機遇與挑戰：

• 晶圓處理能力未能大幅提高
• 半導體超滿負荷運轉

市場數據：

• 半導體整體為同比（YoY）減少0.2％
• 環比（QoQ）增長0.6％

日前，國際半導體產能統計（SICAS）2010年第二季度(4～6月)debandaotichannenggongbu。suiranbufenbandaotichangshangyijingkaishilezengchantouzi
，danyinlaoshengchanxianfeiqi，jingyuanchulinengliweinengdafutigao。zaizhezhongqingkuangxia，youyujingyuantouruliangzengjia，bandaotidezhengtikaigonglvdadaolekeyishuoshimanfuhede95％以上。一部分甚至超過了98％，呈 “超滿負荷運轉”狀態。

晶圓處理能力方麵
，半導體整體為同比（YoY）減少0.2％，環比（QoQ）增長0.6％
，MOS IC整體為同比增長0.1％，環比增長0.6％，繼續持平。旨在從0.12～0.06μm生產線向0.06μm以下生產線過渡的細微化投資十分活躍，但是為擴大晶圓處理能力的增產投資卻稍顯遜色：qichongdilelaoshengchanxianfeiqidaozhidejingyuanchulinenglixiajiang。zengchantouzideshishi，congbandaotichangshangdeqiyexingtaikan，zhuyaoshiguidaigongchangshang
，congjingyuanzhijinglaikan，zhuyaomianxiang300mm晶圓進行。而在矽代工廠商之外的垂直整合型半導體廠商（IDM）因進行重組
，廢棄了200mm以下的量產線。

晶圓的實際投入量方麵，除部分特例外，均持續了YoY增20～30％、QoQ增近10％的增長率。其中
，從半導體廠商的企業形態來看，矽代工廠商的增長率比較顯著，而從工藝技術來看，60nm以下工藝的增長率較為顯著。矽代工廠商的投入量為YoY增67.8％，QoQ增10.6％，達到40萬2200 片/周（以200mm晶圓換算


，下同）。60nm以下工藝晶圓的投入量為QoQ增13.0％，達到78萬500片/周。

綜上所述
，半導體整體的量產線開工率為YoY增18.6個百分點，QoQ增2.1個百分點，達到95.6％，MOS IC整體為YoY增17.1個百分點，QoQ增長2.5個百分點
，達到95.7％，均超過了95％。尤其是需求量較大的80nm以下工藝
、300mm晶圓以及矽代工廠商的開工率更是達到了超過98％的“超滿負荷運轉”狀態。