微芯推出降壓PWM和MOSFET器件,支持高效的DC/DC電源設計
發布時間:2012-11-22 責任編輯:easonxu
【導讀】微芯推出高電壓模擬降壓PWM控製器及其首個功率MOSFET器件係列,可在4.5 - 30VDC的寬範圍內工作,開關頻率為300 kHz,並提供工廠可調節的死區設置,支持高效的DC/DC電源轉換設計,涵蓋了廣泛的消費電子和工業應用。
全球領先的整合單片機、模擬器件和閃存專利解決方案的供應商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布,推出全新電源轉換控製器係列及其首個功率MOSFET器件係列。該全新脈寬調製(PWM)控製器與配套的低品質因數(FOM)MOSFET產品係列組合支持高效的DC/DC電源轉換設計,涵蓋了廣泛的消費電子和工業應用。這兩個全新係列彰顯了Microchip對於其實現更高電壓、更高效率及行業趨向的更小電源轉換係統這一承諾的顯著進步。

圖1:微芯推出高電壓模擬降壓PWM控製器及其首個功率MOSFET器件
MCP19035是一個基於模擬信號的小型PWM控製器產品係列,集成了同步MOSFET驅動器,具有出色的瞬態性能。MCP19035器件可在4.5 - 30VDC的寬範圍內工作,開關頻率為300 kHz,並提供工廠可調節的死區設置,有助於設計人員優化眾多MOSFET器件的性能。在與Microchip的MCP87xxx MOSFET或任何低FOM的MOSFET組合時,MCP19035係列能夠實現高效的(>96%)DC/DC電源轉換解決方案。

圖2: MCP19035原理圖
MCP87xxx係列高速MOSFET具有非常低的FOM,采用業界標準的5×6 mm和3.3×3.3 mm PDFN封裝。新推出的MCP87022、MCP87050和MCP87055器件分別可提供2.2 mΩ、5.0 mΩ和5.5 mΩ的導通電阻。這些全新MOSFET有助於實現高效的電源轉換設計。
Microchip模擬與接口產品部營銷副總裁Bryan J. Liddiard表示:“MCP19035係列PWM控kong製zhi器qi擴kuo大da了le設she計ji工gong程cheng師shi使shi其qi應ying用yong達da到dao電dian源yuan轉zhuan換huan要yao求qiu可ke選xuan擇ze的de範fan圍wei。其qi廣guang泛fan的de工gong作zuo範fan圍wei和he集ji成cheng的de高gao功gong率lv同tong步bu驅qu動dong器qi能neng夠gou支zhi持chi那na些xie需xu要yao一yi個ge基ji於yu模mo擬ni信xin號hao的de快kuai速su控kong製zhi器qi的de高gao效xiao、高功率密度解決方案。這些器件與Microchip首款高速MOSFET產品相結合,可實現效率超過96%的快速、高效電源轉換解決方案。”
MCP87xxx MOSFET係列與Microchip現有的專注於SMPS的PIC單片機及dsPIC33“GS”數字信號控製器產品組合也相輔相成。Microchip的MCP14700同步MOSFET驅動器非常適合驅動高速、低FOM的MOSFET。當由單片機驅動時,兩者可構成一個靈活的高性能電源轉換解決方案。
開發工具支持
適用MCP19035係列的MCP19035 300 kHz評估板(部件編號ADM00434)現可通過Microchip銷售代表和microchipDIRECT訂購。該評估板包含Microchip的全新MOSFET。與MCP87xxx MOSFET係列一同發布的一款基於Excel的損耗計算器及其用戶指南也已麵市。
封裝及供貨
MCP19035和MCP87xxx係列現已提供樣片並投入量產。MCP19035係列采用3×3 mm 10引腳DFN封裝。MCP87022和MCP87050采用5×6 mm 8引腳PDFN封裝,MCP87055采用3.3×3.3 mm 8引腳PDFN封裝。
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