新聞事件：

• Vishay的SiR662DP功率MOSFET獲Top-10 DC/DC電源產品獎

日前

，Vishay Intertechnology, Inc.宣布
，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET®功率MOSFET被《今日電子》雜誌評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產品獎的獲獎產品。

《今日電子》的編輯從開創性的設計
、在技術或應用方麵取得顯著進步
、性價比顯著提高三個方麵，對前一年發布的數百款產品進行評選。Vishay的SiR662DP功率MOSFET憑借在DC/DC應用上的創新和成功示範，榮獲該獎項。

《今日電子》Top-10 DC/DC電源產品獎的頒獎儀式在9月8日北京國賓酒店舉行的2011電源技術研討會期間舉行。Vishay公司北京辦公室的銷售經理Alice Wei代表Vishay領取該獎項。

SiR662DP的低導通電阻意味著更低的導通損耗，可降低能耗，尤其是重負載條件下，而低導通電阻與柵極電荷的乘積(優值係數
，FOM)能夠降低高頻和開關應ying用yong中zhong的de開kai關guan損sun耗hao，特te別bie是shi在zai輕qing負fu載zai和he待dai機ji模mo式shi下xia。器qi件jian的de高gao效xiao率lv使shi設she計ji者zhe能neng夠gou提ti高gao係xi統tong的de功gong率lv密mi度du，在zai更geng加jia綠lv色se環huan保bao的de解jie決jue方fang案an中zhong實shi現xian更geng低di的de功gong率lv損sun耗hao。