產品特性：

• 占位麵積僅1mm x 1mm
• 低開關損耗
• 極低的輸入電容 (典型值45pF)
• 總體柵極電荷(1nC)

應用範圍：

• 升壓轉換器

隨(sui)著(zhe)手(shou)機(ji)市(shi)場(chang)的(de)持(chi)續(xu)發(fa)展(zhan)

，以(yi)及(ji)智(zhi)能(neng)電(dian)話(hua)的(de)使(shi)用(yong)率(lv)和(he)市(shi)場(chang)增(zeng)長(chang)不(bu)斷(duan)上(shang)升(sheng)，設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)麵(mian)臨(lin)著(zhe)在(zai)總(zong)體(ti)設(she)計(ji)中(zhong)增(zeng)加(jia)功(gong)能(neng)性(xing)，但(dan)同(tong)時(shi)需(xu)要(yao)減(jian)小(xiao)外(wai)形(xing)尺(chi)寸(cun)和(he)元(yuan)件(jian)數(shu)目(mu)的(de)挑(tiao)戰(zhan)。為了應對客戶需求和發展趨勢
，飛兆半導體開發出結合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT，占位麵積僅為1mm x 1mm。

FDZ3N513ZT是升壓轉換器中的主要元件，用以驅動串聯白光LED，為智能電話的顯示屏(以及按鍵，如果有鍵盤的話)提供照明。

該解決方案對各種動態特性作出仔細精確的優化，實現很低的開關損耗
，從而使手機應用擁有相當高的轉換效率和更長的電池壽命。

FDZ3N513ZT結合了一個30V 集成式 N溝道MOSFET 和一個肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值45pF) 和總體柵極電荷(1nc)
，以提高升壓轉換器設計的效率。

FDZ3N513ZT采用1mm x 1 mm WL-CSP封裝，相比采用1.6mm x 1.6mm封裝的器件，可節省60%的板上占位空間。

飛兆半導體是移動技術領域的領導廠商

，擁有大量可針對特定要求而定製的模擬與功率IP產品組合。FDZ3N513ZT 是飛兆半導體全麵的先進MOSFET係列的一部分，能夠滿足業界在充電、負載開關、DC-DC和升壓應用方麵對緊湊、薄型的高性能MOSFET的需求。