中心議題：

• LED的內量子效率
• 電-光效率簡述及計算

在LED的PN結上施加正向電壓時，PN結會有電流流過。電子和空穴在PN結過渡層中複合會產生光子

，然而並不是每一對電子和空穴都會產生光子，由於LED的PN結作為雜質半導體，存在著材料品質
、位錯因素以及工藝上的種種缺陷，會產生雜質電離、激(ji)發(fa)散(san)射(she)和(he)晶(jing)格(ge)散(san)射(she)等(deng)問(wen)題(ti)
，使(shi)電(dian)子(zi)從(cong)激(ji)發(fa)態(tai)躍(yue)遷(qian)到(dao)基(ji)態(tai)時(shi)與(yu)晶(jing)格(ge)原(yuan)子(zi)或(huo)離(li)子(zi)交(jiao)換(huan)能(neng)量(liang)時(shi)發(fa)生(sheng)無(wu)輻(fu)射(she)躍(yue)遷(qian)

，也(ye)就(jiu)是(shi)不(bu)產(chan)生(sheng)光(guang)子(zi)
，這(zhe)部(bu)分(fen)能(neng)量(liang)不(bu)轉(zhuan)換(huan)成(cheng)光(guang)能(neng)而(er)轉(zhuan)換(huan)成(cheng)熱(re)能(neng)損(sun)耗(hao)在(zai)PN結內，於是就有一個複合載流子轉換效率，並用符號nint表示。
　　
nint=（複合載流子產生的光子數/複合載流子總數）×100%
　　
當然
，很難去計算複合載流子總數和產生的光子總數。一般是通過測量LED輸出的光功率來評價這一效率，這個效率nint就稱為內量子效率。
　　
提高內量子效率要從LED的製造材料、PN結外延生長工藝以及LED發光層的出光方式上加以研究才可能提高LED的nint，這方麵經過科技界的不懈努力，已有顯著提高
，從早期的百分之幾已提高到百分之幾十，有了長足的進步，未來LED發展，還有提高nint的很大空間。
　　
假設LEDPN結中每個複合載流子都能產生一個光子，是不是可以說

，LED的電一光轉換效率就達到100%？回答是否定的。
　　
從半導體理論可以知道，由於不同的材料和外延生長工藝的不同
，所製成的LED的發光波長是不同的。假設這些不同發光波長的LED其內量子效率均達到100%，但由於一個電子N型層運動到PN結有源層和一個空穴從P型層運動到PN結有源層，產生複合載流子所需的能量E與不同波長的LED的能帶位置相關都不一樣。而不同波長的光子的能量E也是不同的

，電能到光能的變換有必然的損耗
，下麵舉例加以說明：
　　
例如一個入D=630nm的GaInAlP四元橙色LED，其正向偏置為VF≈2.2V,於是意味著它的一個電子與一個空穴複合成一個載流子所需的電勢能ER=2.2Ev，而一個入D=630nm的光子的勢能為E=hc/入D≈1240/630≈1.97eV

，於是電能到光能的轉換效率n(e-L)=1.97/2.2×100%≈90%，即有0。0.23eV的能量損失(eV為電子伏)。
　　
如果對一個GaN的藍光470nm的LED
，則VF≈3.4V,於是EB≈3.4EeV,而EB≈1240/470≈2.64eV,於是Nb=2.64/3.4×100%≈78%,這是在假定nint=100%時。若nint=60%,則對於紅色LED，n(e-L)=90%×60%=54%
，而對於藍色LED則有n(e-L)B=78%×60%=47s%。可見，這就是LED的光一電轉換效率不是很高的原因。
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上麵已經了解到LEDPN結有源層的電一光轉換效率不是很高，有相當一部分電能沒有轉換成光能，而是轉換成熱能損耗在PN結內，成為PN結的發熱源。業界正在通過材料、工藝等機理上的努力去提高這一效率。如果施加在LED上的電功率全部變成光子能量
，那麼要問：這些光子能否全部逸出到空氣中“看見”？回答也是否定的。於是就有一個LED光子逸出率的問題存在。可以這樣來表示LED中產生的光子逸出到空氣中的比率。

nout=（逸出到空氣中的光子數/PN結產生的光子總數）×100%
　　
以上公式可以為LED的內量子效率。為方便說明，我們假定LED的材料為GaAs,其材料的折射係數為n1=3.9，與芯片接觸的界麵是空氣，它的光折射係數n0=1,由光傳播理論的光線折射定律可以知道，兩種不同界麵的折射係數不相同時，其垂直於界麵的光的反射函數可用下式來表示：
　　
　　R（L）=［（n1-n0）/（n1+n0）］2×100%
　　
對於GaAs與空氣，則有

，
　　
　　R（L）=［（3.9-1）/（3.9+1）］2×100%=35.02
　　
這就是說，有35.02%的光子將被反射回GaAs材料中
，即反射回芯片內，不能逸出到空氣中，僅有64.98%有可能逸出到空氣中。然而
，LED的發光若是一個點光源時，其邊界全發射臨界的半角θc與界麵兩種材料的折射係數有關，並由以下公式確定：θc=arcsin(ndn1)
　　
對於GaAs和空氣：θc=arcsin（1/3.9）=14.90°
　　
邊界全發射臨界角為29.8°，超過這個角度不能發射到空氣中，顯然這對一個球麵而言，這個角度僅8.27%的區域能全發射，顯然內量子效率是極低的。
　　
當然對LED芯片來說
，它是一個六麵體
，並非點光源，在不計電極擋光時，這個六麵體的六個麵均可有一個全發光臨界角，共有49.6%的出光區域。事實上，LED由於要引出電極、固定在引線框架上等原因
，還做不到六個麵出光，也就是達不到49.6%的全發射區域。LED內量子效率一般僅在20%左右
，它還有很大的提升空間，就是要綜合LED芯片結構
、封裝結構、材料折射係數等方麵因素加以解決
，來提高出光效率。
　　
近年因為環保、節能
、半導體的綜合優勢，LED取代傳統光源用於常規照明已鋒芒畢露，但要LED的(de)發(fa)光(guang)效(xiao)率(lv)有(you)更(geng)大(da)的(de)突(tu)破(po)才(cai)可(ke)以(yi)實(shi)現(xian)廣(guang)泛(fan)應(ying)用(yong)，因(yin)為(wei)發(fa)光(guang)效(xiao)率(lv)是(shi)應(ying)用(yong)的(de)必(bi)須(xu)數(shu)據(ju)，要(yao)提(ti)高(gao)發(fa)光(guang)效(xiao)率(lv)就(jiu)跟(gen)以(yi)上(shang)內(nei)量(liang)子(zi)效(xiao)率(lv)與(yu)電(dian)光(guang)效(xiao)率(lv)息(xi)息(xi)相(xiang)關(guan)！取代傳統照明必須的也是技術提高帶動成本下降

，半導體照明才可以發揮科技優勢！