英飛淩擴充GaN技術和產品組合,大幅度縮減電源尺寸和重量
發布時間:2015-03-25 責任編輯:susan
【導讀】2015年3月25日,英飛淩科技宣布擴充矽基氮化镓(GaN)技術和產品組合。英飛淩擁有增強模式和級聯模式GaN平台,專門為了優化要求超高能效的高性能設備。GaN技術可以大幅度縮減電源尺寸以及減輕電源重量,該技術將為GaN產品在終端產品市場的發展創造新的機會。
英飛淩科技電源管理及多元化市場事業部總裁Andreas Urschitz表示:“英飛淩的矽基GaN產品組合,結合公司了所收購美國國際整流器公司的GaN平台,以及我們與鬆下電器的夥伴關係,使其在前景光明的GaN市場上確立了領先的地位。按照我們‘從產品到係統’的策略,現在,我們的客戶可以根據其設備/係統要求,靈活選擇增強模式或級聯模式。與此同時,英飛淩致力於開發表麵貼裝器件(SMD)和IC,以便GaN技術在更為緊湊的空間內進一步充分發揮其優越性能。舉個常見的實例來說,利用我們的GaN技術,當前市場上銷售的便攜式電腦充電器的尺寸和重量,可以被縮小並減輕至目前的四分之一。”
擴充後,英飛淩提供產品將包括專門的驅動器和控製器IC,它們有助於充分發揮GaN在各種拓撲和更高頻率下的優越性。同時,通過收購International Rectifier公司, 更為廣博的專利組合、矽基GaN外延工藝和100V-600V技術等都得到了進一步加強。此外,通過與鬆下電器結成戰略合作夥伴關係,英飛淩與鬆下電器將聯合推出結合了鬆下電器的常閉型(增強模式)矽基GaN晶體管結構與英飛淩的表麵貼裝器件(SMD)封裝的器件,推出易於使用的高能效600V GaN功率器件,這也將帶給客戶雙重貨源便利。
這樣一來,英飛淩為客戶提供了完備的係統知識,以及業界最全麵的GaN技術和產品組合。不僅如此,英飛淩將憑借出類拔萃的生產工藝、量產能力和第二貨源渠道的優勢,為客戶提供采用英飛淩SMD封裝的常閉型GaN功率器件。
相比於矽技術解決方案,矽基GaN技術能夠提高功率密度和能效,同時縮小器件尺寸,因此,非常適用於從諸如電視機電源和D類音頻放大器等消費電子產品,到服務器和電信設備中使用的SMPS。IHS發布的市場研究報告稱,麵向功率半導體的矽基板GaN技術市場,將以高達50%以上的年均複合增長率(CAGR)增長,因此,到2023年,其市場容量將從2014年的1,500萬美元,增至8億美元。
供貨情況
2015年3月15日至19日,在北卡羅來納州夏洛特市舉辦的應用電力電子會議暨展覽會(APEC)上,英飛淩和鬆下電器已展示采用DSO封裝的600V 70mΩ器件樣品。此外,還展出了增強模式和共源共柵配置器件。可在與客戶簽訂保密協議(NDA)的情況下,提供增強模式和級聯結構的器件樣品。全麵上市的中壓級聯結構的GaN器件已向相應的D類音頻係統客戶開放。
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