中心議題：

• 電池應用中負載開關的演變
• 智慧型MOSFET技術

解決方案：

• 醫療用智慧型MOSFET解決方案

所(suo)有(you)關(guan)於(yu)醫(yi)療(liao)應(ying)用(yong)的(de)產(chan)品(pin)在(zai)要(yao)求(qiu)高(gao)可(ke)靠(kao)性(xing)的(de)同(tong)時(shi)，仍(reng)然(ran)需(xu)要(yao)提(ti)供(gong)終(zhong)端(duan)用(yong)戶(hu)想(xiang)要(yao)的(de)新(xin)技(ji)術(shu)與(yu)功(gong)能(neng)。由(you)於(yu)各(ge)醫(yi)療(liao)設(she)備(bei)公(gong)司(si)及(ji)其(qi)最(zui)終(zhong)應(ying)用(yong)間(jian)的(de)競(jing)爭(zheng)愈(yu)來(lai)愈(yu)激(ji)烈(lie)，功(gong)能(neng)急(ji)劇(ju)增(zeng)加(jia)，但(dan)是(shi)並(bing)未(wei)考(kao)慮(lv)到(dao)另(ling)外(wai)一(yi)個(ge)可(ke)能(neng)帶(dai)來(lai)產(chan)品(pin)失(shi)敗(bai)的(de)因(yin)素(su)。所(suo)有(you)這(zhe)些(xie)因(yin)素(su)都(dou)與(yu)電(dian)源(yuan)有(you)關(guan)
，而(er)且(qie)重(zhong)要(yao)的(de)是(shi)我(wo)們(men)需(xu)要(yao)採(採)用(yong)最(zui)新(xin)的(de)技(ji)術(shu)來(lai)使(shi)風(feng)險(xian)最(zui)小(xiao)化(hua)。

智慧型MOSFET是這些促進技術進步的因素之一，且其普及性一值增加。由於標準P溝道（P-channel）FET的驅動要求簡單
，它常常被用於轉換電源分配節點、連接充電路徑
、連接器熱插拔、zhiliudianliudengdeng。yinweizhexieyuanjianchuyuguanjianlujingzhong，qishixiaohuirangxiayoudeganceqihuochuliqishiquzuoyong
，yinerduikekaodegonglvkaiguanjinxingtouzi
，bianchengweiyimingzhidezuofa。xiangjiaoyudengxiaodeP溝道∕N溝道組合方法
，Intellimax FET整合了P溝道FET和邏輯級驅動器
，以便簡單控製這個已經減少的Rdson FET。為讓可靠性增加，這些元件整合了ESD保護、熱保護、過電流保護、過電壓保護，以及反向電流阻斷。所有這些都為醫療應用帶來了更高的價值和更高的可靠性。

下文將介紹負載開關的技術和其存在於當前電源架構中的塬因。它的應用案例將在實驗室範圍呈現。我們將討論小於6V的應用
，可充電的可攜式醫療應用應該可以從中受益。本文也將討論快捷半導體最新技術進展所實現的全新40V智慧型FET應用
，將提供具有價值的分析結果，展示智慧型FET是如何成為醫療產業中智慧化發展的趨勢。

電池應用中負載開關的演變

從cong電dian池chi被bei導dao入ru到dao電dian子zi產chan品pin中zhong開kai始shi，對dui於yu電dian源yuan隔ge離li的de需xu求qiu就jiu一yi直zhi存cun在zai著zhe。導dao入ru電dian池chi作zuo為wei一yi種zhong行xing動dong電dian源yuan
，意yi味wei著zhe在zai使shi用yong期qi間jian電dian池chi將jiang會hui不bu停ting的de充chong放fang電dian。顯xian然ran地di，設she計ji的de節jie能neng特te性xing會hui直zhi接jie影ying響xiang正zheng常chang使shi用yong和he充chong電dian之zhi間jian的de時shi間jian。在zai最zui近jin這zhe幾ji年nian，電dian池chi技ji術shu並bing沒mei有you出chu現xian任ren何he大da幅fu度du的de改gai進jin，未wei來lai也ye還hai看kan不bu到dao有you任ren何he重zhong要yao的de突tu破po。因yin此ci需xu要yao仰yang賴lai積ji體ti電dian路lu（IC）技術遵守嚴格的功耗規格來延長設備的工作時間。

