測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項:一般測量方法
發布時間:2022-10-11 來源:羅姆半導體 責任編輯:wenwei
【導讀】SiC MOSFET具有出色的開關特性,但由於其開關過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪湧。在這裏,將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解,其實所講解的內容也適用於一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件,盡情參考。
本文的關鍵要點
・如果將延長電纜與DUT引腳焊接並連接電壓探頭進行測量,在開關速度較快時,觀察到的波形會發生明顯變化。
・受測量時所裝的延長電纜的影響,觀察到的波形會與真正的原始波形完全不同。
・在觀測波形時,需要時刻注意觀察到的波形是否是真正的原始波形。
SiC MOSFET具有出色的開關特性,但由於其開關過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪湧。在這裏,將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解,其實所講解的內容也適用於一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件,盡情參考。
測量SiC MOSFET柵-源電壓:一般測量方法
電dian源yuan單dan元yuan等deng產chan品pin中zhong使shi用yong的de功gong率lv開kai關guan器qi件jian大da多duo都dou配pei有you用yong來lai冷leng卻que的de散san熱re器qi,在zai測ce量liang器qi件jian引yin腳jiao間jian的de電dian壓ya時shi,通tong常chang是shi無wu法fa將jiang電dian壓ya探tan頭tou等deng直zhi接jie安an裝zhuang到dao器qi件jian引yin腳jiao上shang的de。因yin此ci,有you時shi會hui將jiang延yan長chang電dian纜lan焊han接jie到dao器qi件jian的de引yin腳jiao上shang,並bing在zai產chan品pin外wai殼ke外wai部bu連lian接jie電dian壓ya探tan頭tou進jin行xing測ce量liang。
圖1為在ROHM評估板(P02SCT3040KR-EVK-001)上安裝散熱器並將電壓探頭與延長電纜連接進行測量時的示例。其中,將連接電壓探頭用的延長電纜(長約12cm)焊接到被測器件(DUT)的引腳上,並將延長電纜絞合以抑製輻射噪聲的影響。使用這種測量方法,實施圖2所示的橋式結構下的雙脈衝測試,並觀察波形。
圖1. 將電壓探頭與延長電纜連接來測量柵-源電壓
圖2. 雙脈衝測試電路
在雙脈衝測試電路的高邊(HS)和低邊(LS)安裝ROHM的SiC MOSFET SCT3040KR,並使HS開關、LS始終OFF(柵極電壓=0V)。圖1所示的延長電纜已經直接焊接在HS的柵極引腳和源極引腳上。
圖3為測量到的柵-源電壓波形。當外置柵極電阻RG_EXT為10Ω時,延長電纜並沒有太大的影響,但當將RG_EXT設置為3.3Ωbingtigaokaiguansudushi,jiuhuiyindianyahedianyadebianhuaeryoufazaoshenghedianludegaopingongzuo,daozhiceliangdaodeboxingfashenglexianzhubianhua。zaigaishilizhong,shouceliangyongdeyanchangdianlandeyingxiang,celiangyiqizhongxianshidepinduanfanweifashenglebianhua,youyufujialeewaidezukangerdaozhiguanchadaodeboxingyuzhenzhengdeyuanshiboxingwanquanbutong。
導通波形
關斷波形
圖3. 安裝延長電纜測量到的柵-源電壓波形。與真正的原始波形完全不同。
xuyaozhuyideshi,bixushizhongliuyiguanchadaodeboxingshifoushizhenzhengdeyuanshiboxing,huozheguanchadaodeboxingshifouyouyumouxieyingxiangyinsueryuyuanshiboxingbutong。weici,bujinyaozhidaoruhejinxingzhunquedeguancha,haiyaozhidaoyingxiangguanchadeyinsu。
圖4是該測量所用的電壓差分探頭的等效電路(*1、*2)。通常,電壓探頭的頻率特性設置包括探頭的頭部。然而,如果在DUT的測量引腳上安裝延長電纜的話,在觀察幾十ns的高速開關波形時,會在雜散電感LEXT和電壓探頭主體的輸入電容C之間引發諧振現象,從而產生疊加在原始電壓波形上的高頻電壓振鈴,這可能會導致觀察到的浪湧比實際的浪湧更大。
圖4. 電壓差分探頭的等效電路
*1. 參考資料:“ABCs of Probes” Application Note(No. EA 60W-6053-14)Tektronix, 2016年1月;“WaveLink Medium Bandwidth(8-13GHz)Differential Probe” Operator’s Manual(924243-00)TELEDYNE LECROY, 2014年5月
*2. 參考資料:“WaveLink Medium Bandwidth(8-13GHz) Differential Probe” Operator’s Manual(924243-00)TELEDYNE LECROY, 2014年5月
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