【導讀】第十一屆中國電子信息博覽會（CITE 2023）將於2023年4月7-9日登陸深圳會展中心（福田），以“創新引領 協同發展”為主題，在80000平方米展示麵積打造全產業鏈科技應用場景
，硬科技同台“飆技”，掀起一場信息產業的新浪潮！屆時，上海功成半導體科技有限公司將在1號館1C033展位亮相。

第十一屆中國電子信息博覽會（CITE 2023）將於2023年4月7-9日登陸深圳會展中心（福田），以“創新引領 協同發展”為主題，在80000平方米展示麵積打造全產業鏈科技應用場景，硬科技同台“飆技”，掀起一場信息產業的新浪潮！屆時

，上海功成半導體科技有限公司將在1號館1C033展位亮相。

上海功成半導體科技有限公司（CoolSemi）成立於2018年5月，總部位於上海，在無錫
、深圳
、成cheng都dou等deng地di設she立li分fen公gong司si。功gong成cheng半ban導dao體ti以yi市shi場chang需xu求qiu為wei導dao向xiang
，技ji術shu創chuang新xin驅qu動dong

，致zhi力li於yu半ban導dao體ti功gong率lv器qi件jian的de研yan發fa與yu產chan業ye化hua，為wei客ke戶hu提ti供gong高gao效xiao可ke靠kao的de產chan品pin。主zhu要yao從cong事shi低di壓ya屏ping蔽bi柵zhaSGT、高壓超結SJ
、溝槽柵場截止型IGBT、SiC SBD
、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模塊IPM、功率IC的設計和研發。

展品1

展品名稱：SJ MOSFET

展品類別：功率器件

展品特點：SJ  MOSFET（Super Junction  MOSFET）超結功率器件采用N型和P型周期排列結型耐壓層
，突破了傳統矽基MOS器件的理論極限

，相對於傳統平麵VDMOS器件Rdson*A-BV的2.5次方關係，SJ  MOSFET的導通電阻與擊穿電壓達到近似線性的關係。因此SJ  MOSFET的導通電阻RDS(on)、柵極容值和輸出電荷以及管芯尺寸同時得到明顯降低，成為高壓開關轉換器領域的高效率典型功率器件。

CoolSemi的高壓SJ  MOSFET，在全球領先的華虹宏力Deep-Trench工藝平台上

，采用專利器件結構及特色工藝

，開發出了覆蓋500V~1000V電壓平台和14mΩ~4000mΩ導通電阻的G1
、G2、G3、G4
、G5係列產品。憑借針對開關速度、反向恢複時間
、開關損耗、EMI兼容性、高可靠性的獨特優化設計，產品不僅在充電樁、工業電源、5G通訊、光伏、新能源車載充電機等工業和車載產品上大量使用，也在TV電源、適配器、PD快充
、LED照明、顯示器等消費領域廣泛應用。

典型應用產品：充電樁
、工業電源、5G通訊
、光伏、新能源車載充電機等工業和車載產品上大量使用，也在TV電源
、適配器、PD快充、LED照明、顯示器等消費領域

展品2

展品名稱：IGBT

展品類別：功率器件

展品特點：IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）絕緣柵雙極晶體管，是在普通VDMOS基礎上，晶圓背麵增加了P+注入
，利用電導調製效應在漂移區增加載流子數量，從而大幅度降低器件的導通電阻和芯片麵積。IGBT器件電流密度高且功耗低，能夠顯著提高能效、降低散熱需求
，適用於高電壓、大電流等大功率場景。

Coolsemi的IGBT采用目前業內最新的trench FS工藝，依托於國內成熟且工藝領先的8寸/12寸晶圓生產線
，擁有更低的導通壓降和開關損耗，以及更強的可靠性。目前功成IGBT產品根據應用場景的不同，擁有F
、S、D、L等係列，覆蓋了600V~1200V以及5A~100A的功率範圍
，廣泛應用於通用逆變器、光伏逆變器

、UPS

、感應加熱設備、大型家電、電焊接、開關電源以及汽車電子等領域。

典型應用產品：通用逆變器
、光伏逆變器、UPS、感應加熱設備
、大型家電、電焊接、開關電源以及汽車電子等領域。

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