應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體推出新係列的有源擴頻時鍾產生器集成電路(IC)，管理時鍾源的電磁幹擾(EMI)及射頻幹擾(RFI)，為所有依賴於時鍾的信號在係統範圍內降低EMI。

P3P8203A LVCMOS峰值EMI降低時鍾產生器的目標應用為圖形卡、計算及消費等應用。這器件支持3.3 伏(V)輸入電壓，頻率範圍為18 MHz至36 MHz，通(tong)過(guo)外(wai)部(bu)電(dian)阻(zu)模(mo)擬(ni)控(kong)製(zhi)擴(kuo)頻(pin)偏(pian)差(cha)。係(xi)統(tong)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)選(xuan)擇(ze)該(gai)外(wai)部(bu)電(dian)阻(zu)之(zhi)不(bu)同(tong)值(zhi)在(zai)輸(shu)出(chu)提(ti)供(gong)所(suo)想(xiang)要(yao)額(e)度(du)的(de)擴(kuo)頻(pin)偏(pian)差(cha)，便(bian)能(neng)更(geng)靈(ling)活(huo)地(di)定(ding)製(zhi)應(ying)用(yong)

，使(shi)在(zai)其(qi)應(ying)用(yong)中(zhong)取(qu)得(de)達(da)致(zhi)降(jiang)低(di)EMI的要求。P3P8203A采用8引腳
、2 mm x 2mm x 0.8 mm WDFN封裝，非常適合用於印製電路板(PCB)空間受限的應用。工作溫度範圍為0°C至+70°C。

圖題：安森美半導體推出有源擴頻時鍾產生器IC

P3MS650100H和P3MS650103H LVCMOS峰值EMI降低時鍾產生器非常適合用於PCB空間受限的應用
，如手機和平板電腦等便攜電池供電設備
；在這些應用中， EMI/RFI可能是重大挑戰，而遵從EMI/RFIF規範是先決條件。這兩款通用新擴頻型時鍾產生器采用尺寸僅為1 mm x 1.2 mm x 0.8 mm的微型4引腳WDFN封裝，提供業界最小的獨立式有源方案，用於降低時鍾源及源自時鍾源的下行時鍾和數據信號的EMI/RFI。

P3MS650100H和P3MS650103H支持1.8 V至3.3 V的輸入電壓範圍，典型擴頻偏差為0.45%至1.4%，減小15 MHz至60 MHz頻率範圍之時鍾源的EMI/RFI。工作溫度範圍為-20ºC至+85ºC。

安森美半導體工業及時序產品副總裁Ryan Cameron說：“符合EMI規範同時控製成本及盡量減少PCB占位麵積，是便攜及計算應用的重大挑戰。我們新的EMI降低IC解決這些挑戰，提供高性價比的方案，降低時鍾源及源自時鍾源的下行時鍾和數據信號的EMI/RFI。設計工程師在設計周期及早應用這些器件，可無須采用其他方案，也無須加入高成本的額外PCB層或屏蔽來處理EMI/RFI問題。”

封裝及價格

P3P8203A采用8引腳WDFN封裝，每批量10,000片的單價為0.44美元。P3MS650100H及P3MS650103H采用4引腳WDFN封裝，每批量10,000片的單價為0.24美元。