在我們討論負載開關之前，需要先檢視一下電池技術、電池上的負載、以及負載開關的要求。在固定的充電條件下
，如果所有電流消耗路徑都已知

，要估計電池壽命可以相對簡單的。普遍的情形是並非100mA電流的受控工作週期（controlled duty cycle）感測器單獨影響功耗，而是許多小於1mA且(qie)始(shi)終(zhong)連(lian)接(jie)的(de)漏(lou)電(dian)槽(cao)在(zai)緩(huan)慢(man)地(di)消(xiao)耗(hao)能(neng)量(liang)。必(bi)須(xu)把(ba)這(zhe)些(xie)漏(lou)電(dian)槽(cao)粗(cu)略(lve)地(di)加(jia)到(dao)功(gong)率(lv)公(gong)式(shi)當(dang)中(zhong)，然(ran)而(er)，更(geng)困(kun)難(nan)的(de)是(shi)，當(dang)給(gei)定(ding)的(de)功(gong)能(neng)或(huo)感(gan)測(ce)器(qi)啟(qi)用(yong)時(shi)，會(hui)發(fa)生(sheng)瞬(shun)態(tai)峰(feng)值(zhi)。這(zhe)些(xie)尖(jian)峰(feng)值(zhi)的(de)幅(fu)度(du)和(he)週(週)期(qi)會(hui)受(shou)到(dao)監(jian)測(ce)，用(yong)來(lai)作(zuo)為(wei)能(neng)量(liang)計(ji)算(suan)
，通(tong)常(chang)為(wei)一(yi)次(ci)峰(feng)值(zhi)結(jie)果(guo)與(yu)尖(jian)峰(feng)數(shu)量(liang)相(xiang)乘(cheng)。

在所有常規負載已知後，就可以直截了當地計算工作時間。目前，電池按mAh的標度來計算，而非先前的庫侖，也就是1000mAh的電池在其標稱電池電壓下可以提供一小時1A電流或10小時100mA電流。

電池工作時間（h）=電池額定值（mAh）∕總體電流消耗（mA）

當工作電流被分配在以浪湧電流（例如1500mA）工作100ms，以及以連續電流（例如20mA的LED指示器）工作剩餘的時間時，對於這段時間的平均電流可以進行線性計算。

每小時平均電流＝（1.5A×0.100s∕3600s）＋（0.020A×3599.9s∕3600s）＝20.04mA

用(yong)此(ci)時(shi)域(yu)中(zhong)耗(hao)電(dian)的(de)概(gai)念(nian)來(lai)看(kan)，可(ke)以(yi)快(kuai)速(su)瞭(liao)解(jie)到(dao)負(fu)載(zai)開(kai)關(guan)可(ke)以(yi)用(yong)於(yu)隔(ge)離(li)連(lian)續(xu)，但(dan)較(jiao)小(xiao)的(de)電(dian)流(liu)消(xiao)耗(hao)。短(duan)期(qi)間(jian)的(de)尖(jian)銳(rui)脈(mai)衝(衝)並(bing)非(fei)是(shi)罪(zui)魁(kui)禍(huo)首(shou)，如(ru)果(guo)不(bu)隔(ge)離(li)，數(shu)以(yi)百(bai)計(ji)的(de)uA級電流消耗合計會達到mA的水準。此轉換將帶來軟功率爬升（soft power ramps）的重要性
，尤其是當電源被使用到下遊IC，來減少在脆弱的mAh電池額定值上所不想要有的大電壓尖峰時。

