瑞薩電子低通態電阻功率MOSFET µPA2766T1A
 

新產品的30V電壓通態電阻為0.72mΩ（典型值），較瑞薩電子之前的產品降低了50%，達到業內最低水平。此外，產品的高效性以及小型表麵封裝包（8-針HVSON）等功能可使得在更小規格的封裝內完成高電流控製，從而降低了功耗
、實現了相對大型服務器存儲係統所用電源的微型化。

對於任務關鍵係統，常見的功能是提供冗餘功率輸出，即：通過帶有對服務器存儲係統保持高可靠性的多電源裝置的ORing FET來完成。這些ORing FET被連接到每個電源裝置的功率輸出線上。在正常運行過程中，它們能夠保持接通狀態。但是，如果其中一個電源失效，相應裝置的ORing FET將會切換到斷開狀態，以確保將其與其他電源裝置隔離開，並保證失效電源裝置不會中斷係統電源。

在正常運行過程中，功率輸出線路能夠處理幾十到幾百安培的強大電流。ORing FET必須擁有低通態電阻特性以防止增加傳導損耗或降低電源電壓。

為了滿足這種需要，瑞薩電子在本公司新型低通態電阻工藝的基礎上，研發了一套（三件）MOSFET產品。新型µPA2764T1A
、µPA2765T1A 和 µPA2766T1A能夠滿足上述需要
，能以更小的規格提供行業領先的電源裝置內的低通態電阻。

新型低通態電阻功率MOSFET產品的主要特點

(1) 業內最低的通態電阻
 
新型的µPA2766T1A 可為5 mm × 6 mm 封裝內的30V應用程序提供0.72 mΩ的業內最低通態電阻，通過降低智能領域關鍵應用程序——網(wang)絡(luo)服(fu)務(wu)器(qi)和(he)存(cun)儲(chu)係(xi)統(tong)中(zhong)所(suo)使(shi)用(yong)的(de)電(dian)源(yuan)裝(zhuang)置(zhi)的(de)傳(chuan)導(dao)損(sun)耗(hao)，提(ti)高(gao)了(le)係(xi)統(tong)的(de)總(zong)體(ti)功(gong)率(lv)效(xiao)率(lv)。此(ci)外(wai)
，該(gai)項(xiang)功(gong)能(neng)使(shi)我(wo)們(men)能(neng)夠(gou)抑(yi)製(zhi)隨(sui)大(da)電(dian)流(liu)產(chan)生(sheng)的(de)較(jiao)大(da)壓(ya)降(jiang)。而(er)且(qie)
，即(ji)使(shi)在(zai)電(dian)源(yuan)裝(zhuang)置(zhi)出(chu)現(xian)大(da)幅(fu)度(du)電(dian)流(liu)波(bo)動(dong)的(de)情(qing)況(kuang)下(xia)，也(ye)能(neng)獲(huo)得(de)高(gao)精(jing)度(du)電(dian)源(yuan)電(dian)壓(ya)。

(2)帶小麵積安裝和大電流控製支持功能的8針HVSON封裝

由於金屬板用於將封裝內的FET模具連接到引腳上，所以8針HVSON 封裝可提供低封裝電阻。此項功能，加上FET模具的低通態電阻，使得即使在尺寸為5 mm × 6 mm的緊湊型封裝內，也能實現對高達130 A (ID (DC))大電流的控製。此外，在多個ORing FET以yi並bing聯lian的de形xing式shi連lian接jie到dao每mei個ge電dian源yuan裝zhuang置zhi上shang以yi供gong應ying較jiao大da電dian流liu的de情qing況kuang下xia，產chan品pin的de這zhe一yi特te征zheng通tong過guo實shi現xian最zui少shao數shu量liang的de並bing聯lian連lian接jie
，還hai有you助zhu於yu縮suo小xiao設she備bei尺chi寸cun。

這三種新型MOSFET產品，包括 µPA2766T1A，擁有0.72 mΩ至1.05 mΩ（標準值）detongtaidianzuedingzhi。zheyifanweikeshixiangenghaodechanpinxuanze，congernenggouyizuijiadezhuangtaimanzuyonghuzaiyunxingdianliuhuohuanjingtiaojianfangmiandeyaoqiu。erqie，tahaishidekehunenggoutigongzuijiachanpin
，youzhuyutigaogonglvxiaolv
、降低空間要求。

瑞薩電子計劃進一步加強產品線的拓展
，繼續努力降低通態電阻
、開發更小規格的封裝，以滿足客戶不斷變化的需求。
 
定價與供貨情況

本公司目前可提供新型低通態電阻功率MOSFET產品的樣品。樣品的價格將會有所變動。µPA2764T1A的樣品價格將為1.20美元/單位
，µPA2765T1A為1.00美元/單位，µPA2766T1A為1.80美元/單位。我們計劃在2013年2月開始新產品的批量生產，預計到2013年10月，三種產品的總體產量將會達到5,000,000個單位/月（定價和供貨情況如有變化，恕不另行通知）。

新型低通態電阻功率MOSFET產品的規格