產品特性：

• 具低導通電阻和快速開關的性能

應用範圍：

• 在軍工、航天和航空應用
• 適用於TTL/CMOS直接邏輯電平接口

Vishay Siliconix推出通過JAN認證的軍用級N溝道功率MOSFET采用密封TO-205AD封裝的軍用級器件具有低導通電阻和快速開關性能

賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 10 月31 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對於軍工、航天和航空應用，這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導通電阻和快速開關的性能。

Vishay Siliconix的工廠位於加州Santa Clara，已被DSCC重新認證，可采用MIL-PRF-19500標準對所生產的MOSFET進行篩選。在用於軍工和重要航空應用的係統中
，MIL-PRF-19500標準樹立了對分立器件的性能、質量和可靠性要求的準繩。

今天推出的器件適用於TTL/CMOS直接邏輯電平接口

，繼電器、螺線管
、燈
、電錘
、顯示器、存儲器和晶體管的驅動，以及電池供電係統和以及固態繼電器。MOSFET的密封TO-205AD封裝可承受軍工和航天應用中更高的溫度。

60V 2N6660JANTX/JANTXV在10V下的典型導通電阻低至1.3Ω
，柵源閾值電壓為1.7V
，開關速度為8ns。90V 2N6661JANTX/JANTXV在10V下的典型導通電阻為3.6Ω，柵源閾值電壓為1.6V，開關速度為6ns。兩款器件均具有低輸入和輸出泄漏

，以及低至35pF的典型輸入電容。

2N6660ANTXV和2N6661ANTXV按照MIL-PRF-19500的各項標準進行了100%的內部視覺(在封蓋前)檢驗。除減少2個步驟(MIL-STD-750標準的視覺檢驗和加工)以降低成本以外，Vishay還對這些產品進行了Group A

、Group B
、Group C和Group E檢測
，以進一步提高產品的可靠性。

通過JAN認證的MOSFET現可提供樣品
，並已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十六周。