關(guan)於(yu)湧(yong)浪(lang)和(he)穩(wen)定(ding)功(gong)耗(hao)的(de)影(ying)響(xiang)
，我(wo)們(men)可(ke)以(yi)獨(du)立(li)出(chu)來(lai)討(tao)論(lun)。這(zhe)些(xie)對(dui)電(dian)池(chi)的(de)影(ying)響(xiang)會(hui)隨(sui)電(dian)池(chi)化(hua)學(xue)成(cheng)分(fen)和(he)浪(lang)湧(yong)功(gong)耗(hao)間(jian)的(de)時(shi)間(jian)而(er)差(cha)別(bie)很(hen)大(da)。一(yi)個(ge)普(pu)遍(bian)的(de)觀(guan)念(nian)，相(xiang)比(bi)較(jiao)輕(qing)而(er)持(chi)續(xu)的(de)負(fu)載(zai)
，合(he)理(li)比(bi)例(li)的(de)浪(lang)湧(yong)可(ke)以(yi)帶(dai)來(lai)更(geng)長(chang)的(de)電(dian)池(chi)壽(shou)命(ming)。要(yao)瞭(liao)解(jie)這(zhe)方(fang)麵(mian)的(de)具(ju)體(ti)情(qing)形(xing)
，請(qing)洽(qia)詢(xun)電(dian)池(chi)供(gong)應(ying)商(shang)。電(dian)池(chi)組(zu)的(de)電(dian)壓(ya)隨(sui)著(zhe)電(dian)能(neng)消(xiao)耗(hao)而(er)下(xia)降(jiang)也(ye)未(wei)討(tao)論(lun)。在(zai)基(ji)於(yu)純(chun)電(dian)流(liu)的(de)上(shang)述(shu)公(gong)式(shi)裡(裡)
，我(wo)們(men)假(jia)設(she)電(dian)壓(ya)Vbatt是恒定的。而且，這取決於電池所使用的技術。對於鹼性塬電池（不可充電）
，Vmax為1.5V，在大多數情況下，這裡的Vmin假設為0.9V。可充電單節鋰電池Li-ion電池的標稱狀態電壓為3.7V
，然而可以充電至最大4.2V，而且仍然可以降落到2.5至3V的最低電壓Vmin

，這對實際充電具有較大的影響。

理解了實際電流消耗是如何耗盡電池電平，我們現在可以研究不同的方法來隔離下遊耗電。將會用到高側（high side）和低側（low side）開關等這些詞彙。高側意味著開關將處於工作電平（rail）電路中且實際上電流由源極流至負載，通過接地電路返回。低側開關則在負載的對麵且使電流流向接地電路。

將此簡單的開關塬理應用到普通的FET類型上
，圖1顯示了基本的N溝道和P溝道MOSFET對於負載隔離的性能表現，每種都有其優點和缺點。從PN結截麵圖像開始

，我們可以快速說明截麵b有如高側的P溝道。N溝道用來驅動閘極以簡化邏輯輸入控製。塬理圖b的缺點是，假如負載電壓高於電池電壓，能夠給體二極體施加正向偏置。通過在高側使用雙P溝道FET，塬理圖c解決了這個缺點，這是一個用於主電平的非常普通的電池隔離方法。

為什麼N溝道FET無法用於高側開關呢
？N溝道FET的教科書上的特性就是能夠啟動開關並使其處於線性區域，根據資料表（Datasheet）的de閾yu值zhi電dian壓ya，閘zha電dian壓ya必bi須xu超chao過guo漏lou電dian壓ya。因yin為wei在zai電dian池chi應ying用yong中zhong的de主zhu電dian平ping通tong常chang為wei可ke用yong的de最zui高gao電dian平ping，必bi須xu採採用yong自zi舉ju或huo隔ge離li式shi驅qu動dong的de方fang法fa。這zhe會hui帶dai來lai額e外wai的de成cheng本ben，然ran而er，此ciN溝道高側開關方法對於較大電流應用是必須的。視電壓範圍而定，N溝道的Rdson可減少20～50％。除了由於Rdson所引起的損耗外
，較高的電壓，也就是高於200V，使得P溝道FET要麼成本高昂
，要麼完全由於技術限製而無法提供。[page]
智慧型MOSFET技術

