圖題：ST發布可承受950V峰值電壓的MOSFET 

意法半導體是超結MOSFET（super-junction MOSFETs）的主要供應商，現在開始提供目前市場上額定電壓最高的解決方案，同時還是目前僅有的兩家900V超結晶體管供應商之一。此外，該係列產品不久後將增加800V。

超結技術讓世界更環保

在展示SuperMESH 5器件的高能效的同時，意法半導體還公布了首個成功應用超高壓MOSFET的客戶設計的細節。意大利固態照明創新企業TCI在其最新的LED驅動器設計中選用LEDIPAK封裝的950V STU6N95K5做主電源，為設計先進且功能豐富的LED照明燈供電
，使其成為高成本效益的小型LED照明市場的能效標杆。意法半導體功率晶體管產品部市場總監Maurizio Giudice表示：“ 意法半導體最新的SuperMESH 5技術讓TCI創立了市場上最高的能效和安全係數，為客戶提供極具吸引力的價值主張。”

意法半導體新的超結MOSFET的其它主要應用包括平板電視、PC電源、LED照明驅動器和高壓氣體放電燈(HID)電子鎮流器。MOSFET將讓設計人員能夠達到美國能源之星（Energy Star）和歐盟能源相關產品(Energy-related Products，ErP)指令等生態設計標準中日益嚴格的功率上限和能源下限要求。

例如


，最新的能源之星電視機能效規範（5.3版）提出了更嚴格的生態設計規定
，要求50英寸以及以上的平板電視的最大絕對功率為108.0瓦。另一個生態設計標準日益嚴格的例子是，ErP的照明指令提高了2012年至2017年期間製造的各類HID燈的能效下限標準。

意法半導體的新超結MOSFET耐高壓特性可提高係統安全性和可靠性。對於HID燈(deng)鎮(zhen)流(liu)器(qi)和(he)其(qi)它(ta)的(de)以(yi)電(dian)網(wang)或(huo)更(geng)高(gao)電(dian)壓(ya)為(wei)電(dian)源(yuan)的(de)電(dian)力(li)應(ying)用(yong)係(xi)統(tong)，例(li)如(ru)太(tai)陽(yang)能(neng)微(wei)逆(ni)變(bian)器(qi)和(he)電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)充(chong)電(dian)樁(zhuang)，耐(nai)高(gao)壓(ya)是(shi)一(yi)個(ge)重(zhong)要(yao)優(you)點(dian)。為(wei)最(zui)大(da)限(xian)度(du)減(jian)少(shao)電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)的(de)充(chong)電(dian)時(shi)間(jian)和(he)運(yun)行(xing)成(cheng)本(ben)，充(chong)電(dian)樁(zhuang)需(xu)要(yao)極(ji)高(gao)的(de)功(gong)率(lv)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)率(lv)。在(zai)微(wei)型(xing)發(fa)電(dian)機(ji)逆(ni)變(bian)器(qi)內(nei)
，高(gao)能(neng)效(xiao)的(de)MOSFET讓設計人員能夠使用更高的開關頻率
，輸出高質量的交流電能，同時降低能耗和解決方案尺寸。
 
SuperMESH 5 MOSFET的主要特性：

新推出的MOSFET晶體管是首批采用意法半導體的 SuperMESH 5第五代超結技術的產品。新產品包括采用各種封裝的900V STx21N90K5、950V STx20N95K5和950V STx6N95K5。STL23N85K5 850V采用PowerFLAT 8x8 HV高壓表麵貼裝封裝，占位麵積為64mm2, 比工業標準的D2PAK封裝小56%。此外
，這款產品的安裝高度為1mm，比工業標準的D2PAK封裝低77%

，適用於超薄型應用設計。

900V STP21N90K5的靈敏值(Figure of Merit，FOM)反映了該產品接通電源以及導通和關斷時的總體能效，比市場上唯一可比產品低62.5%。如果不使用其它品牌而選用STP21N90K5，設計人員即可大幅提高能效。

新的SuperMESH 5產品已開始提供樣片並接受生產訂單。