反饋回路的簡潔反激式控製器設計
傳統的隔離型反激式轉換器的架構中，轉換器的功率等級通常可達60W左右，通過調整變壓器的匝數比，借助原邊開關和可以將電源電壓轉換為輸出電壓。有關輸出電壓的信息會通過反饋路徑傳輸到原邊的PWM發生器，以使該輸出電壓盡可能保持穩定。如果輸出電壓太高或太低，則將調整PWM發生器的占空比。
2025-02-12
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使用MSO 5/6內置AWG進行功率半導體器件的雙脈衝測試
SiC器件的快速開關特性包括高頻率，要求測量信號的精度至少達到100MHz或更高帶寬 (BW)，這需要使用額定500MHz或更高頻率的示波器和探頭。在本文中，寬禁帶功率器件供應商Qorvo與Tektronix合作，基於實際的SiC被測器件 (DUT)，描述了實用的解決方案。
2025-01-26
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MOS管在開關電源中的核心作用及其關鍵性能參數對設計的影響
金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET)是現代電子技術中不可或缺的元器件之一，在開關電源設計中扮演著至關重要的角色。開關電源作為現代電力轉換和管理的核心組件，其性能與效率在很大程度上依賴於MOS管的選擇與應用。本文將深入探討MOS管在開關電源中的具體作用，並剖析其關鍵性能參數對電源整體性能的影響。
2025-01-25
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大電流、高性能降壓-升壓穩壓器
許多應用都需要寬輸入和/或(huo)輸(shu)出(chu)電(dian)壓(ya)範(fan)圍(wei)，例(li)如(ru)電(dian)池(chi)供(gong)電(dian)係(xi)統(tong)。在(zai)輸(shu)入(ru)電(dian)壓(ya)可(ke)能(neng)低(di)於(yu)或(huo)高(gao)於(yu)輸(shu)出(chu)電(dian)壓(ya)的(de)情(qing)況(kuang)下(xia)，電(dian)源(yuan)需(xu)要(yao)調(tiao)節(jie)其(qi)輸(shu)出(chu)電(dian)壓(ya)。隻(zhi)要(yao)不(bu)需(xu)要(yao)接(jie)地(di)隔(ge)離(li)，四(si)開關降壓-升壓拓撲結構就能為此類應用提供超高的效率和功率密度。此外，降壓-升壓穩壓器非常靈活，可用作單純的降壓電源或升壓（帶短路保護）電源。
2025-01-20
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PCI Express Gen5：自動化多通道測試
對高速鏈路（如PCI Express®）的全麵表征需要對被測鏈路的發送端（Tx）和接收端（Rx）進行多差分通道的測量。由於需要在不同通道之間進行同軸連接的物理切換，這對於完全自動化的測試環境來說是一個挑戰。引入RF開關矩陣允許多通道測試中的物理連接切換，並實現自動化軟件測試。
2025-01-17
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當過壓持續較長時間時，使用開關浪湧抑製器
在工業電子設備中，過壓保護是確保設備可靠運行的重要環節。本文將探討如何使用開關浪湧抑製器替代傳統的線性浪湧抑製器，以應對長時間的過壓情況。與傳統線性浪湧抑製器不同，開關浪湧抑製器能夠在持續浪湧的情況下保持負載正常運行，而傳統線性浪湧抑製器則需要在電源路徑中的MOSFET散熱超過其處理能力時切斷電流。
2025-01-13
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第13講：超小型全SiC DIPIPM
三菱電機從1997年開始將DIPIPM產品化，廣泛應用於空調、洗衣機、冰箱等白色家用電器，以及通用變頻器、機器人等工業設備。本公司的DIPIPM功率模塊采用壓注模結構，由功率芯片和具有驅動及保護功能的控製IC芯片組成。通過優化功率芯片和控製IC，預先調整了開關速度等特性。搭載驅動電路、保護電路、電平轉換電路的HVIC（High Voltage IC），可通過CPU或微機的輸入信號直接控製，通過單電源化和消除光耦來減小電路板尺寸，並實現高可靠性。另外，內置BSD（Bootstrap Diode），可減少外圍元件數量。因此，DIPIPM使逆變器外圍電路的設計變得更加容易，有助於客戶逆變器電路板的小型化和縮短設計時間。
2025-01-09
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基於SiC的高電壓電池斷開開關的設計注意事項
得益於固態電路保護，直流母線電壓為400V或以上的電氣係統（由單相或三相電網電源或儲能係統（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設計高電壓固態電池斷開開關時，需要考慮幾項基本的設計決策。其中關鍵因素包括半導體技術、器件類型、熱封裝、器件耐用性以及路中斷期間的感應能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導體技術和定義高電壓、高電流電池斷開開關的半導體封裝時的一些設計注意事項，以及表征係統的寄生電感和過流保護限值的重要性。
2025-01-08
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PNP 晶體管：特性和應用
您可能很清楚，現代電氣工程乃至整個現代世界都與晶體管設備有著千絲萬縷的聯係。這些組件既充當開關又充當放大器。盡管場效應晶體管目前在電子領域占據主導地位，但初的晶體管是雙極晶體管，並且很快個雙極結晶體管（BJT）就緊隨其後。
2025-01-07
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原來為矽MOSFET設計的DC－DC控製器能否用來驅動GaNFET?
眾所周知，GaNFET比較難驅動，如果使用原本用於驅動矽(Si) MOSFET的驅動器，可能需要額外增加保護元件。適當選擇正確的驅動電壓和一些小型保護電路，可以為四開關降壓-升壓控製器提供安全、一體化、高頻率GaN驅動。
2025-01-07
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