對dui於yu大da多duo數shu應ying用yong，傳chuan統tong的de負fu載zai開kai關guan是shi有you效xiao的de
，但dan本ben文wen的de討tao論lun將jiang僅jin專zhuan注zhu於yu醫yi療liao應ying用yong。這zhe些xie設she備bei需xu要yao極ji高gao的de可ke靠kao性xing，並bing且qie在zai大da多duo數shu情qing況kuang下xia是shi不bu可ke重zhong複fu充chong電dian的de，因yin此ci要yao認ren真zhen研yan究jiu功gong耗hao和he隔ge離li。

快捷半導體的Intellimax產品組合能夠滿足智慧型MOSFET的功能性要求。圖2顯示了其標準的內部方塊圖
，雖然基於所需要的特性，它會根據設備而有所不同。此圖以P溝道為基礎，高側電路位於Vin和Vout間。引腳數量已減至最少，以便讓封裝尺寸保持愈小愈好。而涉及到封裝方麵，這些元件可以採用小至1mm×1mm的晶片級封裝（Chip Scale Packaging
，CSP），或者採用廣為使用中的無引線uPak封裝

，也稱為MLP。對於塬型（protype）的需要及空間限製較少的設計而言，也可以使用SC70、SOT23和SO8。 智慧型MOSFET的工作電壓Vin根據它們的製造製程而不同。對於快捷半導體的Intellimax產品線，推薦的工作電壓範圍為從0.8V至5.5V。本文中隨後將探討高壓智慧型FET。請注意輸入電壓和控製電壓間的差異是非常重要的。輸入電壓Vin是用於高側負載開關的實際額定值。在圖2中標記為ON的控製電壓電平，是開啟負載開關所需要的電壓數值。圖3取自Intellimax FPF1039資料表，顯示了開啟整合P溝道FET所需要的實際Von電壓
，因為它與Vin電源電壓有關。

資料表中的規格增加了針對製程、電壓和溫度變化的緩衝，表明Von必須超過1.0V來開啟開關，並且必須低於0.4V來關閉開關。這帶來了非常簡單的驅動電路，可以直接連接至微處理器。此Von規格隨元件而不同且可能不一定會如圖3那樣平坦。不要停留在資料表中顯示靜態閾值電平的那一行；可以參照曲線來瞭解全部詳情。 [page]
如上所述，此邏輯電平Von使功能介麵易於連接至微處理器，但熱關斷和過電流保護（over current protection
，OCP），也能通過Flag引腳而介接良好。此特性並未整合在如FPF1039的最小Intellimax解決方案中
，因而我們轉而採用FPF2303。此雙輸出負載開關能夠驅動1.3A負載，具有先前提到的所有特性，而且還包含Flag特性和反向電流阻斷。Flag是一個漏極開路邏輯電平，能夠直接與處理器上的狀態引腳相連接。反向電流阻斷如傳統負載開關圖中所示，但需要雙MOSFET的方法。快捷半導體的專有方法將此整合到P溝道中
，並且在IC內nei作zuo為wei一yi個ge額e外wai的de功gong能neng而er無wu需xu外wai部bu元yuan件jian。假jia如ru發fa生sheng了le開kai關guan負fu載zai側ce的de電dian勢shi高gao於yu電dian池chi側ce的de狀zhuang況kuang，則ze必bi須xu具ju備bei反fan向xiang電dian流liu阻zu斷duan特te性xing。這zhe會hui發fa生sheng在zai係xi統tong具ju有you多duo個ge初chu始shi電dian壓ya相xiang同tong的de電dian池chi，或huo發fa生sheng在zai電dian壓ya尖jian峰feng期qi間jian。大da體ti積ji電dian容rong器qi也ye有you提ti供gongdelta值的傾向。

