飛兆半導體推出PowerTrench® MOSFET器件
發布時間:2011-06-06
新品特性:
對於需要提升係統效率並最大限度減少元件數目的高效AC-DC轉換器等應用的設計人員來說,構建一個具備快速開關特性、更高效率和功率密度的現代電源係統是一項非常重要的指標。
為了幫助設計人員應對這一挑戰,全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為100V和150V PowerTrench® MOSFET係列器件增添了工業類型封裝選擇,包括TO-220、D2PAK、TO247、I2PAK、TO220 Full Pack和D2PAK-7L。
上述器件屬於中等電壓範圍功率MOSFET產品係列成員,是結合低柵極電荷(QG)、低反向恢複電荷(Qrr)和軟反向恢複體二極管的優化功率開關產品,可在AC-DC電源中實現同步整流功能的快速開關。
這些器件采用具有電荷平衡功能的屏蔽柵極結構,通過使用這項技術,其品質因數(QG x RDS(ON))較先前之解決方案降低達66%,為包含同步整流、微型太陽能逆變器和離線UPS係統之應用,以及電信功率分配PDU/BFU單元之設計人員提供高效率的解決方案。
新產品采用低反向恢複電荷和軟反向恢複體二極管,可以減少係統中的電壓尖刺或振蕩,省去緩衝器電路,或不需替換額定電壓更高的MOSFET器件,有助於提升效率並降低設計的材料清單成本。
首批采用工業類型封裝的器件有FDP083N15A_F102、FDB082N15A和 FDP036N10A N溝道PowerTrench MOSFET器件。如同PowerTrench MOSFET係列中的所有器件一樣,這些產品具有快速開關特性和低柵極電荷,並采用高性能技術實現了極低的RDS(ON)。此外,該係列器件采用符合RoHS標準的無鹵素和無鉛封裝,能夠滿足環保法規的要求。
新增PowerTrench MOSFET器件豐富了飛兆半導體中等電壓範圍MOSFET產品陣容,作為齊全的PowerTrench MOSFET產品係列的一部分,它能夠滿足現今電子產品的電氣和散熱性能要求,在實現更高能效水平方麵發揮重要的作用。
- 可在AC-DC電源中實現同步整流功能的快速開關
- 采用具有電荷平衡功能的屏蔽柵極結構
- AC-DC電源
對於需要提升係統效率並最大限度減少元件數目的高效AC-DC轉換器等應用的設計人員來說,構建一個具備快速開關特性、更高效率和功率密度的現代電源係統是一項非常重要的指標。
為了幫助設計人員應對這一挑戰,全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為100V和150V PowerTrench® MOSFET係列器件增添了工業類型封裝選擇,包括TO-220、D2PAK、TO247、I2PAK、TO220 Full Pack和D2PAK-7L。
上述器件屬於中等電壓範圍功率MOSFET產品係列成員,是結合低柵極電荷(QG)、低反向恢複電荷(Qrr)和軟反向恢複體二極管的優化功率開關產品,可在AC-DC電源中實現同步整流功能的快速開關。
這些器件采用具有電荷平衡功能的屏蔽柵極結構,通過使用這項技術,其品質因數(QG x RDS(ON))較先前之解決方案降低達66%,為包含同步整流、微型太陽能逆變器和離線UPS係統之應用,以及電信功率分配PDU/BFU單元之設計人員提供高效率的解決方案。
新產品采用低反向恢複電荷和軟反向恢複體二極管,可以減少係統中的電壓尖刺或振蕩,省去緩衝器電路,或不需替換額定電壓更高的MOSFET器件,有助於提升效率並降低設計的材料清單成本。
首批采用工業類型封裝的器件有FDP083N15A_F102、FDB082N15A和 FDP036N10A N溝道PowerTrench MOSFET器件。如同PowerTrench MOSFET係列中的所有器件一樣,這些產品具有快速開關特性和低柵極電荷,並采用高性能技術實現了極低的RDS(ON)。此外,該係列器件采用符合RoHS標準的無鹵素和無鉛封裝,能夠滿足環保法規的要求。
新增PowerTrench MOSFET器件豐富了飛兆半導體中等電壓範圍MOSFET產品陣容,作為齊全的PowerTrench MOSFET產品係列的一部分,它能夠滿足現今電子產品的電氣和散熱性能要求,在實現更高能效水平方麵發揮重要的作用。
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