對於負載開關，經常被忽視的規格就是ESD額定值，因為過去大多數的MOSFET並未將ESD保護整合在內。最近，ESD保護已被加進離散的P溝道MOSFET，它們在其中隻是作為具有成本效益的負載開關。這以FET閘極上的背對背齊納（back to back zener）二極體箝位的形式出現。這增加了閘極的電容量，使它不太可能成為開關應用（馬達驅動
、電源等等的候選方案
，但在增加2K HBM （Human Body Model，人體放電模式）齊納二極體的情況下
，可使閘極更加牢固。Intellimax甚至更進一步
，在智慧型FET中整合了ESD結構，可以達到雙倍的ESD額定值至4KV HBM。ESD未來還可更進一步的改善。對於醫療應用，ESD是重要的特性，因為線路板在裝配室間常常是無包裝運送的，以完成在塑膠膠殼以及密封外殼中的佈置。對於與ESD相關失效，每個運送點都有潛在風險，尤其是在引腳和連接器從線路板上連接至電池或中間夾層時。

我們應該更進一步鑽研的下一代智慧型FET的特性是當開關關閉時會發生什麼？採用離散P溝gou道dao的de傳chuan統tong負fu載zai開kai關guan可ke以yi完wan全quan關guan閉bi並bing連lian接jie輸shu入ru至zhi輸shu出chu，不bu管guan是shi重zhong負fu載zai還hai是shi大da電dian容rong載zai入ru在zai輸shu出chu腳jiao上shang。如ru果guo這zhe種zhong情qing況kuang發fa生sheng，通tong常chang初chu級ji端duan輸shu入ru電dian平ping會hui顯xian示shi電dian壓ya突tu降jiang，它ta可ke能neng影ying響xiang與yu偏pian置zhi電dian平ping相xiang關guan聯lian的de精jing密mi類lei比bi數shu位wei轉zhuan換huan器qi（ADC）或感測器。在過去，電阻/電容（R/C）網路添加至閘極以降低開啟速度，但這會增加專案的設計時間和規模。Intellimax支援轉換速率控製特性，藉著在輸入端限製浪湧電流
，可使電平中斷最小化。圖4顯示了此方案在實證研究的實驗室測試中的一個例證。注意，左邊為採用傳統P溝道方法對Vin電平的影響，右邊的則是Intellimax器件的影響。
智慧型MOSFET增加可靠性

不bu利li事shi件jian發fa生sheng時shi要yao求qiu從cong輸shu入ru斷duan開kai負fu載zai以yi防fang止zhi更geng進jin一yi步bu的de損sun壞huai
，這zhe是shi解jie決jue可ke靠kao性xing問wen題ti的de主zhu要yao考kao慮lv因yin素su。過guo去qu的de傳chuan統tong負fu載zai開kai關guan非fei常chang簡jian單dan且qie並bing不bu提ti供gong電dian流liu保bao護hu或huo熱re保bao護hu。可ke以yi增zeng加jia電dian流liu保bao護hu
，但dan這zhe將jiang增zeng加jia一yi些xie外wai部bu元yuan件jian並bing要yao求qiu對dui被bei動dong元yuan件jian有you更geng精jing確que的de選xuan擇ze公gong差cha。總zong而er言yan之zhi，被bei動dong方fang式shi能neng夠gou在zai足zu夠gou短duan的de時shi間jian內nei作zuo出chu反fan應ying，以yi防fang止zhi下xia遊you損sun壞huai嗎ma？熱re感gan測ce就jiu是shi在zai類lei似si的de比bi較jiao基ji礎chu上shang應ying用yong的de。

guoliuheguoreguanduanshijiandexijiesuishebeierbutong。suiranmouxieguanduanshijishide
，bingyaoqiudianyuan週qizhongxinlianjiezhifuzai

，qitazhuangkuangzeshizaiquexinwenduhedianliudaxiaoshianquandeqingkuangxia，jingguozhongshimoshibuduandichangshizhongxinjietong。zaizaixijianshiziliaobiaohou，keyizaishebeixuanzeshangxiaochurenhekunhuo。duiyuIntellimax器件的熱關斷，通常大多數IC
，並(bing)不(bu)依(yi)賴(lai)這(zhe)個(ge)特(te)性(xing)作(zuo)為(wei)常(chang)規(gui)作(zuo)法(fa)。也(ye)就(jiu)是(shi)說(shuo)

，在(zai)正(zheng)常(chang)使(shi)用(yong)中(zhong)，如(ru)果(guo)預(yu)期(qi)會(hui)發(fa)生(sheng)熱(re)事(shi)件(jian)，應(ying)該(gai)使(shi)用(yong)單(dan)獨(du)溫(wen)度(du)感(gan)測(ce)這(zhe)一(yi)常(chang)規(gui)做(zuo)法(fa)。依(yi)賴(lai)連(lian)續(xu)的(de)過(guo)熱(re)關(guan)斷(duan)可(ke)能(neng)會(hui)降(jiang)低(di)IC的性能。

如果偵測到會發生過流，可以在IC工gong廠chang內nei預yu設she閾yu值zhi電dian平ping。也ye可ke以yi在zai某mou些xie智zhi慧hui型xing負fu載zai開kai關guan中zhong

，採採用yong電dian阻zu接jie地di的de方fang法fa在zai外wai部bu設she定ding該gai電dian平ping。而er大da多duo數shu都dou具ju有you短duan路lu保bao護hu，最zui新xin增zeng加jia的de方fang法fa是shi，在zai特te定ding的de電dian流liu斷duan開kai方fang麵mian採採用yong顯xian著zhe改gai進jin的de容rong差cha
，範範圍wei從cong100mA到2A。在短短的幾年裡，電流檢測容差已經從30％降至10％的準確度。當選擇閾值電平時
，注意最小和最大規格可以根據製程、電dian壓ya和he溫wen度du而er變bian化hua。電dian流liu的de動dong態tai範範圍wei比bi較jiao大da，因yin而er難nan以yi提ti供gong精jing確que的de和he一yi致zhi的de轉zhuan變bian點dian。當dang接jie近jin檢jian測ce點dian時shi，對dui非fei常chang緩huan慢man的de電dian流liu爬pa升sheng作zuo出chu反fan應ying也ye是shi困kun難nan的de。假jia如ru精jing確que的de電dian流liu感gan測ce和he負fu載zai斷duan開kai是shi很hen重zhong要yao的de，有you可ke能neng對dui輸shu出chu增zeng加jia少shao量liang電dian感gan。這zhe將jiang「緩衝」電流di/dt的變化，允許智慧型FET更準確地感測delta值。電感的大小將直接反映電流轉變的敏感性。在發生過電流事件後
，智慧型MOSFET的de每mei個ge係xi列lie的de反fan應ying不bu同tong。某mou些xie完wan全quan斷duan開kai，其qi它ta的de則ze採採用yong預yu設she步bu驟zhou緩huan降jiang電dian流liu，而er某mou些xie甚shen至zhi在zai最zui安an全quan的de可ke承cheng受shou電dian流liu限xian製zhi上shang提ti供gong一yi個ge固gu定ding電dian壓ya輸shu出chu。請qing在zai選xuan擇ze元yuan件jian時shi密mi切qie注zhu意yi這zhe個ge規gui格ge。

智慧型MOSFET規格比較

在討論了優點之後，當選擇智慧型MOSFET時，什麼是必須嚴密評估的可能缺點或敏感規格
？關鍵在於智慧型FET內的智慧功能。當然
，電源必須被用來感測電流並驅動高側開關。這會寫在資料表的靜態電流規格中，它是在IC內所使用的有效電流，可校驗和驅動負載開關。對於快捷半導體的Intellimax產品線
，此規格最小低於1μA。對於那些尋求最長電池壽命的應用，還必須嚴格比較所列的漏電流。

在比較智慧型FET時，或許在所評估的資料表中最常用的資料與普通離散MOSFET資料表上同樣關注的資料是相同的。高側FET的導通電阻，被稱為Rdson，是用來計算穿過負載開關的損耗的關鍵數字。此Rdson將基於輸入電壓而變化

，因為相同的Vin被用於驅動高側FET，因而把Ron作為用於特定應用的目標資料是實際的。當應用將實際工作於50％時，Vin常常用於計算最低Ron，因而不要在兩個資料表中比較絕對最低的Rdson。基於此一Ron值，如果負載需要的電流是已知的
，可以計算FET兩端的損耗。對於Intellimax，Rdson的範圍可以從20歐姆到200歐姆，取決於特性和封裝尺寸。

另一個有時會被忽視的資料表細節就是高側FET的最大電壓。為了讓Rdson最低，Intellimax產品線限製了輸入電壓至6V。這對於電池供電的應用是完美的
，無論是3.7V可充電電池還是AA電池組。由於手機的廣泛應用
，3.7V單dan節jie鋰li離li子zi電dian池chi組zu在zai可ke攜xie式shi醫yi療liao應ying用yong中zhong正zheng變bian得de非fei常chang普pu遍bian。然ran而er
，醫yi療liao應ying用yong可ke能neng還hai要yao求qiu液ye壓ya泵beng或huo風feng扇shan在zai脫tuo離li核he心xin電dian池chi組zu的de電dian壓ya下xia工gong作zuo。這zhe裡裡最zui普pu通tong的de電dian池chi為wei雙shuang重zhong或huo叁san重zhong堆dui疊die可ke充chong電dian電dian池chi，使shi電dian壓ya達da到dao8V到12V。在過去
，離散MOSFET在這些電壓電平下使用。新的開發成果已使智慧型FET達到更高的電壓。

快捷半導體的AccuPower係列整合式負載開關基於絕對最大40V、推薦的36V的製程

，這是中等電壓應用中很大的技術飛躍。首個IC將採用100歐姆技術，具有Intellimax係列所支援的相同特性
，但也將包括可調節的電流限製和供電良好（Pgood）引腳。因為較長的電壓爬升，負載應該在36V電壓，Pgood功能將提示微處理器輸出端可接受的電平水準。可調節電流限製開啟了醫療應用。AccuPower器件可以用於驅動DC電磁閥
、風扇
、泵等等。即使電池電壓在12V，穿過動態繞組負載的L di/dt電壓尖峰將輕易超過12V擊穿電壓或甚至離散FET的20V擊穿電壓。36V擊穿電壓支援這些採用12V和可能的24V電池電壓的負載類型。現已可供應支援這些電壓水準的FPF2700元件。
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醫療用智慧型MOSFET

在回顧了電池技術以及從傳統負載開關到智慧型FETfuzaikaiguanbianqiandezuixinqingkuanghou，womenkeyikandaoyiliaoyingyongshiruheshouyide，ranersuoganzhidejiazhikenengyousuobutong。kexieshiyiliaoshebeizhongshidianyuanhefuzaideduankai，yiqiyanchangdianchishouming。raner，zhengruwomensuotaolunde，zaikaiguanduankaihoujiujinghuifashengshenmeqingkuangyeshiyiyangzhongyao，shenzhigengweizhongyao。zailangyongdianliuhuoguodianliufashengshi
，dianyuantiaojieweigenggaodianliuyingyongzengtianlelijidekekaoxing。

不管應用為何，負載隔離點的發展趨勢繼續演變
，並且智慧型MOSFET可以協助實現更高的性能和更高的可靠性。如果要保持醫療應用對於競爭對手的優勢，要求快速實施一係列功能。傳統P溝道FET將繼續用於簡單的開關
，但當可靠性和上市時間成為產品設計的關鍵指標時，就不可忽視智慧型MOSFET技術的最新進展。